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2000~2004

2004:논문, 잡지, 책


1.Evolution of water vapor from indium-tin-oxide transparent conducting films fabricated by dip coating process

  • Y. Sawada*1, S. Seki*1, M. Sano*2, N. Miyabayashi*2, K. Ninomiya*3, A. Iwasawa*3, T. Tsugoshi*4, R. Ozao*5 and Y. Nishimoto*6
  • *1)Tokyo Polytechnic University, *2)ESCO Co. Ltd., *3)TOTO Ltd., *4)National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, *5)North Shore College of SONY Institute, *6)Kanagawa University
  • Journal of Thermal Analysis and Calorimetry, Vol. 77 (2004) 751-757

2004:Society abstracts

1.Water sorbability of low-k dielectrics measured by thermal desorption spectroscopy

  • Hiroshi Yanazawa, Takuya Fukuda, Yoko Uchida, Ichiro Katou
  • Association of Super-Advanced Electronic Technologies
  • Surface Science,566-568(2004)pp566-570

2.Reaction of Hydrogen-Desorbed Si(100) Surfaces with Water during Heating and Cooling

  • Shinichi URABE, Kazuo NISHIMURA, Satoru MORITA and Mizuho MORITA
  • Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University
  • Jpn. J. Appl. Phys,43,8242(2004)

3.Analysis of firing process of titania gel films fabricated by sol-gel process

  • Nishide Toshikazu*1, Yabe Takayuki*1, Miyabayashi Nobuyoshi*2, Sano Makiko*2
  • 1 Department of Materials Chemistry and Engineering, College of Engineering, Nihon University, *2 ESCO Ltd.
  • Thin Solid Films,467,43(2004)

4. 승온이탈 분석법에 있어서의 H2O의 패턴계수 결정법

  • 토키와 사토코*1, 니시데리 이치*2, 하시메키 아키오*3, 미야바시 노부라*3
  • *1 Institute of Applied Physics, University of Tsukuba
  • *1 일본 대학 공학부 차세대 공학 기술 연구 센터, *2 일본 대학 공학부 물질화학공학과, *3 전자과학(주)
  • J.Mass Spectrom.Soc.Jpn,52,45(2004)

 

2003:논문, 잡지, 책

1.Different Adsorption States between Thiophene and α-Bithiophene Thin Films Prepared by Self-Assembly Method

  • Eisuke ITO, Jaegeun NOH and Masahiko HARA
  • Local Spatio-Temporal Functions Laboratory, Frontier Research Systems, RIKEN
  • Jpn.J.Appl.Phys.,42,852(2003)

2.Characteristics of Bottom Gate Thin Film Transistors with Silicon rich poly-Si1-xGex and poly-Si fabricated by Reactive Thermal Chemical Vapor Deposition

  • Kousaku Shimizu,JianJun Zhang,Jeong-Woo Lee and Jun-ichi Hanna
  • Imaging Science and Engineering Laboratory,Tokyo Institute of Technology 4259 Nagatsuta Midoriku Yokohama 226-8503 Japan
  • Materials Research Society Symposium Proceedings,Vol.762,pp.253-258(2003)

3.Quantitative Evaluation of the Photoinduced Hydrophilic Conversion Properties of TiO2 Thin Film Surfaces by the Reciprocal of Contact Angle

  • Nobuyuki Sakai, Akira Fujishima, Toshiya Watanabe, and Kazuhito Hashimoto
  • *1)Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo
  • *2)Department of Applied Chemistry, School of Engineering, The University of Tokyo
  • J. Phys. Chem. B, 2003, 107(4), pp.1028-1035

2003:Society abstracts

 

1.Water sorbability of Low-k dielectrics measured by Thermal Desorption Spectroscopy

  • Hiroshi Yanazawa, Takuya fukuda, Yoko Uchida and Ichiro Katou
  • Asociation of Super-Advanced Electronic Technologies (ASET)
  • Euorpian Cenference on Surface Science (ECOSS22), Abstract ID:17017(2003)

2.Surface fluorination of MgO protective film to reduce chemical reactivity with H2O and CO2

  • Hideaki Sakurai, Ginjiro Toyoguchi, Yoshirou Kuromitsu
  • Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
  • Society for Information Display (SID) 03 DIGEST, 23.3(2003)

3. 유기 EL / Si의 발행 층에 미치는 전자 주입 층의 영향

  • 미토미 유타카, 다카하시 히데아키, 이와사키 호타카, 렌미 마사히코, 우에노 토모오, 쿠로이와 코이치, 미야바시 연량*
  • 도쿄 농공대학, *전자과학(주)
  • 제64회 응용 물리학회 학술 강연회(2003가을):31p-YL-11

4. H2O 애싱을 이용한 CVD-SiOC막에의 애싱 데미지 저감

  • 야마나카 쓰나리, 유아사히로, 오오츠카 슌히로, 사카모리 시게노리*
  • 마쓰시타 전기 산업 주식회사 반도체사 프로세스 개발 센터, *(주)르네사스 테크놀로지 생산 기술 본부 웨이퍼 프로세스 기술 통괄부
  • 제64회 응용 물리학회 학술강연회(2003가을): 31a-ZK-8, p.669

5. 질소 플라즈마 처리에 의한 층간 절연막의 흡착수의 방지

  • 오츠카 토시히로, 히사토 지혜, 이마니시 사다유키
  • 마쓰시타 전기 산업 주식회사 반도체사 프로세스 개발 센터
  • 제64회 응용 물리학회 학술강연회(2003가을): 2p-YC-1, p.706

6.Material Properties and Process Compatibility of Spin-on Nano-foamed Polybenzoxazole for Copper Damascene Process

  • Takashi Enoki, Kenzo Maejima, Hidenori Saito, Akifumi Katsumura
  • Fundamental Research Laboratory, Research Department, Sumitomo Bakelite Co., Ltd.
  • Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.740, 2003 Materials Research Society, I12.9.1

2002:논문, 잡지, 책

1.Force Driving Cu Diffusion into Interlayer Dielectrics

  • Takuya Fukuda, Hirotaka Nishino, Azuma Matsuura and Nironori Matsunaga
  • Association of Super-Advanced Electronics Technolugies
  • Jpn.J.Appl.Phys.,41,537(2002)

2.Formation of Ammonium Salts and Their Effects on Controlling Pattern Geometry in the Reactive Ion Etching Process for Fabricating Aluminium Wiring and Polysilicon Gate

  • Shuichi Saito*1*2, Kazuyuki Sugita*1, Jyunichi Tonotani*2 and Masashi Yamage*2
  • *1 Graduate School of Science and Technology, Chiba University, *2 Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation
  • Jpn.J.Appl.Phys.,41,2220(2002)

3.Evolution of water vapor from indium-tin-oxide thin films fabricated by various deposition processes

  • S.Seki*1, T.Aoyama*1, Y.Sawada*1, M.Ogawa*1, M.Sano*2, N.Miyabayashi*2, H.Yoshida*3, Y.Hoshi*1, M.Ide*4 and A.Shida*4
  • *1 Graduate School of Engineering, Tokyo Institute of Polytechnics, *2 ESCO Ltd., *3 Geomatec Co., Ltd., *4 Yokohama City Center for Industrial Technology and Design
  • J.Therm.Anal.Cal.,69,1021(2002)

4. 승온이탈법에 의한 투명 도전막의 평가

  • 사와다 유타카, 세키나리유키, 아오야마 고시, 사노 마키코*, 미야바시 노부라*
  • 도쿄 공예 대학, * 전자 과학
  • 투명 도전막의 신개발·, 제15장, 175(시엠시 출판)

5. 중수소에 의한 극박 게이트 산화막의 고신뢰화 실증과 신뢰성 향상 기구의 해명

  • 미타니 유이치로, 사타케 히데키
  • (주) 도시바 연구 개발 센터
  • 도시바 리뷰, 57(11),34(2002)

6. 청색 발광 BaAl2S4:Eu 박막의 열처리 과정 평가

  • 나가노 신이치, 카와니시 코히로, 미우라토, 마츠모토 타카나가, 나카노 코타로
  • 메이지 대학 이공학부 전자통신공학과
  • 신학 기보 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,EID2001-90,49(2002)

7. 수소 가스를 이용한 티타늄 산화막의 승온이탈 정량동적 평가

  • 야마우치 야스히로, 미즈노 요시유키**, 다나카 아키히로*, 혼마 요이치
  • 치바 공업 대학, * 알박 파이 (주), ** 스탠포드 대학 스탠포드 선형 가속기 센터
  • 진공,45(3),265(2002)

8. 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO의 탈가스 특성

  • 우에다 야스히로, 구로카와 히로시
  • 미쓰비시전기(주) 첨단기술종합연구소
  • 진공,45(2),97(2002)

9. 표면 과학 - 화학 반응의 물리 -

  • 무라타 호쇼
  • 도쿄 대학 명예 교수
  • 이와나미 강좌 물리 세계(이와나미 서점)

2002: 학회발표

1. 승온이탈법을 이용한 티타니아 겔막의 소성 공정의 해석

  • 야베 타카유키, 니시 이데이치, * 미야바시 노부라, * 사노 마키코
  • 닛다이코, * 전자 과학
  • 2002년 일본 세라믹스 협회 연회 강연 예고집(2002년 3월):2I21

2.18O를 포함하는 졸겔법에 의한 티타니아 겔막의 소성 공정

  • 니시이데 이치, 야베 타카유키, * 미야바야시 노부라, * 사노 마키코
  • 닛다이코, * 전자 과학
  • 2002년 일본 세라믹스 협회 연회 강연 예고집(2002년 3월):2I22

3. 동합금 중의 수소의 확산 거동에 미치는 석출상의 영향

  • 토미타 히데아키, 쿠라모토 시게루*, 스가노 간히로**
  • 도쿄대학원, *토요다 나카켄, **도교코우
  • 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2002);(1384)

4. 승온이탈 가스 분석을 이용한 박막 가스 센서의 연구

  • 다카하시 슈, 하라와 유
  • 도쿄 전기 대학
  • 제63회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2002가을):24p-K-2

5. TDS를 이용한 Alq3 분자 증착 과정의 평가~Alq3 정제의 효과

  • 히라이 아츠시, 미토미 유타카, 이와사키 요시타카, 렌미 마사히코, 우에노 토모오, 쿠로이와 코이치, *사노 마키코, *미야바시 노부라
  • 도쿄 농공대, *전자과학
  • 제63회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2002가을):26p-ZH-1

6.청색 발광 BaAl2S4:Eu EL 소자의 수정량 분석

  • 나가노 신이치, 미우라토, 마츠모토 타카나가, 나카노 鐐太郎
  • 메이지 대학 이공학부
  • 제63회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2002가을):26p-ZD-14

2001:논문, 잡지, 책

1.Influences of Residual Chlorine in CVD-TiN Gate Electrode on the Gate Oxide Reliability in Multiple-Thickness Oxide Technology

  • Masaru Moriwaki, Takayuki Yamada
  • ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation
  • Jpn.J.Appl.Phys.,40,2679(2001)

2.Recovery of useful hydrocarbons from oil palm waste using ZrO2 supporting FeOOH catalyst

  • T.Masuda, Y.Kondo, M.Miwa, T.Shimotori, S.R.Mukai, K.Hashimoto, M.Takano*, S.Kawasaki*, S.Yoshida**
  • Graduate School of Engineering, Kyoto University, Institute for Chemical Research, Kyoto University*, NGK Insulators LTD.**
  • Chemical Engineering Science,56,897(2001)

3.Mechanism for low temperature activation of Mg-doped GaN with Ni catalysts

  • (1)I.Waki, H.Fujioka, M.Oshima, (2)H.Miki, and M.Okuyama
  • (1)Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo, (2)Chichibu Research Laboratory, Central Reserch Laboratory, Showa Denko KK
  • J.Appl.Phys.,90(12),6500(2001)

4.Study on temperature calibration of a silicon substrate in a temperature programmed desorption analysis

  • N.Hirashita, T.Jimbo, T.Matsunaga, M.Matsuura, M.Morita, I.Nishiyama. M.Nishizuka, H.Okumura, A.Shimazaki, and N.Yabumoto
  • Working Group of Equipment, Ultraclean Standardization Committee, Ultraclean Society
  • J.Vac.Sci.Technol.A,19,1255(2001)

2001:학회발표

1. 승온 탈착 분석을 이용한 재료 평가

  • 미야바야시 노부라
  • 전자 과학
  • 2001년 가나가와현 산학 공교류 연구 발표회(2001.10.19)

2. 표면 분석 및 TDS

  • 사노 마키코
  • 전자 과학
  • 제4회 실용 표면 분석 세미나(2001.11.9)

3. 졸겔법에 의한 티타니아 겔막의 승온이탈법을 이용한 소성 공정의 해석

  • 야베 타카유키, 니시이데 이치, *미야바야시 노부라, *사노 마키코
  • 일본대학 공학부, *전자과학
  • 일본 세라믹스 협회 제14회 가을 심포지엄 강연 예고집:2B04

4. 가스 선택 흡착 특성을 가지는 무기·유기 하이브리드의 제작과 평가

  • 야마다 노리코, 쿠보 유지, 카타야마 마고
  • 신일본제철㈜첨단기술연구소
  • 일본 세라믹스 협회 제14회 가을 심포지엄 강연 예고집:3B07

5.Environmental Embrittlement of Vitreous Silica Fibers

  • Ken-ichi Takai, Takeshi Noda, Daisaku Yamada, Noriyuki Hisamori and Akira Nozue
  • Department of Mechanical Engineering, Sophia University
  • 일본재료학회 50주년국제 심포지움(2001.05)

6. Al2O3, ZrO2의 환경 취화와 물, 수소의 존재 상태 해석

  • 노구치 카즈히코, 다카이 켄이치, 쿠모리 노리유키, 노스에쇼
  • 죠지대학 이공학부
  • 제 129 회 일본 금속 학회 가을 강연 대회, No.100.

7. 석영 유리 섬유의 환경 취화와 물, 수소의 존재 상태 해석

  • 야마다 대책, 타카이 켄이치, 노스에키
  • 죠지대학 이공학부
  • 제 129 회 일본 금속 학회 추기 강연 대회, No.99.

8. 졸겔법에 의한 하프니아 박막의 승온이탈법에 의한 소성 과정의 검토

  • 아다쓰 킨야, 니시 이데이치, * 미야바야시 노부라, * 사노 마키코
  • 닛다이코, * 전자 과학
  • 2001년 일본 세라믹스 협회 연회 강연 예고집(2001년 3월):2K26

9.18O를 포함한 졸겔법에 의한 하프니아 박막의 소성 과정

  • 니시데 리이치, 아다쓰 킨야, * 미야바야시 노부라, * 사노 마키코
  • 일본 대학 공학부, * 전자 과학
  • 2001년 일본 세라믹스 협회 연회 강연 예고집(2001년 3월):2K27

10. 승온이탈법에 의한 ITO 투명 도전막의 검토

  • 세키나리유키, 사와다 유타카, *미야바야시 노부라, *사노 마키코, **이데미 에코
  • 도쿄 공예 대학, * 전자 과학, ** 요코하마시 공기 지원센터
  • 2001년 일본 세라믹스 협회 연회 강연 예고집(2001년 3월):2K28

11. 질화규소 분말의 산소 거동(Ⅱ)

  • 벳푸 요시히사, 안도 모토히데, 오지 타츠키*
  • 시너지 연구, * 메이코겐
  • 2001년 일본 세라믹스 협회 연회 강연 예고집(2001년 3월): 2A34

12. 승온이탈법에 의한 Al2O3와 ZrO2 중의 물, 수소의 존재 상태 해석

  • 노구치 카즈히코, 오타 마사토, 타카이 켄이치, 쿠모리 노리유키, 노스에키
  • 죠지대학 이공학부
  • 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(1002)

13. 석영 유리 섬유의 환경 취화에 미치는 H2O, H2의 영향

  • 야마다 대책, 노다 타케, 타카이 켄이치, 노스에키
  • 죠지대학 이공학부
  • 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(1071)

14. Ni-Ti 합금의 수소 확산 속도와 생체내 취화

  • 아사오카 겐조, 요코야마 켄이치
  • 도쿠시마대학·치과대
  • 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(126)

15. fcc Pd-Fe 합금에 있어서의 수소 방출 스펙트럼에 대한 Fe 함유량의 효과

  • 야마시타 히로시, *하라다 슈지
  • 니가타 대학 대학원생, * 니가타 대학 공학부
  • 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(194)

16. BCC형 Ti-Al-Zr 합금의 수소 유도 비정질화

  • 미야지마 계장, *이시카와 카즈히로, *아오키 키요
  • 기타미공대, * 기타미공대 공학부
  • 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(211)

17. 나노구조화 흑연-수소계의 탈수소화 과정

  • 마츠시마 토모요시, 오모리 신이치, 후지이 히로노부
  • 히로시마대 종합과
  • 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(212)

18. Ti3Al기 합금의 수소 흡장 특성(화학 양론비의 어긋남의 효과)

  • 코지마 유스케, 와타나베 소노, * 다나카 이치에이
  • 메이코대(원), *메이코대·공학부
  • 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(214)

19. 2원Ti-Al 합금의 수소 흡장·방출 특성

  • 하시 쿠니 히코, * 이시카와 카즈히로, ** 스즈키 키요시, * 아오키 키요
  • 기타미공대원, *기타미공대 공학부, **NSW대,
  • 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(215)

20. LaNi5의 전이 도입과 프로튬 트랩

  • 야마모토 아츠시로, * 건청행, * 야마구치 마사하루
  • 교토대학 공학부 · 원, * 교토대학 · 공학부
  • 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(218)

21. LaNi5에서 잔류 수소에 대한 격자 결함의 영향

  • 사카키 히로시, * 타케시타 히로유키, * 구리야마 노부히로, ** 무라카미 유키오, ** 수림 히로시, *** 아라키 히데키, *** 시라이 타이지
  • 오사카대학·원, *대공연, **쓰쿠바대, ***오사카대학·공학부
  • 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(219)

22. 기계적 합금 공정에 의해 제조된 Ti-Zr-Ni 계 준결정 및 아몰퍼스 분말의 수소 흡 방출 특성의 비교

  • 다카사키 아키토, *한 창호, ** 후루야 요시오
  • 시바우라 공대·공, *시바우라 공대(원), **나가사키대 교육
  • 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(222)

23. (Mg, Yb) Ni2 합금의 수소 흡장

  • 오츠 히데키, 간다 카즈유키, 이시카와 카즈히로, 아오키 키요
  • 기타미공대원, * 기타미공대 공학부
  • 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(230)

24. 저온에서 흡출 가능한 고용량 나노복합 Mg 박막

  • 히구치 코이치, 카지오카 히데, 마지마 키요와, 혼다 마사히데,
  • 히로시마현 서부공기센터, *마쓰다(주), **히로시마대 종합과
  • 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(231)

25. 수소흡장처리에 의한 5083Al재의 결정립 미세화와 기계적 성질

  • 후나미 쿠니오, * 사노 류 세이
  • 지바공대공학부, *지바공대원생
  • 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(256)

26. 캐소드 수소 흡수에 따른 SUS304 스테인리스강의 경도 증가

  • 하기 히데키
  • 후쿠이 공업 대학
  • 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(264)

27. 페라이트강의 헬륨·중수소의 흡장 특성

  • 타카오 야스유키, * 이와키리 히로유, * 요시다 나오 료
  • 큐슈대학 · 대학원, * 큐슈대학 · 응력 연구소
  • 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(64)

28. Mg2Ni/LaNi5 복합재의 조직 및 프로튬 흡·탈장 특성

  • 오쿠무라 용사, 마츠이 아사히 히로시, 야마타시 마타로, 가마토 시게하루, 코지마 요
  • 나가오카 기과대(공)
  • 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(928)

29.ELECTRICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF CATALYTIC-NITRIDED SiO2 FILMS

  • Akira Izumi, Hidekazu Sato and Hideki Matsumura
  • JAIST (Japan Advanced Institute of Science and Technology)
  • Materials Research Society Symposium Proceedings,Vol. 670,pp. K7.8.1-K7.8.6,2001

30. Ni 촉매를 이용한 Mg 도핑 GaN의 저온 활성화 메카니즘

  • 와키이치 타로, 후지오카 요, 오지마 마사하루, * 미키 쿠유키, * 오쿠야마 미네오
  • 도쿄대 공학부, *쇼와 덴코  
  • 제62회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2001가을):11p-Q-2

31. 전이 금속 촉매층을 이용한 Mg 도핑 GaN의 저온 활성화

  • 와키이치 타로, 후지오카 요, 오지마 마사하루, * 미키 쿠유키, * 오쿠야마 미네오 
  • 도쿄대 공학부, *쇼와 덴코  
  • 제62회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2001가을):11p-Q-3

32. H + 이온 주입에 의한 Si의 박리 (ESR 평가)

  • 사사키 시호, 이즈미 토미오, *하라 토오루
  • 도카이 대학공, *호세이대학 공학부 
  • 제62회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2001가을):12a-V-7

33. 카본 나노튜브로부터 이탈하는 가스의 TDS 분석

  • 오카이 마코토, 소요시 쿄히코, 야구치 토미오, 하야시 노부아키
  • 히타치 디스플레이 그룹
  • 제62회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2001 가을):12a-ZT-4

34. Radical Shower-CVD에서의 막질 제어

  • 구마가야 아키라, 이시바시 게이지, 하리히로, 다나카 마사히코, 기타노 나오타케, 徐舸, 요코가와 나오아키, 이케모토
  • 아넬바 
  • 제62회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2001가을): 13a-C-7

35. 에피택셜 성장 SrRuO3 박막 특성의 성막법 의존성

  • 다카하시 켄지, 오이카와 타카히로, *사이토 케이스케, 후나쿠보히로
  • 도코다이 * 일본 필립스 
  • 제62회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2001가을):13a-ZR-8

36. 승온이탈 가스 분광법을 이용한 청색 발광 BaAl2S4:Eu 박막의 열처리 과정 분석

  • 나가노 신이치, 미우라토, 마츠모토 타카나가, 나카노 鐐太郎
  • 메이지 대학 
  • 제62회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2001가을):14a-P14-12

37. 유량 변조 조작 CVD를 이용한 TiN 박막 합성에서 염소이탈 공정의 분석

  • 후미가키 유키히로, 하마무라 코타카
  • 도코다이 
  • 제62회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2001가을): 14a-X-3

38. TDS를 이용한 Alq3 분자 증착 과정의 평가와 그 응용

  • * 히라이 아츠시, * 이와사키 호 타카, * 아이미 마사히코, *, ** 우에노 토모오, * 쿠로이와 코이치, *** 사노 마키코, *** 미야바시 노부라
  • *도쿄농공대·공, **현, 신에너지·산업성 기술종합개발기구(NEDO), ***전자과학
  • 제48회 응용 물리학 관계 연합 강연회 강연 예고집(2001.3 메이지 대학);29p-ZN-12

39. SiO2 박막을 통해 H + 이온 주입 한 Si의 박리 (ESR 평가)

  • 사사키 시호, 이즈미 토미오, *하라 토오루
  • 도카이대학 공학부, * 호세이대학 공학부
  • 제48회 응용 물리학 관계 연합 강연회 강연 예고집(2001.3 메이지 대학);30a-P11-7

40. 승온이탈 분석법에 의한 환경 계측용 센서의 동작 해석

  • 요코야마 타츠야, 하라와 유
  • 도쿄전기대
  • 제48회 응용 물리학 관계 연합 강연회 강연 예고집(2001.3 메이지 대학);30p-ZR-10

41.Mg 도핑 GaN의 저온 활성화(1)-O3, N2O 중열처리 효과-

  • 와키이치 타로, 후지오카 요, 오지마 마사하루, * 미키 히사유키, * 사토 사와 로
  • 도쿄대학원·공대, *쇼와덴코(주)찌치부 연구실
  • 제48회 응용 물리학 관계 연합 강연회 강연 예고집(2001.3 메이지 대학);31p-K-2

42. 진공중 완료입자 a-Ge:H막의 수소결합 측정과 막질 평가(Ⅲ)

  • 이세키 카츠토미, 고바야시 신이치, 아오키 히로시
  • 도쿄 공예 대학 대학원 대학 첨단 과학 기술 대학원
  • 제48회 응용물리학 관련 회적예격집(2001.3 메이지대학); 28a-ZL-8

43. 수소 가스를 이용한 산화 티타늄의 승온이탈 동적 평가

  • 야마우치 야스히로, 미즈노 요시유키, 다나카 아키히로, 혼마 요이치
  • 지바공업대학, *알박파이(주)
  • 제48회 응용 물리학 관계 연합 강연회 강연 예고집(2001.3 메이지 대학);29p-ZF-6

44. 석영유리로부터 반점 트리튬가스 방출

  • 나스 아키라, 후미 마사지, * 타니 후타 타카 아키, * 이치카와 시로
  • 가나자와 공업 대학, * 일본 원자력 연구소
  • 제48회 응용 물리학 관계 연합 강연회 강연 예고집(2001.3 메이지 대학);29p-ZL-11

45. 수소 원자의 고상 터널 반응을 이용한 반도체 박막 형성을 위한 극저온 반응 장치의 개발(Ⅱ)

  • 사토 테츠야, 스즈키 카츠노리, 다카하시 유키노리, 히비키 시게토미, 오카자키 시게미츠, 나카가와 키요카즈, 히라오카 켄조, *사토 승사, *미야다 치지, **타카마쓰 토시유키
  • 야마나시 공대, * 미야 통신 공업, ** SST
  • 제48회 응용 물리학 관계 연합 강연회 강연 예고집(2001.3 메이지 대학);30a-ZT-7

2000:논문, 잡지, 책

1.Comparative Study of Hydride Organo Siloxane Polymer and Hydrogen Silsesquioxane

  • Sung-Woong Chung, Sub-Young Kim, Joo-Han Shin, Jun Ki Kim and Jinwon Park
  • Memory R&D Division, Hyundai Electronics Ind. Co., Ltd.
  • Jpn.J.Appl.Phys.,39,5909(2000)

2. 승온이탈 분석법에 의한 분자성 오염의 평가와 장치에의 영향

  • 히라시타 노리오
  • 오키 전기 공업 (주) 초 LSI 연구 개발 센터
  • 리얼라이즈사, 반도체 클린화 기술 시리즈 기초 강좌 [UCT-10]

3. 공석강의 수소 흡장 특성에 미치는 항온 변태 온도 및 신선 가공의 영향

  • 타카이 켄이치, 노스에키
  • 죠지대학 이공학부 기계공학과
  • 일본 금속 학회지, 64,669 (2000)

4.DRAM용 Ta2O5 커패시터 형성 기술

  • 가미야마 사토시
  • 일본 전기 (주) 시스템 디바이스 기초 연구 본부
  • 응용 물리, 69,1067 (2000)

5. 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO막의 증착시 산소 분압과 가스 흡착 특성

  • 사와다 타카오, 와타나베 겐지*, 후쿠야마 케이지, 오다이라 타쿠야, 이가와 카츠, 사노 코우**
  • 미쓰비시 전기 (주) 첨단 기술 종합 연구소, * (주) 에바렘, ** 미쓰비시 전기 (주) 디스플레이 디바이스 총괄 사업부
  • 진공,43(10),973(2000)

6.Characterization of Low-Dielectric-Constant Methylsiloxane Spin-on-Glass Films

  • Noriko Yamada and Toru Takahashi
  • Advanced Technology Research Laboratories, Nippon Steel Corporation
  • Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) pp. 1070-1073

2000:학회발표

1. 결정성이 다른 AlOOH의 가열상 변화

  • 나가시마 토오루, 가메시마 가이이치, 야스모리 아츠오, 오카다 키요, * 사노 마키코
  • 도코다이대학원 이공, *전자과학
  • 일본 세라믹스 협회 제13회 가을 심포지엄 요지집

2. 고체 NMR에 의한 산화규소 및 그 구조 해석

  • 아라마타 간부, 후쿠오카 히로후미, 후지오카 이치토시
  • 신에츠 화학 군마 사업소
  • 61회 분석화학토론회(2000.05.18 나가오카 리릭홀): 2H14

3.Hydrogen distributions near the SiO2-Si interface

  • Y.Kawashima, Z.Liu, H.Kawano and M.Kudo*
  • Analysis Technology Development Division, NEC Corporation, *Faculty of Engineering, Seiseki University
  • The Proceeding of the Second International Symposium on SIMS and Related Techniques(2000.11)

4. 승온이탈법에 의한 HfO2 박막의 소성 과정의 연구

  • 아다쓰 카네야, 니시데 이치이치, 미야바시 노부라*, 사노 마키코*
  • 닛코우대학, 전자 과학 *
  • 일본 세라믹스 협회 도호쿠 홋카이도 지부 연구 발표회 제20회 기초 과학부회 도호쿠 홋카이도 지구 간화회(2000가을):1P19

5. 승온이탈법에 의한 HfO2막의 해석

  • 사노 마키코, 미야바야시 노부라, 아다쓰 킨야*, 니시데리 이치*,
  • 전자 과학, * 닛코우대학
  • 제4회 실용 표면 분석 강연회(2000.12.8):P1-10

6. 석영 유리 섬유의 환경 취화에 미치는 H2O, H2의 영향

  • 노다 타케, 야마다 대책, 타카이 켄이치, 노스에키
  • 죠지대학 이공
  • 일본 금속 학회 가을 대회 강연 개요 (2000) p509

7. 석영 유리 섬유의 환경 취화에 미치는 물 및 수소의 영향

  • 타카이 켄이치, 노다 타케, 노스에키
  • 죠지대학 이공
  • (사) 일본 철강 협회 재료의 조직과 특성 부회 과학 기술 진흥 조정비 종합 연구 제5회 성과 보고회 심포지엄 개요집 p7(2000가을)

8. 석영 유리 섬유의 환경 취화에 미치는 H2O, H2의 영향

  • 타카이 켄이치, 노다 타케, 카와무라 마지, 노에미 쇼장
  • 죠지대학 이공
  • 제1회 마이크로 머티리얼 심포지엄 강연 논문집 p43(2000가을)

9. 저 유전율 다공질막의 ICP 산소 플라즈마 조사에 의한 막질 변화

  • 후지우치 아츠시, 아라오 히로키, 에가미 미키, 나카지마 아키라, 콘도 히데이치*, 아사노 타네마사*
  • 촉매화성공업(주)파인연구소, 규슈공업대학 마이크로화 종합기술센터*
  • 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을):4a-P4-18

10. 승온이탈 분석법에 있어서의 실리콘 기판 온도의 교정법 1 UC 표준 규격

  • 히라시타 노리오(오키 전기), 치토모토 주방(NTT-AT), 오쿠무라 치키(히가시 릴리서치 센터), 시마자키 아야코(도시바), 진보 토모코(히타치), 니시즈카 카츠(도시바 마이크로 일렉트로닉스), 니시야마 이와오 NEC), 마츠우라 마사즈미(미쓰비시전기), 마츠나가 리유키(마츠시타 테크노 리서치), 모리타 미즈호(한대)
  • UCS 반도체 기반 기술 연구회 표준화위원회 장비부회
  • 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을):4p-ZC-10

11. 승온이탈 분석법에 있어서의 실리콘 기판 온도의 교정법 2 UC 표준 규격

  • 히라시타 노리오 (오키 전기), 시바모토 주방 (NTT-AT), 오쿠무라 치키 (히가시 릴리서치 센터), 시마자키 아야코 (도시바), 진보 토모코 (히타치), 니시즈카 카츠 (도시바 마이크로 일렉트로닉스), 니시야마 이와오 NEC), 마츠우라 마사즈미(미쓰비시전기), 마츠나가 리유키(마츠시타 테크노 리서치), 모리타 미즈호(한대)
  • UCS 반도체 기반 기술 연구회 표준화위원회 장비 부회
  • 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을):4p-ZC-11

12. 승온이탈 분석법에 있어서의 실리콘 기판 온도의 교정법 3 UC 표준 규격

  • 히라시타 노리오 (오키 전기), 시바모토 주방 (NTT-AT), 오쿠무라 치키 (히가시 릴리서치 센터), 시마자키 아야코 (도시바), 진보 토모코 (히타치), 니시즈카 카츠 (도시바 마이크로 일렉트로닉스), 니시야마 이와오 NEC), 마츠우라 마사유키(미쓰비시전기), 마츠나가 리유키(마츠시타 테크노 리서치), 모리타 미즈호(한대)
  • UCS 반도체 기반 기술 연구회 표준화위원회 장비 부회
  • 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을):4p-ZC-12

13. 승온이탈 분석법에 있어서의 실리콘 기판 온도의 교정법 4 UC 표준 규격

  • 히라시타 노리오 (오키 전기), 시바모토 주방 (NTT-AT), 오쿠무라 치키 (히가시 릴리서치 센터), 시마자키 아야코 (도시바), 진보 토모코 (히타치), 니시즈카 카츠 (도시바 마이크로 일렉트로닉스), 니시야마 이와오 NEC), 마츠우라 마사유키(미쓰비시전기), 마츠나가 리유키(마츠시타 테크노 리서치), 모리타 미즈호(한대)
  • UCS 반도체 기반 기술 연구회 표준화위원회 장비 부회
  • 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을):4p-ZC-13

14. 고선택 비산화막 에칭에 있어서의 표면 반응층의 해석

  • 오자와 노부오, 다츠미 테츠야, 이시카와 켄지, 구리하라 카즈히로, 세키네 마코토
  • ASET 플라즈마 연구
  • 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을):6a-ZF-8

15. 얇은 SIO2막을 통해 고농도 H+ 이온을 주입한 Si의 어닐링 특성

  • 사사키 시호, 우지가와 히로아키, 조두리 엘샤드 알리, 이즈미 토미오, 하라 토오루*
  • 도카이대학 공대, 호세이대학 공대 *
  • 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을):6p-ZD-17

16. W 폴리사이드막의 에칭 특성

  • 후쿠나가 히로유키, 나가토모 미키, 사이토 히데이치
  • (주) 도시바 생산 기술 센터
  • 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을):7a-W-8

17. 웨이퍼 표면 흡착 유기물의 흡탈착 거동 2

  • 시라미즈 호미, 타카다 슌와, 코마타 카오리*
  • 일본 전기 (주), NEC 소프트 (주) *
  • 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을):3p-ZC-7

18.HMDSO를 이용한 플라즈마 CVD법에 의한 저유전율막의 성막(1) -산화제에 N2O를 이용하여 -

  • 야마모토 요이치 이노마키 히로시, 이시마루 토모미, 코타케 유이치로, 오가와라 아키시, 시오야 키미*, 오히라 코이치*, 마에다 카즈오*
  • 캐논 판매 (주), (주) 반도체 공정 연구소 *
  • 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을):4a-P4-21

19. NH3 / SiF4 계 a-SiNx : F에 의한 게이트 질화막의 극저온 형성 (II)

  • 오타 히로유키, 호리카츠, 고토 슌오
  • 나고야 대학 · 공대
  • 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을):5a-ZD-4

20. Si(100)2×1 상의 세슘 산화물의 TDS, UPS

  • 이시약 아키히코, 후지이 타카시, 토시마 마사야, 우라노 토시오, 혼고 아키조
  • 고베대학 공대
  • 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을):6a-S-1

21. 졸 겔법에 의한 HfO2 박막에 불화 알코올의 흡착

  • 아다쓰 카네야, 니시데 이치이치, 와타나베 슈*, 타카세 츠기코*, 미야바야시 연량**
  • 일본 대학 공학부, 후쿠시마현 하이테크 플라자*, 전자과학(주)**
  • 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄):29a-ZG-3

22. 저유전율 절연막을 이용한 다마신 배선 구조에서의 용량의 온도 의존성

  • 히가시 카즈유키, 마츠나가 범소, 나카타 진헤이, 시바타 히데코
  • (주) 도시바 세미 컨덕터 사 마이크로 일렉트로닉스 기술 연구소
  • 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄):29p-YA-11

23. 각종 습식 프로세스 처리에 의한 유기 폴리머계 저유전율 절연막 PAE에의 영향

  • 키타자와 요시유키, 토모히사 신고, 니시오카 야스타카, 호타 나오키, 무라나카 세이지*, 고토 굿야*, 마츠우라 마사유키*, 도요타 료히코, 오모리 타츠오
  • 미쓰비시전기(주)첨단기술종합연구소, ULSI기술개발센터*
  • 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄):29p-YA-16

24. 플라즈마 중합법에 의한 BCB막의 유전율 저감

  • 타다 소 히로시, 카와하라 준, 하야시 요시히로
  • NEC 실리콘 시스템 연구소
  • 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄):29p-YA-8

25.Investigation of Correlation between Structures and Adsorption States of Alkanethiol Self-Assembled Monolayers on Au(111)

  • J.Noh, T.Araki*, K.Nakajima and M.Hara
  • FRS RIKEN, Saitama Univ.*
  • 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄):29p-YA-8

26. 불소화 알칸 티올 자기 조직화 단분자막의 흡착·탈리 과정에 관한 연구

  • 스즈키 아키히로 1, 오쿠데 유리코 1, 나카무라 시오 2, 하라마사히코 12, 타마다 가오루 3, 후쿠시마 균 4, T.R.Lee5
  • 도우코대학 총리공 1, 리켄 2, 물질연 3, 세이코 엡손 4, 휴스턴 대 5
  • 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄):29p-YA-8

27.Si 웨이퍼 표면에 있어서의 수분 및 유기물 흡착 상태의 해석

  • 모리모토 토시히로, 우에무라 켄이치
  • 신일본제철(주)첨단기술연구소
  • 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄):28p-YH-7

28. 저유전율 SOG 중의 관능기의 플라즈마 반응성

  • 콘도 히데이치, 유미 슌야, 아사노 타네마사, 아라오 히로키*, 나카지마 아키라*
  • 규슈공업대학 마이크로화총기술센터, 촉매화성공업(주), 파인연구소*
  • 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄):29a-YA-10

29. 티타늄의 표면 연마에 의한 가스 방출 특성

  • 오카다 타카히로, 다나카 아키히로, 미즈노 요시유키, 혼마 요이치
  • 치바공업대학, 알박파아(주)*, 일본발커공업(주)**
  • 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄):29a-ZG-1

30.Ta2O5/TiNx/Si(x>1) 어닐시에TiN층에서 방출되는 과잉질소

  • N.Yasuda*,***,H.C.Lu*,E.Garfunnkel*,T.Gustafsson*,J.P.Chang**,G.Alers**
  • Rutgers University*,Lucent Technologies**,On leave from Toshida Corporation***
  • 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄):29a-ZG-3

31. 승온이탈법에 의한 비정질 실리콘막 중 수소의 정량

  • 이나키 사카에, 사이토 이치야, 하시모토 정전*, 아사리 신*
  • 일본 진공 기술 (주) 쓰쿠바 초재연, 치바 초재연 *
  • 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄):29p-ZH-1

32. 진공중 승온에서의 a-Ge : H 막의 수소 결합 상태와 막질 평가

  • 이세키 카츠토, 고바야시 신이치, 아오키 히로시
  • 도쿄 공예 대학 대학원 · 제휴 최첨단 기술 연구 센터
  • 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄):29p-ZH-6

33.글로우 방전법에 의해 제작한 a-SiC:H의 막 구조와 표면 관찰(II)

  • 모토하시 미츠야, 소에 쿠미, 혼마 카즈아키
  • 도쿄 전기 대학 공학부
  • 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄):29p-ZH-9

34. 수소 종단 Si (111) 표면상의 선택적 수소이찰에 의한 댕글링 본드 와이어 열의 형성

  • 이노우에 히로스케, 사카가미 히로유키, 신미야하라 마사조, 타카하기 타카유키
  • 히로시마 대학 공학부
  • 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄):30p-YH-11

35. 규소계 화합물의 상태 해석에 고체 NMR의 응용

  • 아라마타 미키오
  • 신에츠 화학 군마 사업소
  • 제26회 고체 NMR·재료 연구회(2000.05.08 교토 헤이안 회관)

36. HfO2 박막의 승온이탈법에 의한 소성 공정 및 표면 상태의 연구

  • 아다쓰 킨야, 니시데 리이치, * 미야바야시 노부라, * 사노 마키코
  • 일본대학 공학부, * 전자 과학
  • 제36회 열측정 토론회 강연 요지집, 90(2000가을)

37. CeO2 박막의 승온 탈리법에 의한 표면 상태의 연구

  • 니시데 이치이치, 죠반 사토코, * 미야바야시 노부라, * 사노 마키코, ** 사토 맹세
  • 일본대학 공학부, *전자과학, **닛산 아크
  • 제36회 열측정 토론회 강연 요지집, 92(2000가을)

38. 금속 산화물 박막의 TDS에 의한 표면 해석

  • 니시 이치 이치
  • 일본 대학 공학부
  • 제8회 TMS 연구회 예고집 p4(2000.4.28)
  • 제품에 대한 상담, 질문이 있으시면 부담없이 문의해 주십시요
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