ESCO전자과학주식회사

1991：논문, 잡지, 책

1.Oxidation Process of Hydrogen Terminated Silicon Surface Studied by Thermal Desorption Spectroscopy

• Norikuni Yabumoto, Kazuyuki Saito, Mizuho Morita* and Tadahiro Ohmi*
• NTT LSI Laboratories, *Faculty of Engineering,Tohoku University
• Jpn.J.Appl.Phys.,30,L419(1991)

2. 새로운 승온이탈가스 분석장치 개발과 VLSI재료및 프로세스평가의 응용

• 히라시타 노리오, 미오카 츠네오, 히나가 야스시*
• 오키전기공업(주) 초LSI개발센터 *전자과학(주)
• 진공,34,813(1991)

～ 1991：학회요지

１．세정실리콘 표면의 물성과 그 해석

• 야부모토 슈호, 사이토 가즈유끼, 모리타 미즈호*, 오마 타다히로
• NTT LSI연구, * 도호쿠대학 공학부
• 1991 전자정보통신학회 춘곕전국대회요지집,5-331,(1991)：SC-9-1

발표년도 불명：논문, 잡지, 책

1.APIMS를 이용한 승온이탈가스분석

• 미조카미 가즈노리, 나카노 가즈오, 고이케죠지, 오가와데츠야
• 히다치토레이 전자장치사업부
• 히다치토레이 TECHNICAL REPORT,11,10(????)

2. 승온이탈가스분석법(TDS)의 응용

• 토레이 리서치센터
• 토레이 리서치센터
• 기술정보

3.Improved Interconnect Yield Through Surface Control By Silylation (SCS) Method

• K.Yano, M.Yamanaka, Y.Terai, T.Sugiyama, M.Kubota, M.Endo and N.Nomura
• Semiconductor Research Center, Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.
• Symposium 1993 on VLSI Technology

4.전계동박에의 극박주석멕키의 확산거동

• 야마시타 마사루, 오오쿠마 히데오*
• (주)아이테스 신뢰성・재료기술부, 일본IBM(주) 노슈사업부 액정기술부株
• 출전불명

5.사르퍼의 퇴적을 이용한 이방성 에칭

• 가토무라 신고, 다츠미 데츠야, 나가야마 데츠지, 사토우 준이치
• 소니(주)
• Semiconductor World 12：1993년1월

6.승온열이탈분석장치에 의한 Si웨이퍼표면의 유기물평가

• 오카다 치즈코, 류타 지로, 신교지 다깡유키
• 미쯔비시 머티어리얼(주) 중앙연구소
• 출전불명

7.MODEL STUDIES OF DIELECTRIC THIN FILM GROWTH CVD DEPOSITION OF SiO2 FROM TEOS

• J.E.Crowell, H-C.Cho, F.M.Cascarano, L.L.Tedder and M.A.Logan*
• Department of Chemistry, University of California, San diego, *Lam Reserch Corporation, Advanced Research Center
• 출전불명

8.Evaluation of adsorbed molecules on silicon wafers

• Norikuni YABUMOTO
• NTT Interdisciplinary Research Laboratories
• 출전불명

9.TDS를 이용한 O2+H2O다운플로어 코로젼 억제기구의 검토

• 고지리 히데히로, 마츠오 지로*, 와타나베 고지, 나까무라 모리타카
• 후지쯔 *후지쯔연구소
• 전자정보통신학회기술연구보고. SDM, 실리콘재료・디바이스 94(11), 39-46, 1994-04-21

10. 실리콘웨이퍼 표면의 흡착성분－승온이탈법에 의한 분석

• 야부모토 슈호
• NTT LSI연
• 출전불명

발표년도 불명：학회요지

1.착색 하이드로키시 아파타이트의 캐릭터리제션

• 이시가와 쯔요시
• 아사히공업(주) 뉴세라믹사업부
• 아파타이트 연구회

2.Recovery of Useful Hydrocarbons from Oil Palm Waste Using ZrO2 Supporting FeOOH Catalyst

• Takao MASUDA, Yumi KONDO, Masahiro MIWA, Shin R. MUKAI, Kenji HASHIMOTO and *Mikio TAKANO
• Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University and *Institute for Chemical Research, Kyoto University
• Book of Abstracts, 16th International Symposium on Chemical Reaction Engineering

3.SiO2홀 내에서 에칭표면반응

• 히라시타 노리오, 이케가미 나오카즈
• 오키전기공업(주) 초LSI연구개발센터
• 제44회반도체전문강습회예습집,139

2014：논문, 잡지, 책

1.Substrate-induced anion rearrangement in epitaxial thin films of LaSrCoO4-xHx

• Guillaume Bouilly*1, Takeshi Yajima*1*2, Takahito Terashima*3, Yoshiro Kususe*4, Koji Fujita*4, Cedric Tassel*1*5, Takafumi Yamamoto*1, Katsuhisa Tanaka*4, Yoji Kobayashi*1 and Hiroshi Kageyama*1*6
• *1)Department of Energy and Hydrocarbon Chemistry, Graduate School of Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan.
• *2)Institute for Solid State Physics, The University of Tokyo, Chiba 277-8581, Japan
• *3)Research Center for Low Temperature and Materials Sciences, Kyoto University, Sakyo-ku, Kyoto 606-8501, Japan
• *4)Department of Material Chemistry, Graduate School of Engineering, Kyoto University, Kyoto 615-8510, Japan
• *5)The Hakubi Center for Advanced Research, Kyoto University, Yoshida-Ushinomiya-cho, Sakyo-ku, Kyoto 606-8302, Japan
• *6)CREST, Japan Science and Technology Agency (JST), Kawaguchi, Saitama 332-0012, Japan
• CrystEngComm, 2014, 16, 9669-9674

2.An Anti CuO2-type Metal Hydride Square Net Structure in Ln2M2As2Hx (Ln=La or Sm, M=Ti, V, Cr, or Mn)

• Hiroshi Mizoguchi*1, SangWon Park*1, Haruhiro Hiraka*2, Kazutaka Ikeda*2, Toshiya Otomo*2, and Hideo Hosono*1
• *1)Materials Research Center for Element Strategy Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503 (Japan)
• *2)Institute of Materials Structure Science High-Energy Accelerator Research Organization (KEK) Tsukuba 305-0801 (Japan)
• Angew. Chem. 2014, 126, 1-5

3.Comparison of impurity effect between two Tc domes in LaFeAsO1-xHx

• Junichi Ishida*1, Soshi Iimura*1, Satoru Matsuishi*2, and Hideo Hosono*1,*2,*3
• *1)Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan
• *2)Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan
• *3)Frontier Research Center, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta-cho, Midori-ku, Yokohama 226-8503, Japan
• Journal of Physics:Condens. Matter 26 (2014) 435702 (6pp)

4.Effects of high-temperature annealing on operation characteristics of a-In-Ga-Zn-O TFTs

• Yuichiro Hanyu, Katsumi Abe, Kay Domen, Kenji Nomura, Hidenori Hiramatsu, Hideya Kumomi, Hideo Hosono, and Toshio Kamiya
• Journal of Display Technology Vol. 10, Issue 11, pp. 979-983 (2014)

5.Non-nitrogen doped and non-metal oxygen reduction electrocatalysts based on carbon nanotubes: mechanism and origin of ORR activity

• Waki, K., Wong, R.A., Oktaviano, H.S., Fujio, T., Nagai, T., Kimoto, K. & Yamada, K.
• Energy Environ. Sci., 7, 1950-1958 (2014)

6.Effects of thermal annealing on variations of electron traps in the channel region of amorphous In-Ga-Zn-O thin film transistor

• Aya Hino, Yasuyuki Takanashi, Hiroaki Tao, Shinya Morita, Mototaka Ochi, Hiroshi Goto, Kazushi Hayashi and Toshihiro Kugimiya
• Electronics Research Laboratory, Kobe Steel, Ltd
• J. Vac. Sci. Technol. B 32, 031210 (2014)

7. 분석 분야에서 가스 방출 측정

• 히라시타 노리오, 우라노 마리, 요시다 아오이
• J. Vac. Soc. Jpn. 57(6), pp. 214-218, (2014)

8.Surface Treatment for Conductive 12CaO･7 AlO3 Electride Powder by Rapid Thermal Annealing Processing and Its Application to Ammonia Synthesis

• Fumitaka Hayashi*1, Masaaki Kitano*2, Toshiharu Yokoyama*1, Michikazu Hara*3, and Hideo Hosono*2
• *1)Frontier Research Center Tokyo Institute of Technology,
• *2)Materials Research Center for Element Strategy Tokyo Institute of Technology,
• *3)Materials and Structures Laboratory Tokyo Institute of Technology
• ChemCatChem 0000, 00, 1-8, DOI: 10.1002/cctc.201301061

9.Hydrogen Ordering and New Polymorph of Layered Perovskite Oxyhydrides: Sr2VO4-xHx

• Joonho Bang*1, Satoru Matsuishi*2, Haruhiro Hiraka*4, Fumika Fujisaki*5, Toshiya Otomo*4*5, Sachiko Maki*2, Jun-ichi Yamaura*2, Reiji Kumai*4*5, Youichi Murakami*4*5, and Hideo Hosono*1*2*3
• *1)Materials and Structures Laboratory,
• *2)Materials Research Center for Element Strategy,
• *3)Frontier Research Center, Tokyo Institute of Technology, Yokohama 226-8503, Japan,
• *4)Institute of Materials Structure Science, High Energy Accelerator Research Organization (KEK), Tsukuba, Ibaraki 305-0801, Japan,
• *5)Department of Materials Structure Science, The Graduate University for Advanced Studies, Tsukuba, Ibaraki 305-0801, Japan
• J. Am. Chem. Soc., 2014, 136 (20), pp 7221-7224

2013：논문, 잡지, 책

1.The role of oxygen functionalities for enhanced oxygen reduction activity in carbon nanotubes.

• Oktaviano, H. S., Wong, R. A., Waki, K
• ECS Trans. 58, 1509?1516 (2013)

2.Ammonia decomposition by ruthenium nanoparticles loaded on inorganic electride C12A7:e-

• Fumitaka Hayashi*1, Yoshitake Toda*1, Yoshimi Kanie*1,
  Masaaki Kitano*2, Yasunori Inoue*3, Toshiharu Yokoyama*1, Michikazu Hara*3, and Hideo Hosono*123
• *1)Frontier Research Center, Tokyo Institute of Technology,
• *2)Materials Research Center for Element Strategy, Tokyo Institute of Technology,
• *3)Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology,
• Chem. Sci., 2013, 4, 3124-3130

3.Change in optical and evaporation characteristics of silicone contaminant film by vacuum ultraviolet exposure

• Susumu BABA, Hiroshi YOKOZAWA, Eiji MIYAZAKI, Yugo KIMOTO, and Takashi TAMURA
• Electronic Devices and Materials Group, Aerospace Research and Development Directorate, Japan Aerospace Exploration Agency
• Proc. ‘12th Int. Symp. on Materials in Space Environment’ Noordwijk, The Netherlands (ESA SP-705, February 2013)

2012：논문, 잡지, 책

1.Nano-drilled multiwalled carbon nanotubes: characterizations and application for LIB anode materials.

• Oktaviano, H. S., Yamada, K. & Waki, K
• J. Mater. Chem. 22, 25167-25173 (2012)

2. 미량 가스의 고감도 분석 방법

• 제4절 승온이탈 가스 분석법(TDS법, TPD법) p.91
• 히라시타 노리오
• 전자과학 주식회사
• 발행소 과학 및 기술 주식회사

3.Analysis on Behavior of Hydrogen in Ion-Plated Pure Aluminum

• pp 47-50
• Hideki Iwahashi*1, Goroh Itoh*2, Katsuhiro Saitoh*3, Takahiro Shikagawa*4
• *1)Graduate Student, Grabuate School of Science and Engineering, Ibaraki UniVersity,
  *2)Department of Mechanical Engineering, Ibaraki University,
  *3)Undergraduate Student, Graduate School of Science and Engineering, Ibaraki University,
  *4)Graduate Student, Major in Material Science, Ibaraki University,
• Advanced Materials Reserch Vol.409

4.Effect of rapid solodification on microstructual fratures of Al-Cr alloys

• pp 301-304
• Iya I. Tashlykova-Bushkevich*1, Goroh Itoh*2
• *1)Belarusian state University of Informatics and Radioelectronics, *2)Ibaraki University
• Materials Science Forum Vols.706-709

5.Aerobic oxidation of alcohols in the liquid phase with nanoporous gold catalysts

• Naoki Asao*1, Naoya Hatakeyama*2, Menggenbateer*3, Taketoshi Minato*4, Eisuke Ito*5, Masahiko Hara*5, Yousoo Kim*6, Yoshinori Yamamoto*1, Mingwei Chen*1, Wei Zhang*7, Akihisa Inoue*7
• *1)WPI Advanced Institute for Materials Research,Tohoku University,
  *2)Department of Chemistry,Tohoku University,
  *3)Center for Integrated Nano Technology Support,
  *4)International Advanced Research and Education Organization,Tohoku University,
  *5)Flucto-Order Functions Asian Collaboration Team,RIKEN,
  *6)Surface & Interface Laboratory,RIKEN,
  *7)Institute for Materials Research,Tohoku University,
• Chemical Communications 2012

6.Comprehensive Study of Lanthanum Aluminate High-Dielectric-Constant Gate Oxides for Advanced CMOS Devices

• 443-477
• Masamichi Suzuki
• Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research & Development Center, Toshiba Corporation
• Materials 2012.5

7.Effect of some thermally unstable magnesium compounds on the yield of cher formed from poly(ethylene terethalate)

• 1147-1154
• Jacek Przepiorski*1, Justyna Karolczyk*2, Tomoki Tsumura*2, Masahiro Toyoda*2, Michio Inagaki*3, Antoni W. Morawski*1
• *1)Institure of Chemical and Environmental Engineering, West Pomeranian University
• *2)Faculty of Engineering, Oita University
• *3)Professor Emeritus
• J Therm Anal Calorim(2012)

8.WS₂ nanoadditized lubricant for applications affected by hydrogen embrittlement

• Vlad Bogdan Niste*1, Hiroyoshi Tanaka*2*3, Monica Ratoi*1, and Joichi Sugimura*2*3
• *1)Faculty of Engineering and Environment, University of Southampton, Highfield Campus, Southampton SO17 1BJ, UK
• *2)Research Center for Hydrogen Industrial Use and Storage, Kyushu University,744 Motooka, Nishi-ku, Fukuoka 819-0395, Japan
• *3)International Institute for Carbon-Neutral Energy Research, Kyushu University, 744 Motooka, Nishi-ku, Fukuoka 819-0395,Japan
• RSC Advances(2012)

2012： 학회발표

1.Hydrogen desorption profile change of zinc electronic galvanized steel in stress loading
（ 응력부하에서의 전기아연도금 강중 수소 프로파일변화）

• CAMP-ISIJ Vol.25(2012)-445
• ○오쿠마 타카지, 오카무라 료
• 주식회사 스마토모화학 분석 센터
• 제163회 춘계강연대회(사)일본철강협회

2.Hydrogen traping sites at various lattice defets in α-iron with thermal desorption spectrometer detected from low-temperture
（저온 승온이탈법에 의한 α철중 각종격자결함에서의 수소 트랩사이트 해석）

• CAMP-ISIJ Vol.25(2012)-448
• ○ (학) 가네코 마오, (원) 아베 나리 아키라, 스즈키 케이지, 오기하라 행인, 타카이 켄이치
• 죠지대학 이공학부
• 제163회 춘계강연대회(사)일본철강협회

2011：논문, 잡지, 책

1.Improvement in the Property of Field Effect Transistor Having the HfO2/Ge Structure Fabricated by Photoassisted Metal Organic Chemical Vapor Deposition with Fluorine Treatment

• SS10173
• ○DongHun Lee, Hideto Imajo, Takeshi Kanashima, Masanori Okuyama
• Department of Systems Innovation, Graduate School of Engineering Science, Osaka University
• Japanese Journal of Applied Physics 50 (2011) 04DA11

2.Isotope Tracing Study of GeO Desorption Mechanism from GeO₂/Ge Stack Using ⁷³Ge and ¹⁸O

• SS10205
• ○Sheng Kai Wang, Koji Kita, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, Akira Toriumi
• Department of Materials Engineering, JST-CREST
• Japanese Journal of Applied Physics 50 (2011) 04DA11

3.Observation of Hydrogen Permeation into Fresh Bearing Steel Surface by Thermal Desorption Spectroscopy

• Tribplogy Online,Vol.6,No.7(2011) 291-296
• Hiraku Tanimoto*1, ○Hiroyoshi Tanaka*2, Joichi Sugimura*2*3
• *1)Graduate School of Engineering, Kyushu University,
  *2)Department of Mechanical Engineering, Kyushu University,
  *3)Hydrogenius, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology,
• 사단법인 일본트라이볼로지 학회

4.Behavior of oxygen in zinc oxide films through thermal annealing and its effect on sheet resistance

• 5480-5483
• Takahiro Hiramatsu, Mamoru Furuta, Tokiyoshi Matsuda, Chaoyang Li, Takashi Hirao
• Reserch Institute for Nanodevices, Kochi University of Technology
• Applied Surface Science Vol.257, Issue13

5. 무전해 Ni-P 도금막 중의 안정제의 승온이탈 분석 장치(TDS)에 의한 분석

• 표면 기술 Vol.62 (2011), No.1 p.54
• 데구치 카즈키*1, 히라시타 기오*2, 마에시마 쿠니코*2, 코이와 이치로*1
• *1) 간토 학원 대학 공학부, *2) 전자 과학 주식회사
• 일반사단법인 표면기술협회

6. 수소 존재 상태와 수소 취성

• Zairyo-to-Kankyo Vol.60(2011), No.5 pp.230-235
• 타카이 켄이치
• 죠지대학 이공학부 기능창조 이공학과
• 사단법인 부식방식협회 (재료와 환경)

7. α철중의 전위와 결정립계의 수소 트랩 거동에 미치는 탄소와 변형의 영향

• 아베 나리 아키*1, 스즈키 케이지*2, 타카이 켄이치*2
• *1) 죠지대학 대학원
• *2) 정원, 죠지대학 이공학부
• 일본 기계 학회 M&M2011 컨퍼런스

2011：학회발표

1.Evaluation of Delayed Fracture Characteristics of High Strength Steels using CSRT
（CSRT법에 의한 고강도강의 지연파괴저항 평가기술）

• CAMP-ISIJ Vol.24(2012)-932
• ○ (원) 미야케 야스히토, 스즈키 케이지, 타카이 켄이치, 하기와라 코우진
• 죠지대학 이공학부
• 제162회 추계강연대회(사)일본철강협회

2.Effect of hydrogen-induced lattice defects on ductility loss of high-strength low-alloy steel
(고강도 저합금강의 연성 저하에 미치는 수소 유도 격자 결함의 영향)

• CAMP-ISIJ Vol.24(2012)-928
• ○(원) 나카모토 토모유키*1, 스즈키 케이지*1, 다카이 켄이치*1, 하기와라 코우진*1, 타카자와 타카이치*2
• *1) 죠지대학 이공학부, *2) 주식회사 일본제강소 무로란 연구소
• 제162회 추계강연대회(사)일본철강협회

3.Numerical Estimation of Applicability of Choo and Lee’s Method for Evaluating Detrapping Activation Energy
(데트랩 활성화 에너지 산출을 위한 Choo-Lee 방법의 적용성에 관한 수치 해석 평가)

• CAMP-ISIJ Vol.24(2011)-924
• ○ 에비하라 켄이치*1, 가부키 히데오*1, 타카이 켄이치*2
• *1)독립행정법인 일본원자력 연구개발기구, *2)죠지대학 이공학부
• 제162회 추계강연대회(사)일본철강협회

4.Comparison of hydrogen embrittlement susceptibility for pure titanium including different existing states of hydrogen
(수소 존재 상태가 다른 순티탄의 수소 취화 감수성 비교)

• CAMP-ISIJ Vol.24(2011)-937
• ○(원) 후쿠시마 히로토, 스즈키 케이지, 하기와라 코우진, 타카이 켄이치
• 죠지대학 이공학부
• 제162회 추계강연대회(사)일본철강협회

2010: 논문, 잡지, 책

1.Existing states of hydrogen in steels including various structural factors - experimental approach -
(각종 조직 인자를 포함한 강중 수소의 존재 상태 해석에 관한 실험적 연구)

• 다카이 켄이치*1, 스즈키 게이시*1
• *1 죠지대학 이공학부
• 2010년 제1회 철강 재료의 혁신적 고강도·고기능화 기판 연구개발 프로젝트 심포지엄 강연 예고집

2.Desorption kinetics of GeO from GeO₂/Ge structure

• Sheng Kai Wang*1, Koji Kita*1*2, Choong Hyun Lee*1, Toshiyuki Tabata*1*2, Tomonori Nishimura*1*2, Kosuke Nagashio*1*2, and Akira Toriumi*1*2
• *1)Department of Materials Engineering, The University of Tokyo, *2)CREST, Japan Science and Technology Agency (JST)
• J. Appl. Phys. 108(5), 054104(2010)

3.The Effect of O-Functionalities for the Electrochemical Reduction of Oxygen on MWCNTs in Acid Media

• Kenji Matsubara and Keiko Waki
• Department of Energy Sciences, Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
• Electrochem. Solid-State Lett., Volume 13, Issue 8, pp. F7-F9 (2010)

4.Effect of Deposition Time on Film Thickness and Their Properties for Hydrothermally-Grown Epitaxial KNbO₃ Thick Film

• M. Ishikawa*1, H. Einishi*1, M. Nakajima*1, T. Hasegawa*1, T. Morita*2, Y. Saijo*3, M. Kurosawa*1, H. Funakubo*1
• *1)Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, *2)Graduate School of Frontier Science, The University of Tokyo, *3)Graduate School of Biomedical Engineering, Tohoku University,
• Japanese Jounal of Applied Physics 49, 2010, 07HF01

5.Field-induced water electrolysis switches an oxide semiconductor from an insulator to a metal

• Hiromichi Ohta*1, Yukio Sato*2, Takeharu Kato*2, SungWng Kim*3, Kenji Nomura*3, Yuichi Ikuhara*2*4, & Hideo Hosono*3
• *1)Graduate School of Engineering, Nagoya University, & PRESTO, Japan Science and Technology Agency *2)Nanostructures Research Laboratory, Japan Fine Ceramics Center *3)Frontier Research Center, Tokyo Institute of Technology *4)Institute of Engineering Innovation, The University of Tokyo
• Nature Communications Volume:1,Article number:118, Published16 November 2010

 

6.Impact of Ge nitride interfacial layers on performance of Metal Gate/High-k Ge-nMISFETs

• Tatsuro Maeda*1, Yukinori Morita*1, Shinichi Takagi*2
• *1)NIRC-AIST *2)University of Tokyo
• 2010 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers.

7. 고분자 분석입문

• 니시오카 도시가츠  편
• 354-359 페이지  『13장　승온이탈질량분석법』
• 2010년 4월 17일 　ISBN：978-06-154360-7.
  

2010：학회발표

1.Hydrogen desorption spectra from various trapping sites using thermal desorption spectrometry detected from low-temperature
(저온 승온이탈법에 의한 각종 트랩 사이트로부터의 수소이탈 스펙트럼 해석)

• (학) 사토 유타 * 1, (원) 후지타 케이 * 1, 스즈키 케이지 * 1, 타카이 켄이치 * 1, 하기와라 코우진 * 1, 이시카와 노부유키 * 2
• 철강재료의 혁신적 고강도·고기능화 기반 연구개발연구체(JRCM：(재)금속계재료연구개발센터) *1 죠지대학 이공학부
• 2010년 춘계철강협회학회대회 요지(수소취화) CAMP-ISIJ Vol.22(2010)-599

2009：논문, 잡지, 책

1.Existing states of hydrogen in steels including various structural factors - experimental approach -
（각종 조직인자를 포함한 강중 수소의 존재상태해석에 관한 실험적연구）

• 다카이 켄이치*1, 스즈키 게이시*1
• *1 죠지대학 이공학부
• 22009년 제1회 철강재료의 혁신적 고강도·고기능화 기판 연구개발 프로젝트 심포지엄 강연 예고집

2.Detection of hydrogen in neutron-irradiated nickel using positron lifetime spectroscopy

• C.He*1,T.Yoshiie*1,Q.Xu*1,K.Sato*1,S.Peneva*2,T.D.Troev*2
• *1 Research Reactor Institute,Kyoto University *2 Institute for Nuclear Research and Nuclear Energy
• Philosophia Magazine(Eng.), Vol89, No.14, 11 May 2009, 1183-1195

3.Suppression of Cu Oxidation Using Environmentally Friendly Inhibitors under Conditions of High Temperature and High Humidity for Cu/Low-k

• Makoto Hara, Daisuke Watanabe, Chiharu Kimura, Hidemitsu Aoki, and Takashi Sugino
• *Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Osaka University
• Jpn. J. Appl. Phys. 48 (2009) 04C016 (4 pages)

4.Reaction Mechanism of SOFC Anode with Proton Conductor BCY
（ 프로톤전도체 BCY첨가SOFC연료극의 반응기구）

• *Kohei Masuda, Katsunori Hanamura
• Research Center for Carbon Recycling and Energy, Tokyo Institute of Technology
• 第18回SOFC研究発表会講演要旨集(159C)

5.High-Quality SiO₂ Film Formation below 400℃ by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Using Tetraethoxysilane Source Gas

• Hirokazu Ueda, Yusuke Ohsawa, Yoshinobu Tanaka, Toshihisa Nozawa
• Tokyo Electron Technology Development Lnstitute Inc.
• Japanese Journal of Applied Physics 48(2009)

6.Improvement of Dielectric Properties on Deposited Sio2 Caused by Stress Relaxation with Thermal Annealing

• Mitsuru Sometani*1, Ryu Hasunuma*1*2, Masaaki Ogino*3, Hitoshi Kuribayashi*3, Yoshiyuki Sugahara*3, Kikuo Yamabe*1*2
• *1)Institute of Applied Physics, University of Tsukuba
• *2)Tsukuba Research Center for Interdisciplinay Materials Science(TIMS), University of Tsukuba
• *3)Semiconductor Process R&D Sectioin, Semiconductor Process R&D Department, Electron Device Laboratory, Fuji Electric Device Technology Co.,Ltd.,
• Japanese Journal of Applied Physics 48(2009)

7.Study on thermal stability of Li1-x(NiaMnbCoc)O2
（Ni-Mn-Co 3원계 정극재료의 열안정성 검토）

• 코니시 히로아키, 유아사 토요 타카, 요시카와 마사노리, 히라노 타츠미, 테라다 쇼헤이, 다카마쓰 대교,
• 히타치 제작소 히타치 연구소
• 제50회 전지 토론회 (Nov.30-Dec.2, 2009)

8.Nature of doped a-Si: H/ c-Si interface recombination

• Stefaan De Wolf*1, Michio Kondo*2
• *1)Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), Photovoltaics and Thin Film Electronics Laboratory, *2)National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)
• JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 105, 103707 (2009)

9.Porous Carbon Obtained by Carbonization of PET Mixed with Basic Magnesium Carbonate: Pore Structure and Pore Creation Mechanism

• Jacek Przepiorski*1, Justyna Karolczyk*1, Kazuhiro Takeda*2, Tomoki Tsumura*2, Masahiro Toyoda*2 and Antoni W. Morawski*1
• *1)Institute of Chemical and Environmental Engineering, West Pomeranian University of Technology,　*2)Faculty of Engineering, Oita University
• Ind. Eng. Chem. Res., 2009, 48 (15), pp 7110-7116

2009：학회발표

1.Hydrogen Desorption Spectra using Thermal Desorption Spectrometer Detected from Low-Temperature
（ 저온 승온이탈 분석장치를 이용한 수소방출 스펙트럼）

• (학) 사토 유타 * 1, (원) 후지타 케이 * 1, 스즈키 케이지 * 1, 타카이 켄이치 * 1, 하기와라 행인 * 1, 이시카와 노부유키 * 2
• 철강재료의 혁신적 고강도·고기능화 기반 연구개발연구체(JRCM：(재)금속계재료연구개발센터) *1 죠지대학 이공학부
• 2009년 춘계철강협회학회대회 요지(수소취화) CAMP-ISIJ Vol.22(2009)-599

2008：논문,잡지, 책

1.LaAlO₃ gate dielectric with ultrathin equivalent oxide thickness and ultralow leakage current directly deposited on Si substrate

• Masamichi Suzuki, Takeshi Yamaguchi, Noburu Fukushima, Masato Koyama
• Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
• J. Appl. Phys. 103, 034118 (2008); DOI:10.1063/1.2838470 Published 15 February 2008

2.Plasma damage mechanisms for low-k porous SiOCH films due to radiation, radicals, and ions in the plasma etching process

• Saburo Uchida*1, Seigo Takashima*1, Masaru Hori*1, Masanaga Fukasawa*1, Keiji Ohshima*2, Kazunori Nagahata*2, Tetsuya Tatsumi*2
• *1Department of Electrical Engineering and Computer Science, Graduate School of Engineering, Nagoya University,
• 2Process Technology Department, Semiconductor Technology Development Division, Semiconductor Business Group, Sony Corporation
• J. Appl. Phys. 103, 073303 (2008); DOI:10.1063/1.2891787 Published 7 April 2008

3.Thermal Stability of HfO2 Films Fabricated by Metal Organic Chemical Vapor Deposition

• Yoshitaka Nagasato, Yoshitaka Iwazaki, Masahiko Hasumi, Tomo Ueno, Koichi Kuroiwa
• Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokyo University of Agriculture and Technology
• Japanese Journal of Applied Physics Vol. 47, No. 1, 2008, pp. 31-34

4.Highly Reliable Cu Interconnect Using Low-Hydrogen Silicon Nitride Film Deposited at Low Temperature as Cu-Diffusion Barrier

• Tatsunori Murata, Kazushi Kono, Yoshikazu Tsunemine, Masahiko Fujisawa, Masazumi Matuura, Koyu Asai, Masayuki Kojima
• Process Technology Development Division, Renesas Technology Corporation
• Japanese Journal of Applied Physics Vol. 47, No. 4, 2008, pp. 2488-2491

5.Hydrogen Interaction with Single-Walled Carbon Nanotubes

• Kumiko Yoshihara, Kazuhiro Ishida, Winadda Wongwiriyapan, Satoshi Inoue, Yusuke Okabayashi,Shin-ichi Honda, Yoshihiro Nishimoto*1, Yuji Kuwahara1, Kenjiro Oura*2, and Mitsuhiro Katayama
• Division of Electrical, Electronic and Information Engineering, Graduate School of Engineering, Osaka University,
• *1Division of Precision Science and Technology and Applied Physics, Graduate School of Engineering, Osaka University, *2Research Center for Ultrahigh Voltage Electron Microscopy, Osaka University,
• Applied Physics Express 1 (2008) 094001, May 15, 2008; accepted July 26, 2008; published online August 22, 2008

6.Defect passivation and homogenization of amorphous oxide thin-film transistor by wet O₂ annealing

• Kenji Nomura*1, Toshio Kamiya*1*2, Hiromichi Ohta*1, Masahiro Hirano*1*3, Hideo Hosono*1*2*3,
• *1)ERATO-SORST, JST, in Frontier Research Center, Mail Box S2-13, Tokyo Institute of Technology, *2)Materials and Structures Laboratory, Mail Box R3-1, Tokyo Institute of Technology, *3)Frontier Research Center, Mail Box S2-13, Tokyo Institute of Technology,
• APPLIED PHYSICS LETTERS 93, 192107 2008

7.Hydrogen desorption effect on cathodoluminescence of ZnO

• B.Dierre*1*2, X.L. Yuan*1, T. Ishigaki*3, K. Ueda*4 and T. Sekiguchi*1*2
• *1)Advanced Electronic Materials Center, National Institute for Materials Science (NIMS), *2)Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, *3)Nano Ceramics Center, National Institute for Materials Science (NIMS), *4)Nano High-Tech Research Center, Graduate School of Engineering, Toyota Technological Institute
• Superlattices and Microstructures, Volume 45, Issue 4-5, p. 321-325(2008)

8.Approach for detecting localization of inkjet ink components using dynamic-SIMS analysis

• Masaya Shibatani*1*2, Tsutomu Asakawa*3, Toshiharu Enomae*1, Akira Isogai*1
• *1)Paper Science Laboratory,Graduate School of Agricultural and Life Sciences,The University of Tokyo, *2)IJ Industrial Applications R&D Department,Production Engineering &Development Div.,Seiko Epson Corporation,
• *3)Material Analysis &Research Center,R&D Department,Seiko Epson Corporation,Japan
• Colloids and Surfaces A:Physicochem.Eng.Aspects 326 (2008)61 ‐66

9.In-Line Wafer Level Hermetic Packages for MEMS Variable Capacitor

• Susumu Obata*1, Michinobu Inoue*1, Takeshi Miyagi*1, Ikuo Mori*1,Yoshiaki
• Sugizaki*2,Yoshiaki Shimooka*2, Akihiro Kojima*2, Mitsuyoshi Endo*2, Hideki Shibata*2
• *1)Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation.
• *2) Center for Semiconductor Research and Development, Semiconductor Company, Toshiba Corporation
• 2008 Electronic Components and Technology Conference (P.163)

2008：학회발표

1.Hydrogen Desorption Spectra using Thermal Desorption Spectrometer Detected from Low-Temperature
（ 저온 승온이탈 분석장치를 이용한 수소방출 스펙트럼）

• 사토 유타*1, 후지타 케이*1, 스즈키 케이지*1, 다카이 켄이치*1, 하기와라 행인*1, 마에시마 쿠니코*2, 미야바시 노부라*2
• 철강재료의 혁신적 고강도·고기능화 기반 연구개발연구체(JRCM:(재)금속계 재료연구개발센터)
• *1 죠지대학 이공학부*2 전자과학 주식회사
• 2008년 추계철강협회 학회대회 요지(수소취화) CAMP-ISIJ Vol.21(2008)-1375

2.Hydrogen evolution spectra of pure iron including various lattice defects　using low-thermal desorption spectrometry
（ 저온 승온이탈분석법에 의한 각종격자결함을 가진 순철의 수소방출 스펙트럼）

• 후지타 케이*1, 사토 유타*1, 스즈키 케이지*1, 타카이 켄이치*1, 하기와라 행인*1,
• 철강재료의 혁신적 고강도·고기능화 기반 연구개발연구체(JRCM:(재)금속계 재료연구개발센터)
• *1 죠지대학 이공학부*2 전자과학 주식회사
• 2008년 추계철강협회 학회대회 요지(수소취화) CAMP-ISIJ Vol.21(2008)-1375

3.Understanding of Passivation Mechanism in Heterojunction c-Si Solar Cells

• Michio Kondo*1, Stefaan De Wolf*1*2, and Hiroyuki Fujiwara*1
• *1)RCPV, AIST, Umezono, Tsukuba, 305-8568, Japan, *2)Institute of Microtechnique, University of Neuchatel
• Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.1066, 2008 Materials Research Society, 1066-A03-01

2007：논문, 잡지, 책

1.Internal structure transition of spin-on glass by electron beam irradiation

• Makoto Araki*1, Jun Taniguchi*2, Nobuo Sawada*3, Takayuki Utsumi*1, Iwao Miyamoto*2
• *1 Department of Electronics and Computer Science,Tokyo University of Science, *2 Department of Applied Electronics,Tokyo University of Science, *3 ESCO Ltd.
• Applied Surface Science,253,5191-5195(2007)

2. 티타늄의 캐릭터와 생체내 지연 파괴

• 아사오카 겐조
• 도쿠시마 대학 대학원 헬스 바이오 사이언스 연구부 생체 재료 공학 분야
• 치과 재료 및 계기, 26,334(2007)

3.Influence of Thermal Annealing on Microstructures of Zinc Oxide Films Deposited by RF Magnetron Sputtering

• Takahiro HIRAMATSU*1*3, Mamoru FURUTA*2*3, Hiroshi FURUTA*2*3,Tokiyoshi MATSUDA*2*3, and Takashi HIRAO*2*3
• *1 Kochi Casio Co., Ltd., Nankoku, Kochi 783-0062, Japan *2 Research Institute, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan *3 Kochi Industrial Promotion Center, Kami, Kochi 782-8502, Japan
• Japanese Journal of Applied Physics Vol. 46, No. 6A, 2007, pp. 3319?3323

4.Diffusion properties of point defects in barium strontium titanate thin films.

• Morito K*1, Suzuki T*1, Kishi H, Sakaguchi I*2, Ohashi N*2*3, Haneda H*2*3
• *1)Taiyo Yuden Company Ltd.,*2)Nat. Inst. for Mater. Sci.,*3)Department of Applied Science for Electronics and Materials, Kyusyu University
• IEEE Trans Ultrason Ferroelectrorics Freq Control. 2007 Dec;54(12):2567-73.

5.Chlorinated Nanocrystalline TiO2 Powders via One-Step Ar/O2 Radio Frequency Thermal Plasma Oxidizing Mists of TiCl3 Solution: Phase Structure and Photocatalytic Performance

• Ji-Guang Li, Masashi Ikeda, Chengchun Tang, Yusuke Moriyoshi, Hiromi Hamanaka, and Takamasa Ishigaki
• *1)Nano Ceramics Center, National Institute for Materials Science, *2)Department of Materials Science, Hosei University, *3)Nanoscale Materials Center, National Institute for Materials Science
• J. Phys. Chem. C, 2007, 111 (49), pp 18018-18024

6.Internal structure transition of spin-on glass by electron beam irradiation.

• Makoto Araki*1, Jun Taniguchi*2, Nobuo Sawada*3, Takayuki Utsumi*1 and Iwao Miyamoto*2
• *1)Department of Electronics and Computer Science, Tokyo University of Science, *2)Department of Applied Electronics, Tokyo University of Science, *3)ESCO Ltd.
• Applied Surface Science, 253(12), pp.5191-5195(2007)

7.Metal induced hydrogen effusion from amorphous silicon

• Hiromasa Ohmi*1, Kiyoshi Yasutake*1, Yoshinori Hamaoka*2, and Hiroaki Kakiuchi*2
• *1)Department of Precision Science and Technology and Research Center for Ultra Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University *2)Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University
• Appl. Phys. Lett. 91, 241901 (2007)

2007：학회발표

 

 1. 승온이탈법에 의한 중강 알루미늄 합금 중의 수소의 해석
（Assessment of the hydrogen in some medium-strength aluminum alloys）

• 伊토 고로(G.Itoh)*1, 스즈키 토모야(T.Suzuki)*1, 이즈미 타카히로(T.Izumi)*1, 이토 신에이(N.Itoh)*1, 최지(Q.Cui)* 2, 호리카와 슈헤이(S.Horikawa)*3, 이나미 타카오(T.Inami)*4
• * 1 이바라키 대학 (Ibaraki University), * 2 미쓰비시 알루미늄 (주) (Mitsubishi Aluminum Company, Ltd.), * 3 전자 과학 (주) (ESCO, Ltd.), * 4 (사) 일본 알루미늄 협회 (Japan Aluminium Association)
• (사) 경금속 학회 주최 제112회 춘기 강연 대회(The 112th Conference of Japan Institute of Light Metals by The Japan Institute of Light Metals)

2. 승온이탈법에 의한 순알루미늄 중의 수소의 트랩 상태의 조사
（Thermal desorption spectroscopy study on the hydrogen trapping states in a pure aluminum.）

• 이토 고로(G.Itoh)*1, 이즈미 타카히로(T.Izumi)*1, 호리카와 슈헤이(S.Horikawa)*2
• * 1 이바라키 대학 (Ibaraki University), * 2 전자 과학 (주) (ESCO, Ltd.)
• (사) 경금속 학회 주최 제113회 가을 강연 대회(The 113th Conference of Japan Institute of Light Metals by The Japan Institute of Light Metals)

3.Influence of Hydrogen Permeability of Liner Nitride Film on Program/Erase Endurance of Split-Gate Type Flash EEPROMS

• Ziyuan Liu*1, Shinji Fujieda*2, Fumihiko Hayashi*3, Masakuni Shimizu*3, Masashi Nakata*3,Hirokazu Ishigaki*3,Markus Wilde*4, and Katsuyuki Fukutan*4
• *1Test and Analysis Engineering Division, NEC Electronics Croporation, *2 System Devices Research Laboratories, NEC Corporation, *3 2nd Microcomputer Division, NEC Electronics Croporation, *4Institute of Industrial Science, University of Tokyo
• 2007 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM:3A.6_190-196

4.6061알미늄합금에서 수소의 존재상태에 미치는 소성가공의 영향
（Effect of plastic deformation on the states of hydrogen in a 6061 alminum alloy）

• 이토 고로(G.Itoh)*1, 스즈키 토모야(T.Suzuki)*1, 이즈미 타카히로(T.Izumi)*1, 이토 노부히데(N.Itoh)*1, 야스다 가타(H.Yabuta)* 2
• *1 이바라키 대학(Ibaraki University), *2 (사) 일본 알루미늄 협회(Japan Aluminium Association)
• (사) 경금속 학회 주최 제113회 가을 강연 대회(The 113th Conference of Japan Institute of Light Metals by The Japan Institute of Light Metals)

5.Damage-free Etching Processes of Low Dielectric (Low-k) Films Using the Neutral Beam

• 사가와 세이지(Seiji Samukawa)*1, 진나이 부작(Butsurin Jinnai)*1
• *1 도호쿠 대학 유체 과학 연구소
• Materials Research Society 2007 SPRING MEETING

6.Hydrogen Degradation Property of Electrochemically Charged Aluminum.

• Hiroshi Suzuki, Daisuke Kobayashi, Kenichi Takai and Yukito Hagihara
• 죠지대학 이공학부 기능창조이공학과

• Materials Research Society 2007 FALL MEETING

2006：논문, 잡지, 책

1.P-type activation of AlGaN by hydrogen desorption using catalytic Ni films

• T.Naono*1，H.Fujioka*2，J.Okabayashi*3，M.Oshima*3，H.miki*4
• *1)Department of Applied Chemistry,The University of Tokyo, *2)Institute of Industrial Science,The University of Tokyo and Kanagawa Academy of Science and Technology, *3)Department of Applied Chemistry,The University of Tokyo, *4)Showa Denko KK
• APPLIED PHYSICS LETTERS,88（15）,152114(2006)

2.Modeling Thermal Desorption Analysis of Hydrogen in Steel

• M.Enomoto*1, D.Hirakami*2, T.Tarui*2
• *1 Department of Materials Science and Engineering, Ibaraki University, Hitachi 316-8511 Japan *2 Stell Research Laboratories, Nippon Steel Corporation, Chiba 293-8511 Japan
• ISIJ International, Vol46(2006),No.9pp.1381-1387

3.Step-wise decomposition process of azobenzene self-assembled monolayers

• M. Onoue*1, M.R. Han*1, E. Ito*1 and M. Hara*1*2
• *1)Local Spatio-Temporal Functions Laboratory, Frontier Research System, RIKEN, *2)Interdisciplinary School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
• Surface Science, 600(18), pp.3999-4003(2006)

4.Urea Coordinated Titanium Trichloride TiIII[OC(NH)2]6Cl3: A Single Molecular Precursor Yielding Highly Visible Light Responsive TiO2 Nanocrystallites

• Ji-Guang Li, Xiaojing Yang, and Takamasa Ishigaki
• *1)National Institute for Materials Science, Nano Ceramics Center, *2)National Institute for Materials Science, Advanced Materials Laboratory, *3)College of Chemistry, P.O. Box S-46, Beijing Normal University
• J. Phys. Chem. B, 2006, 110 (30), pp 14611-14618

5.Thermal-desorption induced enhancement and patterning of ultraviolet emission in chemically grown ZnO

• Rongguo Xie*1*2, Dongsheng Li*1, Deren Yang*1*4, Takashi Sekiguchi*2 and Minhua Jiang*1*3
• *1)State Key Laboratory of Silicon Materials, Zhejiang University, Hangzhou 310027, People’s Republic of China, *2)Nanomaterials Laboratory, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0047, Japan, *3)State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, People’s Republic of China ,*4)Author to whom any correspondence should be addressed
• Nanotechnology 17(2006)2789-2793

6.Temperature programmed desorption of F-doped SnO2 films deposited by inverted pyrosol technique

• S. Aukkaravittayapun*1, C. Thanachayanont*1, T. Theapsiri*2, W. Veerasai*2, Y. Sawada*3, T. Kondo*3, S. Tokiwa*4 and T. Nishide*4
• *1)National Metal and Materials Technology Center (MTEC), *2)Department of Chemistry, Faculty of Science, Mahidol University, *3)Department of Industrial Chemistry, Graduate School of Engineering, Tokyo Polytechnic University, *4)Department of Materials Chemistry and Engineering, College of Nihon University
• Journal of Thermal Analysis and Calorimetry, Vol. 85 (2006) 3, 811-815

7.Pure germanium nitride formation by atomic nitrogen radicals for application to Ge metal-insulator-semiconductor structures

• Tatsuro Maeda*1, Tetsuji Yasuda*1, Masayasu Nishizawa*1, Noriyuki Miyata*1, Yukinori Morita*1, Shinichi Takagi*1*2
• *1)MIRAI Project, ASRC-AIST, *2)The University of Tokyo
• JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 100,014101 (2006)

8.Solution-processed silicon films and transistors

• Tatsuya Shimoda*1, Yasuo Matsuki*2, Masahiro Furusawa*1, Takashi Aoki*1, Ichio Yudasaka*1, Hideki Tanaka*1, Haruo Iwasawa*2, Daohai Wang*2, Masami Miyasaka*1, Yasumasa Takeuchi*2
• *1)Technology Platform Research Center, Seiko Epson Corporation, *2)Fine Electronic Research Laboratories, JSR Corporation
• Nature LETTERS, Vol.440, 6 April 2006, doi;10.1038/nature04613

2006：학회발표

1. 순티탄 중의 고용 수소와 수소화물의 상태 분리와 취화·회복 거동

• 키리 노조미, 야마다 히로키, 스즈키 케이지, 타카이 켄이치, 하기와라 코우진
• 죠지대학 이공학부 기능 창조 이공학과
• 제138회 일본 금속 학회 강연 개요(2006 봄)：J1

2.Au (111)상의 티오펜 티올 자기 조직화 단분자막의 흡착 상태

• 이토 에이스케*1, Jaegeun Noh*2, 하라 마사히코*1,*3
• *1 (독) 이화학연구소 국소시공간, *2 한양대화학, *3 도코우대학 공대 종합이공
• 제53회 응용 물리학 관계 연합 강연회(2006 봄)：24p-N-8

3. 수분에 의한 질화붕소탄소(BCN) 박막의 특성변화

• 시마 히데카즈, 기무라 치하루, 아오키 히데미츠, 스기노 타카시
• 오사카 대학 대학원 공학 연구과
• 제53회 응용 물리학 관계 연합 강연회(2006 봄)：24a-Q-9

4.Effect of Surface Oxide Films on Degradation of Titanium

• 사오카 겐조*1, 마에시마 구니코*2
• *1 도쿠시마 대학 대학원 헬스 바이오사이언스 연구부, *2 전자과학(주)
• THERMEC'2006 International Conference on PROCESSING & MANUFACTURING OF ADVANCED MATERIALS：SESSION E5: TITANIUM ALLOYS & AEROSPACE STRUCTURAL METALLIC MATERIALS

5.Surface Passivation Properties of Stacked Doped PECVD a-Si:H Layers for Hetero-Structure c-Si Solar Cells.

• Stefaan De Wolf Michio Kondo
• Res. Center for Photovoltaics, Nat. Inst. of Adv. Ind. Sci. & Technol.
• 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, pp.1469-1472(2006)

2005：논문, 잡지, 책

1. 산소 분위기 하에서 수산 아파타이트의 소성

• 이시카와 츠요시
• 펜탁스 (주) 뉴 세라믹스 사업부 개발부
• J. Ceram. Soc. Japan, 113,788(2005)

2. 승온이탈 분석에 의한 티타늄의 침식에 대한 산화막의 작용 평가

• 아사오카 겐조*1, 마에시마 구니코*2
• *1 도쿠시마 대학 대학원 헬스 바이오 사이언스 연구부 생체 재료 공학 분야, *2 전자 과학 주식회사
• 치과 재료 및 계기, 24,439(2005)

3.Temperature Dependence of Porogen Desorption from Low-k Porous Silica Filmes Incorporated with Ethylene Groups

• Yasutaka UCHIDA, Yoshiyuki MARUYAMA, Tomohiro KATOH, Yoshito ITO and Koichi ISHIDA
• Department of Media Science, Faculty of Science and Technology, Teikyo University of Science and Technology
• Jpn. J. Appl. Phys., 44,2316(2005)

4. 에틸렌 기 함유 다공성 실리카 막의 HOLE 평가

• 우치다 쿄케이*1, 오히라 슌유*2, 스즈키 료이치*2, 마루야마 키유키*1, 카토 토모히로*1, 이시다 히로이치*1
• *1 테이쿄 과학대학 이공학부, *2 산업기술종합연구소 계측 프론티어 연구부문
• 신학 기보 TECHNICAL REPORT OF IEICE.SDM2004-238.17(2007)

5.Interstitial oxygen molecules in amorphous SiO₂. I. Quantitative concentration analysis by thermal desorption, infrared photoluminescence, and vacuum-ultraviolet optical absorption

• Koichi Kajihara*1, Masahiro Hirano*1, Motoko Uramoto*2, Yukihiro Morimoto*2, Linards Skuja*3, Hideo Hosono*4
• *1 Tokyo Institute of Technology, *2Research and Development Center, Ushio Inc., *3Institute of Solid State Physics, University of Latvia *4Materials and Structures Laboratory and Frontier Collaborative Research Center
• J. Appl. Phys. 98, 013527 (2005); DOI:10.1063/1.1943504 Published 11 July 2005

2005：학회발표

1. TDS를 이용한 SOG의 전자빔 노광 메커니즘의 분석

• 아라키 마코토*1, 타니구치 준*2, 미야모토 이와오*2, 사와다 노부오*3
• *1 도쿄이과대학 기초공학연구과 전자응용공학전공, *2 도쿄이과대학 기초공학부 전자응용공학과, *3전자과학(주)
• 2005년도 정밀공학회 춘계대회

2. 티탄 산화막과 수소의 승온이탈 거동

• 아사오카 겐조*1, 마에시마 구니코*2
• *1 도쿠시마대·생체재료, *2 전자과학(주)
• 제27회 일본 바이오머티리얼 학회 대회(2005)：B-405

3. 아조벤젠기를 갖는 디티올 분자 SAM의 TDS 및 XPS에 의한 열 안정성 평가

• 오가미 미키*1, Mina Han*1, 이토 에이스케*1, 하라마사히코*1,*2
• *1 이연 국소 시공간 기능, *2 도코우대 종합이공
• 제52회 응용 물리학 관계 연합 강연회(2005)：29p-YB-9

4. 티탄의 침식과 산화 피막의 작용

• 아사오카 겐조*1, 마에시마 쿠니코*2, 세자키 히데타카*3
• *1 도쿠시마대·생체재료, *2 전자과학(주), *3 도쿠시마대·공·기계
• 제45회 일본치과이공학회 학술강연회(2005)：A-13
• 치과 재료 및 계기, 24(2),79(2005)에 게재

5. 에틸렌 기 함유 다공성 실리카 막의 HOLE 평가

• 우치다 쿄케이*1, 오히라 슌유*2, 스즈키 료이치*2, 마루야마 키유키*1, 카토 토모히로*1, 이시다 히로이치*1
• *1 테이쿄 과학대학 이공학부, *2 산업기술종합연구소 계측 프론티어 연구부문
• 응용 물리 학회 실리콘 기술 분과회 요약, 16 (2005)

6.Application of Gold-Tin Solder Paste for Fine Parts and Devices

• Masayuki Ishikawa, Hayato Sasaki, *Satoko Ogawa, Masayoshi Kohinata, Akifumi Mishima, Hideaki Yoshida
• Development Section, Sanda Plant, Advanced Products Strategic Company, Mitsubishi Materials Corporation
• 2005 Electronic Components and Technology Conference, 701

2004：논문, 잡지, 책

1.Evolution of water vapor from indium-tin-oxide transparent conducting films fabricated by dip coating process

• Y. Sawada*1, S. Seki*1, M. Sano*2, N. Miyabayashi*2, K. Ninomiya*3, A. Iwasawa*3, T. Tsugoshi*4, R. Ozao*5 and Y. Nishimoto*6
• *1)Tokyo Polytechnic University, *2)ESCO Co. Ltd., *3)TOTO Ltd., *4)National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, *5)North Shore College of SONY Institute, *6)Kanagawa University
• Journal of Thermal Analysis and Calorimetry, Vol. 77 (2004) 751-757

2004：Society abstracts

1.Water sorbability of low-k dielectrics measured by thermal desorption spectroscopy

• Hiroshi Yanazawa, Takuya Fukuda, Yoko Uchida, Ichiro Katou
• Association of Super-Advanced Electronic Technologies
• Surface Science,566-568(2004)pp566-570

2.Reaction of Hydrogen-Desorbed Si(100) Surfaces with Water during Heating and Cooling

• Shinichi URABE, Kazuo NISHIMURA, Satoru MORITA and Mizuho MORITA
• Department of Precision Science and Technology, Graduate School of Engineering, Osaka University
• Jpn. J. Appl. Phys,43,8242(2004)

3.Analysis of firing process of titania gel films fabricated by sol-gel process

• Nishide Toshikazu*1, Yabe Takayuki*1, Miyabayashi Nobuyoshi*2, Sano Makiko*2
• 1 Department of Materials Chemistry and Engineering, College of Engineering, Nihon University, *2 ESCO Ltd.
• Thin Solid Films,467,43(2004)

4. 승온이탈 분석법에 있어서의 H2O의 패턴계수 결정법

• 토키와 사토코*1, 니시데리 이치*2, 하시메키 아키오*3, 미야바시 노부라*3
• *1 Institute of Applied Physics, University of Tsukuba
• *1 일본 대학 공학부 차세대 공학 기술 연구 센터, *2 일본 대학 공학부 물질화학공학과, *3 전자과학(주)
• J.Mass Spectrom.Soc.Jpn,52,45(2004)

 

2003：논문, 잡지, 책

1.Different Adsorption States between Thiophene and α-Bithiophene Thin Films Prepared by Self-Assembly Method

• Eisuke ITO, Jaegeun NOH and Masahiko HARA
• Local Spatio-Temporal Functions Laboratory, Frontier Research Systems, RIKEN
• Jpn.J.Appl.Phys.,42,852(2003)

2.Characteristics of Bottom Gate Thin Film Transistors with Silicon rich poly-Si1-xGex and poly-Si fabricated by Reactive Thermal Chemical Vapor Deposition

• Kousaku Shimizu,JianJun Zhang,Jeong-Woo Lee and Jun-ichi Hanna
• Imaging Science and Engineering Laboratory,Tokyo Institute of Technology 4259 Nagatsuta Midoriku Yokohama 226-8503 Japan
• Materials Research Society Symposium Proceedings,Vol.762,pp.253-258(2003)

3.Quantitative Evaluation of the Photoinduced Hydrophilic Conversion Properties of TiO₂ Thin Film Surfaces by the Reciprocal of Contact Angle

• Nobuyuki Sakai, Akira Fujishima, Toshiya Watanabe, and Kazuhito Hashimoto
• *1)Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo
• *2)Department of Applied Chemistry, School of Engineering, The University of Tokyo
• J. Phys. Chem. B, 2003, 107(4), pp.1028-1035

2003：Society abstracts

 

1.Water sorbability of Low-k dielectrics measured by Thermal Desorption Spectroscopy

• Hiroshi Yanazawa, Takuya fukuda, Yoko Uchida and Ichiro Katou
• Asociation of Super-Advanced Electronic Technologies (ASET)
• Euorpian Cenference on Surface Science (ECOSS22), Abstract ID:17017(2003)

2.Surface fluorination of MgO protective film to reduce chemical reactivity with H2O and CO2

• Hideaki Sakurai, Ginjiro Toyoguchi, Yoshirou Kuromitsu
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Society for Information Display (SID) 03 DIGEST, 23.3(2003)

3. 유기 EL / Si의 발행 층에 미치는 전자 주입 층의 영향

• 미토미 유타카, 다카하시 히데아키, 이와사키 호타카, 렌미 마사히코, 우에노 토모오, 쿠로이와 코이치, 미야바시 연량*
• 도쿄 농공대학, *전자과학(주)
• 제64회 응용 물리학회 학술 강연회(2003가을)：31p-YL-11

4. H2O 애싱을 이용한 CVD-SiOC막에의 애싱 데미지 저감

• 야마나카 쓰나리, 유아사히로, 오오츠카 슌히로, 사카모리 시게노리*
• 마쓰시타 전기 산업 주식회사 반도체사 프로세스 개발 센터, *(주)르네사스 테크놀로지 생산 기술 본부 웨이퍼 프로세스 기술 통괄부
• 제64회 응용 물리학회 학술강연회(2003가을): 31a-ZK-8, p.669

5. 질소 플라즈마 처리에 의한 층간 절연막의 흡착수의 방지

• 오츠카 토시히로, 히사토 지혜, 이마니시 사다유키
• 마쓰시타 전기 산업 주식회사 반도체사 프로세스 개발 센터
• 제64회 응용 물리학회 학술강연회(2003가을): 2p-YC-1, p.706

6.Material Properties and Process Compatibility of Spin-on Nano-foamed Polybenzoxazole for Copper Damascene Process

• Takashi Enoki, Kenzo Maejima, Hidenori Saito, Akifumi Katsumura
• Fundamental Research Laboratory, Research Department, Sumitomo Bakelite Co., Ltd.
• Mater. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.740, 2003 Materials Research Society, I12.9.1

2002：논문, 잡지, 책

1.Force Driving Cu Diffusion into Interlayer Dielectrics

• Takuya Fukuda, Hirotaka Nishino, Azuma Matsuura and Nironori Matsunaga
• Association of Super-Advanced Electronics Technolugies
• Jpn.J.Appl.Phys.,41,537(2002)

2.Formation of Ammonium Salts and Their Effects on Controlling Pattern Geometry in the Reactive Ion Etching Process for Fabricating Aluminium Wiring and Polysilicon Gate

• Shuichi Saito*1*2, Kazuyuki Sugita*1, Jyunichi Tonotani*2 and Masashi Yamage*2
• *1 Graduate School of Science and Technology, Chiba University, *2 Corporate Manufacturing Engineering Center, Toshiba Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,41,2220(2002)

3.Evolution of water vapor from indium-tin-oxide thin films fabricated by various deposition processes

• S.Seki*1, T.Aoyama*1, Y.Sawada*1, M.Ogawa*1, M.Sano*2, N.Miyabayashi*2, H.Yoshida*3, Y.Hoshi*1, M.Ide*4 and A.Shida*4
• *1 Graduate School of Engineering, Tokyo Institute of Polytechnics, *2 ESCO Ltd., *3 Geomatec Co., Ltd., *4 Yokohama City Center for Industrial Technology and Design
• J.Therm.Anal.Cal.,69,1021(2002)

4. 승온이탈법에 의한 투명 도전막의 평가

• 사와다 유타카, 세키나리유키, 아오야마 고시, 사노 마키코*, 미야바시 노부라*
• 도쿄 공예 대학, * 전자 과학
• 투명 도전막의 신개발·, 제15장, 175(시엠시 출판)

5. 중수소에 의한 극박 게이트 산화막의 고신뢰화 실증과 신뢰성 향상 기구의 해명

• 미타니 유이치로, 사타케 히데키
• (주) 도시바 연구 개발 센터
• 도시바 리뷰, 57(11),34(2002)

6. 청색 발광 BaAl2S4:Eu 박막의 열처리 과정 평가

• 나가노 신이치, 카와니시 코히로, 미우라토, 마츠모토 타카나가, 나카노 코타로
• 메이지 대학 이공학부 전자통신공학과
• 신학 기보 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,EID2001-90,49(2002)

7. 수소 가스를 이용한 티타늄 산화막의 승온이탈 정량동적 평가

• 야마우치 야스히로, 미즈노 요시유키**, 다나카 아키히로*, 혼마 요이치
• 치바 공업 대학, * 알박 파이 (주), ** 스탠포드 대학 스탠포드 선형 가속기 센터
• 진공,45(3),265(2002)

8. 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO의 탈가스 특성

• 우에다 야스히로, 구로카와 히로시
• 미쓰비시전기(주) 첨단기술종합연구소
• 진공,45(2),97(2002)

9. 표면 과학 - 화학 반응의 물리 -

• 무라타 호쇼
• 도쿄 대학 명예 교수
• 이와나미 강좌 물리 세계(이와나미 서점)

2002: 학회발표

1. 승온이탈법을 이용한 티타니아 겔막의 소성 공정의 해석

• 야베 타카유키, 니시 이데이치, * 미야바시 노부라, * 사노 마키코
• 닛다이코, * 전자 과학
• 2002년 일본 세라믹스 협회 연회 강연 예고집(2002년 3월)：2I21

2.18O를 포함하는 졸겔법에 의한 티타니아 겔막의 소성 공정

• 니시이데 이치, 야베 타카유키, * 미야바야시 노부라, * 사노 마키코
• 닛다이코, * 전자 과학
• 2002년 일본 세라믹스 협회 연회 강연 예고집(2002년 3월)：2I22

3. 동합금 중의 수소의 확산 거동에 미치는 석출상의 영향

• 토미타 히데아키, 쿠라모토 시게루*, 스가노 간히로**
• 도쿄대학원, *토요다 나카켄, **도교코우
• 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2002)；(1384)

4. 승온이탈 가스 분석을 이용한 박막 가스 센서의 연구

• 다카하시 슈, 하라와 유
• 도쿄 전기 대학
• 제63회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2002가을)：24p-K-2

5. TDS를 이용한 Alq3 분자 증착 과정의 평가～Alq3 정제의 효과

• 히라이 아츠시, 미토미 유타카, 이와사키 요시타카, 렌미 마사히코, 우에노 토모오, 쿠로이와 코이치, ＊사노 마키코, ＊미야바시 노부라
• 도쿄 농공대, ＊전자과학
• 제63회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2002가을)：26p-ZH-1

6.청색 발광 BaAl2S4：Eu EL 소자의 수정량 분석

• 나가노 신이치, 미우라토, 마츠모토 타카나가, 나카노 鐐太郎
• 메이지 대학 이공학부
• 제63회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2002가을)：26p-ZD-14

2001：논문, 잡지, 책

1.Influences of Residual Chlorine in CVD-TiN Gate Electrode on the Gate Oxide Reliability in Multiple-Thickness Oxide Technology

• Masaru Moriwaki, Takayuki Yamada
• ULSI Process Technology Development Center, Matsushita Electronics Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,40,2679(2001)

2.Recovery of useful hydrocarbons from oil palm waste using ZrO2 supporting FeOOH catalyst

• T.Masuda, Y.Kondo, M.Miwa, T.Shimotori, S.R.Mukai, K.Hashimoto, M.Takano*, S.Kawasaki*, S.Yoshida**
• Graduate School of Engineering, Kyoto University, Institute for Chemical Research, Kyoto University*, NGK Insulators LTD.**
• Chemical Engineering Science,56,897(2001)

3.Mechanism for low temperature activation of Mg-doped GaN with Ni catalysts

• (1)I.Waki, H.Fujioka, M.Oshima, (2)H.Miki, and M.Okuyama
• (1)Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo, (2)Chichibu Research Laboratory, Central Reserch Laboratory, Showa Denko KK
• J.Appl.Phys.,90(12),6500(2001)

4.Study on temperature calibration of a silicon substrate in a temperature programmed desorption analysis

• N.Hirashita, T.Jimbo, T.Matsunaga, M.Matsuura, M.Morita, I.Nishiyama. M.Nishizuka, H.Okumura, A.Shimazaki, and N.Yabumoto
• Working Group of Equipment, Ultraclean Standardization Committee, Ultraclean Society
• J.Vac.Sci.Technol.A,19,1255(2001)

2001：학회발표

1. 승온 탈착 분석을 이용한 재료 평가

• 미야바야시 노부라
• 전자 과학
• 2001년 가나가와현 산학 공교류 연구 발표회(2001.10.19)

2. 표면 분석 및 TDS

• 사노 마키코
• 전자 과학
• 제4회 실용 표면 분석 세미나(2001.11.9)

3. 졸겔법에 의한 티타니아 겔막의 승온이탈법을 이용한 소성 공정의 해석

• 야베 타카유키, 니시이데 이치, ＊미야바야시 노부라, ＊사노 마키코
• 일본대학 공학부, ＊전자과학
• 일본 세라믹스 협회 제14회 가을 심포지엄 강연 예고집:2B04

4. 가스 선택 흡착 특성을 가지는 무기·유기 하이브리드의 제작과 평가

• 야마다 노리코, 쿠보 유지, 카타야마 마고
• 신일본제철㈜첨단기술연구소
• 일본 세라믹스 협회 제14회 가을 심포지엄 강연 예고집:3B07

5.Environmental Embrittlement of Vitreous Silica Fibers

• Ken-ichi Takai, Takeshi Noda, Daisaku Yamada, Noriyuki Hisamori and Akira Nozue
• Department of Mechanical Engineering, Sophia University
• 일본재료학회 50주년국제 심포지움(2001.05)

6. Al2O3, ZrO2의 환경 취화와 물, 수소의 존재 상태 해석

• 노구치 카즈히코, 다카이 켄이치, 쿠모리 노리유키, 노스에쇼
• 죠지대학 이공학부
• 제 129 회 일본 금속 학회 가을 강연 대회, No.100.

7. 석영 유리 섬유의 환경 취화와 물, 수소의 존재 상태 해석

• 야마다 대책, 타카이 켄이치, 노스에키
• 죠지대학 이공학부
• 제 129 회 일본 금속 학회 추기 강연 대회, No.99.

8. 졸겔법에 의한 하프니아 박막의 승온이탈법에 의한 소성 과정의 검토

• 아다쓰 킨야, 니시 이데이치, * 미야바야시 노부라, * 사노 마키코
• 닛다이코, * 전자 과학
• 2001년 일본 세라믹스 협회 연회 강연 예고집(2001년 3월)：2K26

9.18O를 포함한 졸겔법에 의한 하프니아 박막의 소성 과정

• 니시데 리이치, 아다쓰 킨야, * 미야바야시 노부라, * 사노 마키코
• 일본 대학 공학부, * 전자 과학
• 2001년 일본 세라믹스 협회 연회 강연 예고집(2001년 3월)：2K27

10. 승온이탈법에 의한 ITO 투명 도전막의 검토

• 세키나리유키, 사와다 유타카, *미야바야시 노부라, *사노 마키코, **이데미 에코
• 도쿄 공예 대학, * 전자 과학, ** 요코하마시 공기 지원센터
• 2001년 일본 세라믹스 협회 연회 강연 예고집(2001년 3월)：2K28

11. 질화규소 분말의 산소 거동(Ⅱ)

• 벳푸 요시히사, 안도 모토히데, 오지 타츠키*
• 시너지 연구, * 메이코겐
• 2001년 일본 세라믹스 협회 연회 강연 예고집(2001년 3월): 2A34

12. 승온이탈법에 의한 Al2O3와 ZrO2 중의 물, 수소의 존재 상태 해석

• 노구치 카즈히코, 오타 마사토, 타카이 켄이치, 쿠모리 노리유키, 노스에키
• 죠지대학 이공학부
• 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(1002)

13. 석영 유리 섬유의 환경 취화에 미치는 H2O, H2의 영향

• 야마다 대책, 노다 타케, 타카이 켄이치, 노스에키
• 죠지대학 이공학부
• 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001)；(1071)

14. Ni-Ti 합금의 수소 확산 속도와 생체내 취화

• 아사오카 겐조, 요코야마 켄이치
• 도쿠시마대학·치과대
• 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001)；(126)

15. fcc Pd-Fe 합금에 있어서의 수소 방출 스펙트럼에 대한 Fe 함유량의 효과

• 야마시타 히로시, *하라다 슈지
• 니가타 대학 대학원생, * 니가타 대학 공학부
• 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001)；(194)

16. BCC형 Ti-Al-Zr 합금의 수소 유도 비정질화

• 미야지마 계장, *이시카와 카즈히로, *아오키 키요
• 기타미공대, * 기타미공대 공학부
• 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(211)

17. 나노구조화 흑연-수소계의 탈수소화 과정

• 마츠시마 토모요시, 오모리 신이치, 후지이 히로노부
• 히로시마대 종합과
• 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(212)

18. Ti3Al기 합금의 수소 흡장 특성(화학 양론비의 어긋남의 효과)

• 코지마 유스케, 와타나베 소노, * 다나카 이치에이
• 메이코대(원), *메이코대·공학부
• 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(214)

19. 2원Ti-Al 합금의 수소 흡장·방출 특성

• 하시 쿠니 히코, * 이시카와 카즈히로, ** 스즈키 키요시, * 아오키 키요
• 기타미공대원, *기타미공대 공학부, **NSW대,
• 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(215)

20. LaNi5의 전이 도입과 프로튬 트랩

• 야마모토 아츠시로, * 건청행, * 야마구치 마사하루
• 교토대학 공학부 · 원, * 교토대학 · 공학부
• 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001);(218)

21. LaNi5에서 잔류 수소에 대한 격자 결함의 영향

• 사카키 히로시, * 타케시타 히로유키, * 구리야마 노부히로, ** 무라카미 유키오, ** 수림 히로시, *** 아라키 히데키, *** 시라이 타이지
• 오사카대학·원, *대공연, **쓰쿠바대, ***오사카대학·공학부
• 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001)；(219)

22. 기계적 합금 공정에 의해 제조된 Ti-Zr-Ni 계 준결정 및 아몰퍼스 분말의 수소 흡 방출 특성의 비교

• 다카사키 아키토, *한 창호, ** 후루야 요시오
• 시바우라 공대·공, *시바우라 공대(원), **나가사키대 교육
• 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001)；(222)

23. (Mg, Yb) Ni2 합금의 수소 흡장

• 오츠 히데키, 간다 카즈유키, 이시카와 카즈히로, 아오키 키요
• 기타미공대원, * 기타미공대 공학부
• 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001)；(230)

24. 저온에서 흡출 가능한 고용량 나노복합 Mg 박막

• 히구치 코이치, 카지오카 히데, 마지마 키요와, 혼다 마사히데,
• 히로시마현 서부공기센터, *마쓰다(주), **히로시마대 종합과
• 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001)；(231)

25. 수소흡장처리에 의한 5083Al재의 결정립 미세화와 기계적 성질

• 후나미 쿠니오, * 사노 류 세이
• 지바공대공학부, *지바공대원생
• 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001)；(256)

26. 캐소드 수소 흡수에 따른 SUS304 스테인리스강의 경도 증가

• 하기 히데키
• 후쿠이 공업 대학
• 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001)；(264)

27. 페라이트강의 헬륨·중수소의 흡장 특성

• 타카오 야스유키, * 이와키리 히로유, * 요시다 나오 료
• 큐슈대학 · 대학원, * 큐슈대학 · 응력 연구소
• 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001)；(64)

28. Mg2Ni/LaNi5 복합재의 조직 및 프로튬 흡·탈장 특성

• 오쿠무라 용사, 마츠이 아사히 히로시, 야마타시 마타로, 가마토 시게하루, 코지마 요
• 나가오카 기과대(공)
• 일본 금속 학회 춘기 대회 강연 개요(2001)；(928)

29.ELECTRICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF CATALYTIC-NITRIDED SiO2 FILMS

• Akira Izumi, Hidekazu Sato and Hideki Matsumura
• JAIST (Japan Advanced Institute of Science and Technology)
• Materials Research Society Symposium Proceedings，Vol. 670，pp. K7.8.1-K7.8.6，2001

30. Ni 촉매를 이용한 Mg 도핑 GaN의 저온 활성화 메카니즘

• 와키이치 타로, 후지오카 요, 오지마 마사하루, * 미키 쿠유키, * 오쿠야마 미네오
• 도쿄대 공학부, *쇼와 덴코　　
• 제62회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2001가을)：11p-Q-2

31. 전이 금속 촉매층을 이용한 Mg 도핑 GaN의 저온 활성화

• 와키이치 타로, 후지오카 요, 오지마 마사하루, * 미키 쿠유키, * 오쿠야마 미네오　
• 도쿄대 공학부, *쇼와 덴코　　
• 제62회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2001가을)：11p-Q-3

32. H + 이온 주입에 의한 Si의 박리 (ESR 평가)

• 사사키 시호, 이즈미 토미오, ＊하라 토오루
• 도카이 대학공, ＊호세이대학 공학부　
• 제62회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2001가을)：12a-V-7

33. 카본 나노튜브로부터 이탈하는 가스의 TDS 분석

• 오카이 마코토, 소요시 쿄히코, 야구치 토미오, 하야시 노부아키
• 히타치 디스플레이 그룹
• 제62회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2001 가을)：12a-ZT-4

34. Radical Shower-CVD에서의 막질 제어

• 구마가야 아키라, 이시바시 게이지, 하리히로, 다나카 마사히코, 기타노 나오타케, 徐舸, 요코가와 나오아키, 이케모토
• 아넬바　
• 제62회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2001가을): 13a-C-7

35. 에피택셜 성장 SrRuO3 박막 특성의 성막법 의존성

• 다카하시 켄지, 오이카와 타카히로, ＊사이토 케이스케, 후나쿠보히로
• 도코다이 * 일본 필립스　
• 제62회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2001가을)：13a-ZR-8

36. 승온이탈 가스 분광법을 이용한 청색 발광 BaAl2S4:Eu 박막의 열처리 과정 분석

• 나가노 신이치, 미우라토, 마츠모토 타카나가, 나카노 鐐太郎
• 메이지 대학　
• 제62회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2001가을)：14a-P14-12

37. 유량 변조 조작 CVD를 이용한 TiN 박막 합성에서 염소이탈 공정의 분석

• 후미가키 유키히로, 하마무라 코타카
• 도코다이　
• 제62회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(2001가을): 14a-X-3

38. TDS를 이용한 Alq3 분자 증착 과정의 평가와 그 응용

• * 히라이 아츠시, * 이와사키 호 타카, * 아이미 마사히코, *, ** 우에노 토모오, * 쿠로이와 코이치, *** 사노 마키코, *** 미야바시 노부라
• *도쿄농공대·공, **현, 신에너지·산업성 기술종합개발기구(NEDO), ***전자과학
• 제48회 응용 물리학 관계 연합 강연회 강연 예고집(2001.3 메이지 대학);29p-ZN-12

39. SiO2 박막을 통해 H + 이온 주입 한 Si의 박리 (ESR 평가)

• 사사키 시호, 이즈미 토미오, *하라 토오루
• 도카이대학 공학부, * 호세이대학 공학부
• 제48회 응용 물리학 관계 연합 강연회 강연 예고집(2001.3 메이지 대학);30a-P11-7

40. 승온이탈 분석법에 의한 환경 계측용 센서의 동작 해석

• 요코야마 타츠야, 하라와 유
• 도쿄전기대
• 제48회 응용 물리학 관계 연합 강연회 강연 예고집(2001.3 메이지 대학);30p-ZR-10

41.Mg 도핑 GaN의 저온 활성화(1)-O3, N2O 중열처리 효과-

• 와키이치 타로, 후지오카 요, 오지마 마사하루, * 미키 히사유키, * 사토 사와 로
• 도쿄대학원·공대, *쇼와덴코(주)찌치부 연구실
• 제48회 응용 물리학 관계 연합 강연회 강연 예고집(2001.3 메이지 대학);31p-K-2

42. 진공중 완료입자 a-Ge:H막의 수소결합 측정과 막질 평가(Ⅲ)

• 이세키 카츠토미, 고바야시 신이치, 아오키 히로시
• 도쿄 공예 대학 대학원 대학 첨단 과학 기술 대학원
• 제48회 응용물리학 관련 회적예격집(2001.3 메이지대학); 28a-ZL-8

43. 수소 가스를 이용한 산화 티타늄의 승온이탈 동적 평가

• 야마우치 야스히로, 미즈노 요시유키, 다나카 아키히로, 혼마 요이치
• 지바공업대학, *알박파이(주)
• 제48회 응용 물리학 관계 연합 강연회 강연 예고집(2001.3 메이지 대학);29p-ZF-6

44. 석영유리로부터 반점 트리튬가스 방출

• 나스 아키라, 후미 마사지, * 타니 후타 타카 아키, * 이치카와 시로
• 가나자와 공업 대학, * 일본 원자력 연구소
• 제48회 응용 물리학 관계 연합 강연회 강연 예고집(2001.3 메이지 대학);29p-ZL-11

45. 수소 원자의 고상 터널 반응을 이용한 반도체 박막 형성을 위한 극저온 반응 장치의 개발(Ⅱ)

• 사토 테츠야, 스즈키 카츠노리, 다카하시 유키노리, 히비키 시게토미, 오카자키 시게미츠, 나카가와 키요카즈, 히라오카 켄조, *사토 승사, *미야다 치지, **타카마쓰 토시유키
• 야마나시 공대, * 미야 통신 공업, ** SST
• 제48회 응용 물리학 관계 연합 강연회 강연 예고집(2001.3 메이지 대학);30a-ZT-7

2000：논문, 잡지, 책

1.Comparative Study of Hydride Organo Siloxane Polymer and Hydrogen Silsesquioxane

• Sung-Woong Chung, Sub-Young Kim, Joo-Han Shin, Jun Ki Kim and Jinwon Park
• Memory R&D Division, Hyundai Electronics Ind. Co., Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,39,5909(2000)

2. 승온이탈 분석법에 의한 분자성 오염의 평가와 장치에의 영향

• 히라시타 노리오
• 오키 전기 공업 (주) 초 LSI 연구 개발 센터
• 리얼라이즈사, 반도체 클린화 기술 시리즈 기초 강좌 [UCT-10]

3. 공석강의 수소 흡장 특성에 미치는 항온 변태 온도 및 신선 가공의 영향

• 타카이 켄이치, 노스에키
• 죠지대학 이공학부 기계공학과
• 일본 금속 학회지, 64,669 (2000)

4.DRAM용 Ta2O5 커패시터 형성 기술

• 가미야마 사토시
• 일본 전기 (주) 시스템 디바이스 기초 연구 본부
• 응용 물리, 69,1067 (2000)

5. 플라즈마 디스플레이 패널용 MgO막의 증착시 산소 분압과 가스 흡착 특성

• 사와다 타카오, 와타나베 겐지*, 후쿠야마 케이지, 오다이라 타쿠야, 이가와 카츠, 사노 코우**
• 미쓰비시 전기 (주) 첨단 기술 종합 연구소, * (주) 에바렘, ** 미쓰비시 전기 (주) 디스플레이 디바이스 총괄 사업부
• 진공,43(10),973(2000)

6.Characterization of Low-Dielectric-Constant Methylsiloxane Spin-on-Glass Films

• Noriko Yamada and Toru Takahashi
• Advanced Technology Research Laboratories, Nippon Steel Corporation
• Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) pp. 1070-1073

2000：학회발표

1. 결정성이 다른 AlOOH의 가열상 변화

• 나가시마 토오루, 가메시마 가이이치, 야스모리 아츠오, 오카다 키요, * 사노 마키코
• 도코다이대학원 이공, *전자과학
• 일본 세라믹스 협회 제13회 가을 심포지엄 요지집

2. 고체 NMR에 의한 산화규소 및 그 구조 해석

• 아라마타 간부, 후쿠오카 히로후미, 후지오카 이치토시
• 신에츠 화학 군마 사업소
• 61회 분석화학토론회(2000.05.18 나가오카 리릭홀): 2H14

3.Hydrogen distributions near the SiO2-Si interface

• Y.Kawashima, Z.Liu, H.Kawano and M.Kudo*
• Analysis Technology Development Division, NEC Corporation, *Faculty of Engineering, Seiseki University
• The Proceeding of the Second International Symposium on SIMS and Related Techniques(2000.11)

4. 승온이탈법에 의한 HfO2 박막의 소성 과정의 연구

• 아다쓰 카네야, 니시데 이치이치, 미야바시 노부라*, 사노 마키코*
• 닛코우대학, 전자 과학 *
• 일본 세라믹스 협회 도호쿠 홋카이도 지부 연구 발표회 제20회 기초 과학부회 도호쿠 홋카이도 지구 간화회(2000가을)：1P19

5. 승온이탈법에 의한 HfO2막의 해석

• 사노 마키코, 미야바야시 노부라, 아다쓰 킨야*, 니시데리 이치*,
• 전자 과학, * 닛코우대학
• 제4회 실용 표면 분석 강연회(2000.12.8)：P1-10

6. 석영 유리 섬유의 환경 취화에 미치는 H2O, H2의 영향

• 노다 타케, 야마다 대책, 타카이 켄이치, 노스에키
• 죠지대학 이공
• 일본 금속 학회 가을 대회 강연 개요 (2000) p509

7. 석영 유리 섬유의 환경 취화에 미치는 물 및 수소의 영향

• 타카이 켄이치, 노다 타케, 노스에키
• 죠지대학 이공
• (사) 일본 철강 협회 재료의 조직과 특성 부회 과학 기술 진흥 조정비 종합 연구 제5회 성과 보고회 심포지엄 개요집 p7(2000가을)

8. 석영 유리 섬유의 환경 취화에 미치는 H2O, H2의 영향

• 타카이 켄이치, 노다 타케, 카와무라 마지, 노에미 쇼장
• 죠지대학 이공
• 제1회 마이크로 머티리얼 심포지엄 강연 논문집 p43(2000가을)

9. 저 유전율 다공질막의 ICP 산소 플라즈마 조사에 의한 막질 변화

• 후지우치 아츠시, 아라오 히로키, 에가미 미키, 나카지마 아키라, 콘도 히데이치*, 아사노 타네마사*
• 촉매화성공업(주)파인연구소, 규슈공업대학 마이크로화 종합기술센터*
• 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을)：4a-P4-18

10. 승온이탈 분석법에 있어서의 실리콘 기판 온도의 교정법 1 UC 표준 규격

• 히라시타 노리오(오키 전기), 치토모토 주방(NTT-AT), 오쿠무라 치키(히가시 릴리서치 센터), 시마자키 아야코(도시바), 진보 토모코(히타치), 니시즈카 카츠(도시바 마이크로 일렉트로닉스), 니시야마 이와오 NEC), 마츠우라 마사즈미(미쓰비시전기), 마츠나가 리유키(마츠시타 테크노 리서치), 모리타 미즈호(한대)
• UCS 반도체 기반 기술 연구회 표준화위원회 장비부회
• 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을)：4p-ZC-10

11. 승온이탈 분석법에 있어서의 실리콘 기판 온도의 교정법 2 UC 표준 규격

• 히라시타 노리오 (오키 전기), 시바모토 주방 (NTT-AT), 오쿠무라 치키 (히가시 릴리서치 센터), 시마자키 아야코 (도시바), 진보 토모코 (히타치), 니시즈카 카츠 (도시바 마이크로 일렉트로닉스), 니시야마 이와오 NEC), 마츠우라 마사즈미(미쓰비시전기), 마츠나가 리유키(마츠시타 테크노 리서치), 모리타 미즈호(한대)
• UCS 반도체 기반 기술 연구회 표준화위원회 장비 부회
• 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을)：4p-ZC-11

12. 승온이탈 분석법에 있어서의 실리콘 기판 온도의 교정법 3 UC 표준 규격

• 히라시타 노리오 (오키 전기), 시바모토 주방 (NTT-AT), 오쿠무라 치키 (히가시 릴리서치 센터), 시마자키 아야코 (도시바), 진보 토모코 (히타치), 니시즈카 카츠 (도시바 마이크로 일렉트로닉스), 니시야마 이와오 NEC), 마츠우라 마사유키(미쓰비시전기), 마츠나가 리유키(마츠시타 테크노 리서치), 모리타 미즈호(한대)
• UCS 반도체 기반 기술 연구회 표준화위원회 장비 부회
• 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을)：4p-ZC-12

13. 승온이탈 분석법에 있어서의 실리콘 기판 온도의 교정법 4 UC 표준 규격

• 히라시타 노리오 (오키 전기), 시바모토 주방 (NTT-AT), 오쿠무라 치키 (히가시 릴리서치 센터), 시마자키 아야코 (도시바), 진보 토모코 (히타치), 니시즈카 카츠 (도시바 마이크로 일렉트로닉스), 니시야마 이와오 NEC), 마츠우라 마사유키(미쓰비시전기), 마츠나가 리유키(마츠시타 테크노 리서치), 모리타 미즈호(한대)
• UCS 반도체 기반 기술 연구회 표준화위원회 장비 부회
• 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을)：4p-ZC-13

14. 고선택 비산화막 에칭에 있어서의 표면 반응층의 해석

• 오자와 노부오, 다츠미 테츠야, 이시카와 켄지, 구리하라 카즈히로, 세키네 마코토
• ASET 플라즈마 연구
• 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을)：6a-ZF-8

15. 얇은 SIO2막을 통해 고농도 H+ 이온을 주입한 Si의 어닐링 특성

• 사사키 시호, 우지가와 히로아키, 조두리 엘샤드 알리, 이즈미 토미오, 하라 토오루*
• 도카이대학 공대, 호세이대학 공대 *
• 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을)：6p-ZD-17

16. W 폴리사이드막의 에칭 특성

• 후쿠나가 히로유키, 나가토모 미키, 사이토 히데이치
• (주) 도시바 생산 기술 센터
• 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을)：7a-W-8

17. 웨이퍼 표면 흡착 유기물의 흡탈착 거동 2

• 시라미즈 호미, 타카다 슌와, 코마타 카오리*
• 일본 전기 (주), NEC 소프트 (주) *
• 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을)：3p-ZC-7

18.HMDSO를 이용한 플라즈마 CVD법에 의한 저유전율막의 성막(1) -산화제에 N2O를 이용하여 -

• 야마모토 요이치 이노마키 히로시, 이시마루 토모미, 코타케 유이치로, 오가와라 아키시, 시오야 키미*, 오히라 코이치*, 마에다 카즈오*
• 캐논 판매 (주), (주) 반도체 공정 연구소 *
• 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을)：4a-P4-21

19. NH3 / SiF4 계 a-SiNx : F에 의한 게이트 질화막의 극저온 형성 (II)

• 오타 히로유키, 호리카츠, 고토 슌오
• 나고야 대학 · 공대
• 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을)：5a-ZD-4

20. Si(100)2×1 상의 세슘 산화물의 TDS, UPS

• 이시약 아키히코, 후지이 타카시, 토시마 마사야, 우라노 토시오, 혼고 아키조
• 고베대학 공대
• 제61회 응용 물리학 합학술 강연회 예고집(2000가을)：6a-S-1

21. 졸 겔법에 의한 HfO2 박막에 불화 알코올의 흡착

• 아다쓰 카네야, 니시데 이치이치, 와타나베 슈*, 타카세 츠기코*, 미야바야시 연량**
• 일본 대학 공학부, 후쿠시마현 하이테크 플라자*, 전자과학(주)**
• 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄)：29a-ZG-3

22. 저유전율 절연막을 이용한 다마신 배선 구조에서의 용량의 온도 의존성

• 히가시 카즈유키, 마츠나가 범소, 나카타 진헤이, 시바타 히데코
• (주) 도시바 세미 컨덕터 사 마이크로 일렉트로닉스 기술 연구소
• 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄)：29p-YA-11

23. 각종 습식 프로세스 처리에 의한 유기 폴리머계 저유전율 절연막 PAE에의 영향

• 키타자와 요시유키, 토모히사 신고, 니시오카 야스타카, 호타 나오키, 무라나카 세이지*, 고토 굿야*, 마츠우라 마사유키*, 도요타 료히코, 오모리 타츠오
• 미쓰비시전기(주)첨단기술종합연구소, ULSI기술개발센터*
• 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄)：29p-YA-16

24. 플라즈마 중합법에 의한 BCB막의 유전율 저감

• 타다 소 히로시, 카와하라 준, 하야시 요시히로
• NEC 실리콘 시스템 연구소
• 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄)：29p-YA-8

25.Investigation of Correlation between Structures and Adsorption States of Alkanethiol Self-Assembled Monolayers on Au(111)

• J.Noh, T.Araki*, K.Nakajima and M.Hara
• FRS RIKEN, Saitama Univ.*
• 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄)：29p-YA-8

26. 불소화 알칸 티올 자기 조직화 단분자막의 흡착·탈리 과정에 관한 연구

• 스즈키 아키히로 1, 오쿠데 유리코 1, 나카무라 시오 2, 하라마사히코 12, 타마다 가오루 3, 후쿠시마 균 4, T.R.Lee5
• 도우코대학 총리공 1, 리켄 2, 물질연 3, 세이코 엡손 4, 휴스턴 대 5
• 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄)：29p-YA-8

27.Si 웨이퍼 표면에 있어서의 수분 및 유기물 흡착 상태의 해석

• 모리모토 토시히로, 우에무라 켄이치
• 신일본제철(주)첨단기술연구소
• 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄)：28p-YH-7

28. 저유전율 SOG 중의 관능기의 플라즈마 반응성

• 콘도 히데이치, 유미 슌야, 아사노 타네마사, 아라오 히로키*, 나카지마 아키라*
• 규슈공업대학 마이크로화총기술센터, 촉매화성공업(주), 파인연구소*
• 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄)：29a-YA-10

29. 티타늄의 표면 연마에 의한 가스 방출 특성

• 오카다 타카히로, 다나카 아키히로, 미즈노 요시유키, 혼마 요이치
• 치바공업대학, 알박파아(주)*, 일본발커공업(주)**
• 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄)：29a-ZG-1

30.Ta2O5/TiNx/Si(x>1) 어닐시에TiN층에서 방출되는 과잉질소

• N.Yasuda*,***，H.C.Lu*，E.Garfunnkel*，T.Gustafsson*，J.P.Chang**，G.Alers**
• Rutgers University*，Lucent Technologies**，On leave from Toshida Corporation***
• 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄)：29a-ZG-3

31. 승온이탈법에 의한 비정질 실리콘막 중 수소의 정량

• 이나키 사카에, 사이토 이치야, 하시모토 정전*, 아사리 신*
• 일본 진공 기술 (주) 쓰쿠바 초재연, 치바 초재연 *
• 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄)：29p-ZH-1

32. 진공중 승온에서의 a-Ge : H 막의 수소 결합 상태와 막질 평가

• 이세키 카츠토, 고바야시 신이치, 아오키 히로시
• 도쿄 공예 대학 대학원 · 제휴 최첨단 기술 연구 센터
• 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄)：29p-ZH-6

33.글로우 방전법에 의해 제작한 a-SiC:H의 막 구조와 표면 관찰(II)

• 모토하시 미츠야, 소에 쿠미, 혼마 카즈아키
• 도쿄 전기 대학 공학부
• 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄)：29p-ZH-9

34. 수소 종단 Si (111) 표면상의 선택적 수소이찰에 의한 댕글링 본드 와이어 열의 형성

• 이노우에 히로스케, 사카가미 히로유키, 신미야하라 마사조, 타카하기 타카유키
• 히로시마 대학 공학부
• 제47회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(2000 봄)：30p-YH-11

35. 규소계 화합물의 상태 해석에 고체 NMR의 응용

• 아라마타 미키오
• 신에츠 화학 군마 사업소
• 제26회 고체 NMR·재료 연구회(2000.05.08 교토 헤이안 회관)

36. HfO2 박막의 승온이탈법에 의한 소성 공정 및 표면 상태의 연구

• 아다쓰 킨야, 니시데 리이치, * 미야바야시 노부라, * 사노 마키코
• 일본대학 공학부, * 전자 과학
• 제36회 열측정 토론회 강연 요지집, 90(2000가을)

37. CeO2 박막의 승온 탈리법에 의한 표면 상태의 연구

• 니시데 이치이치, 죠반 사토코, * 미야바야시 노부라, * 사노 마키코, ** 사토 맹세
• 일본대학 공학부, *전자과학, **닛산 아크
• 제36회 열측정 토론회 강연 요지집, 92(2000가을)

38. 금속 산화물 박막의 TDS에 의한 표면 해석

• 니시 이치 이치
• 일본 대학 공학부
• 제8회 TMS 연구회 예고집 p4(2000.4.28)

1999： 논문･잡지･책

1.Desorption Kinetics of Ar Implanted into Si

• Norio Hirashita
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,38,613(1999)

2.Effects of Halogen Ions on the X-Ray Characteristics of Gd₂O₂S:Pr Ceramic Scintillators

• Norio Hirashita
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,38,613(1999)

3.Process integration induced thermodesorption from SiO₂/SiLK resin dielectric based interconnects

• M.R.Baklanov*, M.Muroyama**, M.Judelewicz*, E.Kondoh*, H.Li*, J.Waeterloos***, S.Vanhaelemeersch* and K.Maex
• IMEC*, Sony Corporation**, The Dow Chemical Company***
• J.Vac.Sci.Technol.B,17,2136(1999)

1999：학회발표

1. 이차원 상관분광법에 의한 승온이탈분석 데이터의 해석

• 스기타 노리오，아베 에이지，미야바야시 노부요시*
• 도요하시기술과학대학，*전자과학(주)
• 제22회 정보화학토론회 강연요지집(1999가을)：JP12

2.승온이탈법의 의한 알칸치올SAM막의 흡착상태에 관한 연구

• 아라키 아키라*, 노재근*, 하라　마사히코*,**, W. 크놀*
• *리켄프론티어，**도우코대학 총리공
• 제60회 응용물리학회학술 강연회예고집(1999가을)：2p-Q-8

3.Adsorption States of Alkanethiol Self-Assembled Monolayers on Au(111)

• J.Noh, T.Araki, M.Hara, H.Sazabe, W.Knoll
• FRP RIKEN（리켄 프론티어）
• 제60회 응용물리학회학술 강연회예고집(1999가을)：2p-Q-9

4. 유도결합 프라즈마CVD에 의한 작제된 SiO2막의 승온이탈가스분석

• 핫토리 테츠야, 세무라 시게루, 후쿠다 토모에, 아카사카 노부히로
• 스미토모덴코(주)
• 제60회 응용물리학회학술 강연회예고집(1999가을)：3p-H-1

5.SiN/SiO2막중 수소의 열적거동

• 카와시마 요시야, 리우 시엔, 카와노 히데오, 히라타 고*
• NEC디바이스 평가기술연구소，*NEC반도체생산기술본부
• 제60회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999가을)：3p-ZT-16

6.무기CVD-TiN막중 Cl에 의한 Al배선부식의 메카니즘

• 히라사와 켄사이, 나카무라 요시타카, 타마루 고, 세키구치 토시히로, 후쿠다 다꾸야
• (주)히다치제작소 디바이스개발센터
• 제60회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999가을)：3a-ZN-2

7.Co/a-Si:H/c-Si에서의 시리사이드화 과정

• 쿠사무라 가쯔후미, 츠치야 마사히코, 요시다 요코, 소에 쿠미, 모토하시 미츠야, 혼마 카즈아키
• 도쿄덴키대학
• 제60회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999가을)：3a-ZN-6

8.APIMS-TDS에 의한 Si웨이퍼 표면흡착수분의 해석(IV)

• 모리모토 도시히로，우에무라 겐이치
• 신일본제철(주) 첨단기술연구소
• 제60회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999가을)：3a-ZQ-9

9. 진공중S종단처리 GaAs(001)표면의 승온이탈과정의 해석

• 츠카모토 시로, 스기야마 무네히로*, 시모다 마사히코, 마에야마 토모*, 와타나베 요시오*, 오노 타카오, 코구치 노부유키
• 가나자이기켄，*NTT기초연구소
• 제60회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999가을)：4a-ZK-3

10. 고플루엔스 엑키시마레이져 조사에 의한 아몰퍼스실리콘막의 탈수소거동

• 다카하시 미치코, 사이토 마사카즈, 스즈키 겐키치
• 히다치제작소 디스플레이 그룹
• 제60회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999가을：4a-ZS-4

11.PDP용MgO막의 증착시산소분압과 가스흡착특성

• 사와다 타카오, 와타베 케이지, 후쿠야마 케이지, 오다이라 타쿠야, 기누가와 마사루
• 미쯔비시전기 첨단총연
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄) : 28p-M-4

12.승온이탈 스펙트럼에 있어서의 시료단 저온부의 수정

• 오타카 겐지
• (주)히다티제작소 기계연구소
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：30p-R-7

13. Difluoro paraxylene을 이용한 유기계 저유전율막의 특성

• 무로야미 가즈，모리야마 이치로
• 소니(주) S.C.프로세스 개발부
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：30p-ZQ-14

14. 불소화 아몰퍼스 카본막의 층간절연막 적합프로세스

• 오제키 가쯔나리，아리가 미찌오
• 업라이트머티어리얼즈 재팬(주)
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄) : 30p-ZQ-19

15. 불소화 아몰퍼스 카본막의 층간막 적용평가

• 마츠이 타카유키, 키시모토 미츠지, 마츠바라 요시히사, 이구치 마나부, 호리우치 타다히코, 엔도 카즈히코*, 타츠미 토오루*, 고미 히데키
• 니혼덴키(주) ULSI디바이스개발연구소，*실리콘시스템 연구소
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：30p-ZQ-20

16. SiO2/Si에 있어서의 수소거동분석

• 류 시엔, 가와시마 요시야, 가와노 히데오, 하마다 코지*, 하마시마 토모히로*
• NEC 디바이스평가연，NEC UL 디바이스평가연*
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：29p-ZS-14

17. 승온이탈법에 의한 비대칭 Dialkyldi Sulfide자기조직화 단분자막의 흡착상태에 관한연구

• 아라키 쇼 *, 카메이 히로지 **, 후지타 카츠히코 *, 하라 마사히코 *, **, W. 크놀*
• 리켄프론티어*，도우코대학 총리공*
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：30p-X-17

18. 비대칭 Dialkyldi Sulfide를 이용한 자기조직화 단분자마의 성장과정에 관한 연구

• 카메이 히로지*, 후지타 카츠히코**, 아라키 아키라**, 하라 마사히코*,**, 사사베 히로유키**, W. 크놀
• 도우코대학 총리공*，리켄프론티어**
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：30p-X-18

19.Destructive Adsorption and Phase Separation of Asymmetric Disulfide SAMs on AU(111) Studied by Scanning Tunneling Microscopy

• J.NOH，M.HARA，H.SASABE and W.KNOLL
• FRP, RIKEN
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：30p-X-19

20. 수소이온주입 기판박리법에서의 웨이퍼 직접접합공정의 검토

• 야마우치 쇼이치, 마츠이 마사키, 오시마 쿠스미
• 덴소 기초연구소
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：31a-ZP-2

21. 수소종단Si표면에서의 습식처리시의 종단수소의 화학반응거동

• 나가타 요이치, 후지와라 신야, 사카가미 히로유키, 신미야하라 마사조, 타카하기 다카유키
• 히로시마대학・공학부
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：28a-ZT-4

22. Si(100)표면상 P의 승온이탈 스펙트럼의 측정

• 히로세 후미히코, 사카모토 히토시
• 미쯔비시중공업 기반연구소
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：28p-ZT-11

23.ECR프라즈마CVD법에 의해 작성된 경질탄소막의 열분해거동

• 마루야마 가즈노리, 소야 토모코, 사토 히데키
• 나가오카기술과학대학 공학부
• 제46회 응용물리학회학술강연회 예고집(1999봄)：29a-M-2

24. 진공 표면에서 수소의 거동 서론

• 츠카하라 소노코
• 일본 진공 기술 쓰쿠바 초재연
• 제46회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄):29a-ZH-1

25. 강중의 수소의 존재 상태와 격자 결함

• 나구모 미치히코
• 와세다대학 이공학부 물질개발공학과
• 제46회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄):29a-ZH-2

26. 다이아몬드 표면에서 수소의 거동

• 가와하라다 요우
• 와세다대학 이공학부, CREST
• 제46회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄):29a-ZH-6

27. APIMS-TDS에 의한 Si 웨이퍼 표면 흡착 수분의 해석(III)

• 모리모토 토시히로, 우에무라 켄이치
• 신일본제철(주) 첨단기술연구소
• 제46회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄):29a-ZT-4

28. 8인치 웨이퍼용 승온이탈 측정 장치에 의한 SiO2막의 평가

• 이나요시 사카에, 츠카하라 소노코, 사이토 가즈야, 호시노 요이치*, 하라야스 히로시*
• 일본 진공 기술 (주) 쓰쿠바 초재연, * 일본 진공 기술 (주) 초고 (사)
• 제46회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄):29a-ZT-5

29. 다이아몬드 C (111)상의 NO 레이저 광 자극 이탈

• 야마다 타로*, 세키 하지메**, 장동영***
• 와세다조 재료연구, **IBM알마덴연구소,***대만중과원 원자분자연
• 제46회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄):30a-L-3

30. 티타늄의 평활 가공에 의한 표면 산화층과 가스 방출 특성

• 이시카와 카즈마사, 미즈노 요시유키, 오카다 타카히로, 혼마 요이치
• 치바공업대학
• 제46회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄):30p-R-2

31. 실라잔 결합을 갖는 저유전율 SOG 막의 특성

• 타시로 유지, 사쿠라이 타카아키, 시미즈 야스오
• 동연(주)
• 제46회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄):30p-ZQ-6

32. 에틸렌기 함유 실리카막의 XeF2 어닐링

• 사노 야스유키*, 스가와라 사토시, 우사미 코이치, 핫토리 다테오*, 마츠무라 마사요시
• 도쿄 공업 대학 공학부, *무사시 공업 대학 공학부
• 제46회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄):30p-ZQ-7

33. Ni / a-Si : H 적층 막에서의 계면 반응 및 실리사이드화 과정 (II)

• 요시다 요코, 소에 쿠미, 모토하시 미츠야, 혼마 카즈아키
• 도쿄전기 공대
• 제46회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1999 봄):31a-ZQ-6

34. SIMS 및 TDS에 의한 a-Si : H 중 H 농도의 평가

• 미카미 아키라, 스즈키 타카유키
• 산요전기 (주) 뉴 머티리얼 연구소
• Journal of Surface Analysis, Vol6(No3), A-20(1999)

35.DRY ETCHING OF PZT FILMS WITH CF 4 /Ar HIGH DENSITY PLASMA

• Chanro Park, Jun Hee Cho, Chang Ju Choi, Yeo Song Seol, and II Hyun Choi
• Semiconductor Advanced Research Division, Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
• Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.541, p113, 1999 Materials Research Society

1998：논문,잡지,책

1. TG-MS에 의한 세라믹 박막 및 분말의 형성 과정의 해명

• 사와다 유타카, 니시이데 도시가즈*, 마쓰시타 준이치**
• 도쿄 공예 대학 공학부, *일본 대학 공학부, **도카이 대학 공학부
• J.Mass Spectrum.Soc.Jpn,46,289(1998)

2. 재료 연구에서 TPD-MS (Temperature Programmed Desorption or Decomposition Mass-Spectrumetry)의 응용

• 아사히나 균, 타니구치 카네지
• 미쓰비시 화학 (주) 쓰쿠바 연구소
• J.Mass Spectrum.Soc.Jpn,46,357(1998)

3.Structure-Dependent Change of Desorption Species from n-alkanethiol Monolayers Adsorbed on Au(111): Desorption of Thiolate Radicals from Low-Density Structures

• H.Kondoh, C.Kodama, and H.Nozoye
• J.Phys.Chem.B,102,2310(1998)

4.Kinetic Analysis of the C49-to-C54 Phase Transformation in TiSi2 Thin Films by In Situ Observation

• H.Tanaka, N.Hirashita, and R.Sinclair
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,37,4284(1998)

5.Controlling the Amount of Si-OH Bonds for the Formation of High-Quality Low-Temperature Gate Oxides for Poly-Si TFTs

• Katuhisa Yuda, Hiroshi Tanabe, Kenji Sera*, and fujio Okumura
• Functional Devices Research. Laboratories, NEC Corporation and *Electronic Component Development Division, NEC Corporation
• Mat.Res.Soc.Symp.Proc.,508,167(1998)

6. 냉간 신선 가공한 순철 및 공석강의 승온이탈법에 의한 수소 흡장 특성 평가

• 다카이 켄이치*1, 야마우치 고로*1, 나카무라 마리코*2, 나구모 미치히코*2
• *1)일본전신전화 주식회사 기술협력센터 *2)와세다대학 이공학부
• 일본 금속 학회지, 62, 3, 267-275 (1998)

1998: 학회발표

1. 메조포러스 알루미노실리케이트에 대한 구리 이온 교환 및 그 특성

• 테라오카 야스고, 다카하시 모토노부, 세토구치 유카코, 아사나가 나리유키*, 안부 아키노리*, 이즈미 준*, 모리구치 이사무, 가가와 슈이치
• 나가사키대학 공대, * 미쓰비시 중공
• 제81회 촉매토론회 토론회 A예고집, 113(1998.3)：2P55

2. 이산화티탄 분말 표면에 NO 흡착 및 승온이탈

• Wang Yang, 야나기사와 야스노리
• 나라 교육대학
• 제81회 촉매토론회 토론회 A예고집, 115(1998.3)：2P57

3. NH3-TPD 스펙트럼으로부터 얻은 흡착 엔탈피와 이탈의 활성화 에너지 분포의 비교

• 마스다 타카오, 후지카타 히사히로, 하시모토 켄지
• 교토대학원공
• 제81회 촉매토론회 토론회 A예고집, 24(1998.3)：1P24

4. 실리카 상에서의 광 올레핀 복분해 반응의 활성종

• 다나카 요우스케, 마츠오 시게노부, 다케나카 소, 요시다 도시오*, 후나비키 타쿠조, 요시다 고히로
• 교토대학원공, * 명대원공
• 제81회 촉매토론회 토론회 A예고집, 34(1998.3)：1P34

5. 티탄산 스트론튬계 페로브스카이트형 산화물의 NO 직접 분해 활성

• 요코이 야스하루, 우치다 요
• 도쿄가스 기초 연구
• 제81회 촉매토론회 토론회 A예고집, 40(1998.3)：1P40

6. Pt/HZSM-5에 의한 티오펜의 수소화 탈황 반응

• 쿠로사카 타다히로, 스기오카 마사토시
• 무로란공대
• 제81회 촉매토론회 토론회 A예고집, 51(1998.3)：1P51

7. 티타니아 담지 제올라이트 촉매에 의한 NOx의 환원

• 이와토 히로시, 고난 히로시, 하시모토 케이지, 게이라 요시야
• 긴키대학 이공, * 오사카시립대 공연
• 제81회 촉매토론회 토론회 A예고집, 53(1998.3)：1P53

8. 구리 이온교환 제올라이트상의 NOx형 흡착종의 분해 기구

• 오노 히로노부, 오쿠무라 코헤이, 시모카와베 마사히데, 다케자와 노부쯔네
• 홋카이도대원공
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 132(1998.9)：3D426

9.CH4-SCR에 활성인 Pd 제올라이트 중의 Pd종의 검토

• 고쿠라 켄, 가모 신, 키쿠치 히데가즈
• 와세다대 이공
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 132(1998.9)：3D426

10. 은 알루미나 촉매상의 NOx 선택 환원 반응에서의 티타늄 처리 효과

• 고토 이치로, 야마구치 마코토, 오우 마사아키, 쿠마야 키미오
• (재) 산업 창조연
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 134(1998.9)：3D428

11. 펄스법을 이용한 담지 Ph 촉매 상에서의 N2O 분해 반응

• 아오야나기 켄지, 유자키 코이치, 우에즈카 요우, 이토 신이치, 구니모리 공부
• 쓰쿠바대학 물자공
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 147(1998.9)：4D414

12. 고용체 Co-MgO 촉매 상에서의 N2O 분해 반응에서의 O2 이탈 기구

• 오시하라 켄조, 아키카 켄이치*
• 야마구치 도쿄 이대 기초공, *도코우대학 총리공
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 148(1998.9)：4D415

13. 티탄산 스트론튬 분말에 대한 NO 및 CO 흡착·승온 이탈

• 에도 아키코, 이노우 카나코, 도쿠루 시호, 야나기사와 야스노리
• 나라 교대
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집,2(1998.9)：1P202

14. Ni(110) 상에 흡착된 카르복실산의 분해 반응

• 야마가타 케이, 쿠보타 준, 노무라 준코, 히로세 치아키, 도마이 잇세이, 와카바야시 후미다카*
• 도코우대 자원연, *국립과학박물관
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 207(1998.9)：3D601

15. 금운모 촉매에 의한 알코올의 탈수소 반응

• 하시모토 케이지, 도카이 나오하루
• 오사카시립대 공연
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 21(1998.9)：1P222

16.Al, Zn, Cd염을 첨가한 FSM-16을 촉매로 한 기상 베크만전위-촉매의 산·염기성, 활성 열 및 생성물 선택성-

• 正쇼지 다이스케, 나카지마 고
• 신슈 공대
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 22(1998.9)：1P223

17. 다양한 금속 산화물상의 산화 텅스텐 모노레이어 촉매의 표면 구조 및 산성질

• 나이토 노부히로, 카타다 나오노부, 단바 미키
• 돗토리 공대
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 233(1998.9)：4D603

18.Co2(CO)8을 이용한 Co/Al2O3 고정화 촉매 표면의 복합 설계와 촉매 특성의 연구

• 다카무라 마사히로, 자토 타카후미, 아사쿠라 키요타카, 이와사와 야스히로
• 동대원 이과
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 237(1998.9)：4D607

19. Ga-MCM-41의 구조와 산성질

• 오쿠무라 카즈, 니시가키 도오루, 단바 미키
• 돗토리 공대
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 254(1998.9)：3D702

20. 필러 도입량이 다른 알루미나 가교 운모의 조정과 그 산성질

• 기타바야시 시게아키, 가마타 유키코, 신도 타카세시, 오자와 이즈미타로
• 아키타 공대(자)
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 262(1998.9)：3D710

21.SO4(2-)-ZrO2 catalysts for isomerization of n-butane. Study of deactivation process and characterization of coke deposits

• C.R.Vera, C.L.Pieck*, K.Shimizu, C.A.Querini*, J.M.Parera*
• National Institute for Resources and Environment (Japan), *INCAPE (Argentina)
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 262(1998.9)：3D721

22. 수증기 처리 암모니아 승온이탈법에 의한 페로실리케이트의 산성질 측정

• 미야모토 테츠오, 가타다 나오노부, 단바 미키, 마츠모토 아키히코*, 츠즈미 카즈오*
• 돗토리 공대, * 도요하시 기술대
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 298(1998.9)：4D721

23. 페로브스카이트형 산화물 촉매의 NO 직접 분해 활성과 전자 상태의 관련

• 요코이 야스히오, 야스다 이사무, 우치다 요, * 오카다 오사무, ** 나카무라 야스히사, *** 가와사키 하루쯔구
• 도쿄 가스, * 오사카 가스, ** 도로후 가스, *** 세이부 가스
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 323(1998.9)：3D824

24. 지르코니아 담지 황산근 모노 레이어 고체 초강산 촉매의 프리델 크래프트 반응에 대한 활성

• 야스노부 나오코, 엔도 준이치, 카타다 나오노부, 단바 미키
• 돗토리 공대
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 343(1998.9)：4D819

25. CFC 분해용 인산알루미늄계 촉매의 개발(5)

• 니노미야 마이코, 와카마츠 히로노리, 니시구치 히로야스, 이시하라 타츠미, 타키다 유우사쿠
• 오이타 공대
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 35(1998.9)：2P205

26.V, W 치환형 12-몰리브드인산 촉매의 환원

• 모리타 토요코, 우에다 와타루 ”, 아키카 켄이치
• 도우코대학공 총리공, *야마구치 도쿄이과대 기초공
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집,5(1998.9)：1P205

27. 흡착 NO2 / 금속 산화물상의 프로펜의 부분 산화 반응

• 우에다 아츠시, 고바야시 테츠히코
• 대공연
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 71(1998.9)：3D317

28.Pd 복합 증착 박막에 의한 메탄올 분해 반응의 검토

• 사사키 모토, 이토 다테히코, 하마다 히데아키
• 공업기술원 물자연
• 제82회 촉매토론회 A강연예고집, 9(1998.9)：1P209

29. 고정화 Co(II)/Al2O3 촉매 상의 NO-CO 반응에 있어서의 새로운 기구

• 야마구치 아리모토, 자토 타카후미, 아사쿠라 키요타카, 이와사와 야스히로
• 도쿄 대학 대학원 이학계
• 제82회 촉매토론회 B강연예고집, 360(1998.9)：1D105

30. 산화주석 담지 산화 몰리브덴 박층 상에 생성되는 고체 산점의 메탄올 산화 반응에 있어서의 촉매 작용

• 단바 미키, 이가라시 아야, 카타다 나오노부
• 돗토리 대학 공학부
• 제82회 촉매토론회 B강연예고집, 442(1998.9)：1D206

31. 이산화탄소에 의한 메탄으로부터의 에탄과 에틸렌의 생성 반응

• 오노, 다카하시 요시모토, 오츠카 야스오
• 도호쿠 대학 반응 화학 연구소
• 제82회 촉매토론회 B강연예고집, 458(1998.9)：1D211

32. 단독 산화물 담지 Pd 촉매를 이용한 저온 메탄 연소

• Widjaja Hardiyanto, 세키자와 요시후미, 에구치 코이치
• 규슈 대학 대학원 종합 이공학 연구과
• 제82회 촉매토론회 B강연 예고집, 466 (1998.9): 1D213

33. 고체 산으로서의 FSM-16의 촉매 특성

• 야마모토 타카시, 다나카 야스히로, 후나비키 타쿠조
• 교토 대학 대학원 공학 연구과
• 제82회 촉매토론회 B강연예고집, 494(1998.9)：2D207

34. 미결정 실리콘에 있어서의 입계 결함의 이방성

• 곤도 미치오, 후카와 마코토, 곽리휘, 마츠다 아키히사
• 전총연·박막 실리콘계 태양전지 슈퍼랩
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：15a-ZC-10

35. 산화막 에칭에 있어서의 CH2F2 첨가 효과

• 니이무라 타다, 오미야 가요코, 가네다 나오야*, 마츠시타 타카야*
• (주) 도시바 생산 기술 연구소, * (주) 도시바 반도체 생산 기술 추진 센터
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：15a-C-5

36. 형광막의 흡착 가스 특성에 대한 대기 중 및 진공 중 가열의 영향

• 야마네 미유키, 히라사와 시게루*, 오세키 요시히로**
• (주) 히타치 제작소 기계 연구소, * (주) 히타치 제작소 가전 · 정보 미디어 사업 본부, ** 히타치 디바이스 엔지니어링 (주)
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：15p-M-5

37. Ni / a-Si : H 적층 막에서의 계면 반응 및 실리사이드화 과정 (I)

• 요시다 요코, 모기 아즈사, 소에 쿠미, 모토하시 미츠야, 혼마 카즈아키
• 도쿄전기 대학
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：15p-ZL-16

38. 다이아몬드 C(001) 표면에서 트리-n-부틸포스핀의 표면 반응소 과정

• 니시모리 노부히코, 사카모토 히토시, 타카쿠와 유지*,**
• 미쓰비시중공업·기반연, *도호쿠대·과연, **과기단 사키가케
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：16p-N-6

39. 수소 처리 Ge 첨가 SiO2 유리에서의 수소 방출의 온도 의존성

• 가사와라 토시아키, 후지마키 마사오, 오기 요시로, 카토 모토시게*, 모리시타 유이치*
• 와세다 대학, * 쇼와 전선
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：16p-P13-7

40. 반도체 층간막 공정 개발을 위한 흡습 특성 평가법의 개발

• 오타케 아츠시, 고바야시 카네야, 이토 후미토*, 다카마쓰 아키라*
• (주)히타치 제작소 히타치 연구소, * (주)히타치 제작소 반도체 사업부
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：17a-ZG-1

41.저 유전율·저 흡습성 유기 SOG막의 작성

• 야마다 노리코, 다카하시 토오루
• 신닛테츠(주) 첨단기연
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：17p-ZG-3

42. 저 유전율 다공성 SOG 막의 특성

• 아라오 히로키, 후지우치 아츠시, 에가미 미키, 무라구치 료, 이노우에 가즈아키, 나카지마 아키라,
• 촉매화성공업(주)
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：17p-ZG-4

43. 고농도 페닐기 함유 실리카막의 평가

• 사노 야스유키*, 우사미 코이치, 스가와라 사토시, 핫토리 다테오*, 마츠무라 마사요시
• 도쿄 공업 대학 공학부, *무사시 공업 대학 공학부
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：17p-ZG-9

44. Ar 이온 주입 Si의 승온이탈 신호와 비정질 Si내 Ar 분포 변화의 관계

• 나카타 호지, 야부모토 슈호*
• NTT 기초 연구소, * NTT-AT
• 제59회 응용 물리학회 학술 강연회 강연 예고집(1998 가을)：18a-ZL-4

45. 극미세홀의 표면반응

• 가나모리 쥰, 이케가미 나오카츠, 히라시타 노리오
• 오키 전기 공업 (주) 초 LSI 연구 개발 센터
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：29a-ZR-2

46. ​​전방향족 폴리에테르계 고분자층간 절연막

• 기타 다카히라
• 아사히 카세이 공업 기초 연구소
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：30p-M-4

47. 실리콘 웨이퍼 표면의 유기물의 흡착·이탈 거동

• 사가 코이치로, 핫토리 코
• 소니 (주) 세미 컨덕터 컴퍼니 슈퍼 LSi 연구소
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：28p-PB-6

48. APIMS-TDS에 의한 웨이퍼 표면 흡착 수분의 해석

• 모리모토 토시히로, 우에무라 켄이치
• 신일본제철(주) 첨단기술연구소
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：28p-PB-7

49. 웨이퍼 표면 흡착 유기물의 흡탈착 거동

• 시라미즈 요시미, 다나카 다카시, 기타지마 요, 나토리 겐*
• 일본 전기 (주), 히타치 도쿄 일렉트로닉스
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：28p-PB-8

50.MOCVD-BST에 대한 어닐링 효과

• 우에다 로진, 오오츠카 타카시, 모리타 키요유키
• 마쓰시타 전기 산업 (주) 중앙 연구소
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：28p-ZF-9

51. 아세틸렌 흡착 Si(100) 표면으로부터의 수소이탈

• 나카자와 히데키, 스에코 마키
• 도호쿠 대학 전기 통신 연구소
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：29a-YG-11

52. Si 표면에서의 Si 수소화물의 흡착 및 수소이탈 과정

• 스에코 마키
• 도호쿠 대학 전기 통신 연구소
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：29a-ZR-5

53. 초고진공 재료의 표면 처리에 정밀화학 연마 적용

• 이나요시 사카에, 사이토 가즈야, 사토 유키에, 츠카하라 소노코, 이시자와 카츠히사*, 노무라 켄*, 시마타 아키히사*, 가나자와 미노루**
• 日일본진공기술(주), *산아이석유(주), **산아이플랜트공업(주)
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：29p-X-10

54. 스테인리스강 표면에 있어서의 수승온 이탈 특성

• 다나카 토모나리, 다케우치 쿄코, 츠지 아키라
• (주)알박 코퍼레이트센터
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：29p-X-5

55. Si박막으로 피막한 스테인레스강의 저가스 방출 특성

• 이나요시 사카에, 사토 유키에, 츠카하라 소노코, 가네하라 아키라*
• 일본 진공 기술 (주), * 가나자와 공대
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：29p-X-7

56. LPD 저 유전율 유기 실리카막(II)-각종 함유 유기기의 내열성-

• 고바야시 미츠오*, 스미무라 카즈히토, 스가와라 사토시, 핫토리 다테오*, 마츠무라 마사요시
• 도코우대학 공학부, *무사시공대 공학부
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：30a-M-10

57. CO/a-Si：H에 있어서의 실리사이드 형성(I)

• 고바야시 오사무, 츠치야 마사히코, 소에 쿠미, 모토하시 미츠야, 혼마 카즈아키
• 도쿄전기대 공학부
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：30a-N-5

58. N2 및 NH3 중 CO 실리사이드 형성 과정 - 잔류 산소의 영향 -

• 츠키키 히사코, 스기야마 류오*, 에토 류지*, 가미마에 타카시**, 오가와 신이치*
• 마쓰시타 전자 공업 (주) 마이콘사업부, * 마쓰시타 전자 공업 (주) 프로세스 개발 센터 ** 마쓰시타 테크노리서치 (주)
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：30a-N-6

59. H2O 플라즈마에 의한 HSQ막 열화억제 애싱의 검토

• 타마오카 에이지, 아오이 노부오, 우에다 테츠야, 야마모토 아키히로, 마유미 슈이치
• 마쓰시타 전기 산업 (주) 프로세스 개발 센터
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：30p-M-10

60.저 유전율 유기층간 절연막의 고온 특성

• 다카소우 준, 토미자와 토모히로, 이노루 켄, 하라 토오루
• 호세이대학 공학부
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：30p-M-7

61. 저 유전율 이온 주입 유기 SOG 막의 열 이탈 특성

• 마쓰바라 나오키, 미즈하라 히데키, 와타나베 히로유키, 미사와 카이이, 이노우에 야스노리, 하나보 히로시, 요시노 케이이치
• 산요 전기 (주) 마이크로 일렉트로닉스 연구소
• 제45회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1998 봄)：30p-M-9

1997：논문,잡지,책

1.Roles of Surface Functional Groups on TiN and SiN Substrates in Resist Pattern Deformations

• Ryoko Yamanaka, Toshiyuki Mine, Toshihiko Tanaka and Tsuneo Terasawa
• Central Research Laboratory, HItachi Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,36,7620(1997)

2.Formation and Exchange Processes of Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111) Studied by Thermal Desorption Spectroscopy and Scanning Tunneling Microscopy

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,36,2379(1997)

3.Evidence that carbide precipitation produces hydrogen traps in Ni17Cr8Fe alloys

• G.A. Young and J.R. Scully
• Center for Electrochemical Science & Engineering, Department of Materials Science and Engineering, The University of Virginia
• Scripta Meterialia,No6,713(1997)

4.Improvement of structural and electrical properties in low-temperature gate oxides for poly-Si TFTs by controlling O2/SiH4 ratios

• Katuhisa Yuda, Hiroshi Tanabe, and Fujio Okumura
• Functional Devices Research. Laboratories, NEC Corporation
• Digest of Technical Papers AMLCD '97, (1997)pp.87-90

5.A method for calculation the activation energy distribution for desorption of ammonia using a TPD spectrum obtained under desorption control conditions

• Takao Masuda, Yoshihiro Fujikata, Hideo Ikeda, Shun-ichi Matsushita, Kenji Hashimoto
• Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
• Appl.Catal.A,162,29(1997)

6.A method of calculating adsorption enthalpy distribution using ammonia temperature-programmed desorption spectrum under adsorption equilibrium conditions

• Takao Matsuda, Yoshihiro Fujikawa, Shin R. Mukai, Kenji Hashimoto
• Division of Chemical Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University
• Appl.Catal.A,165,57(1997)

7. 기판 표면의 오염물의 분석법: 승온이탈 분석

• 야부모토 구니치카
• NTT 어드밴스 테크놀로지
• 반도체 프로세스 환경에서의 화학 오염과 그 대책, 리얼 라이즈, p291

1997：학회발표

1. TDS, FT-IR에 의한 Si 산화막의 막질 평가

• 테라다 쿠미, 우메무라 소노코, 테라모토 아키노부*, 고바야시 키요데루*, 구로카와 히로시, 바바 후미아키
• 미쓰비시 전기 (주) 첨단 총연, *UL 연
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：2a-D-10

2.PECVD-SiO2 게이트 절연막 중 구조수의 저감

• 유다 카츠히사, 타나베 히로시, 세라 켄지, 오쿠무라 후지오
• NEC 기능 전자 연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을): 3p-K-3

3. 헬륨·수소 2단 주입 실리콘 웨이퍼에서의 blister 형성 거동

• 나카시마 켄, 타카다 료코, 스도 미츠루, 가이누마 미츠히로*, 나카이 테츠야, 토미자와 겐지
• 三미쓰비시 머티리얼 실리콘 (주) 기술 본부 개발 센터, * 미쓰비시 머티리얼 (주) 종합 연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：3p-PB-2

4. TDS에 의한 Smart-Cut 거동의 직접 관찰 (2)

• 다카다 료코, 타카이시 카즈나리, 토미사와 겐지
• 미쓰비시 머티리얼 실리콘 (주) 기술 본부 개발 센터
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：3p-PB-3

5.C49/C54 TiSi2상 전이의 TDS에 의한 현장 관찰

• 다나카 히로유키, 히라시타 노리오, 기타 아키오
• 오키 전기 공업 (주) 슈퍼 LSI 연구 개발 센터
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을): 4a-D-10

6. ECR-CVD SiOF 막으로부터 불소이탈의 영향

• 우사미 다츠야, 고미 히데키
• NEC ULSI 디바이스 개발 연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：4a-K-5

7. 불소 변성에 의한 수소 실세스퀴옥산의 저 유전율화 검토

• 나카타 요시히로, 후쿠야마 슌이치, 카타야마 노리코, 야마구치 시로
• (주) 후지쯔 연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을): 4p-K-15

8. 메틸실란-H2O2계 자기 평탄화 CVD 공정

• 마츠우라 마사즈미, 이우치 케이아키*, 마스다 원타쿠*, 마스코 요지
• 미쓰비시전기(주) ULSI개발연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：4p-K-2

9. 무기 다공질막 SOG 재료(HPS)의 물성 평가

• 무라구치 료, 나카지마 아키라, 고마쓰 도리로, 오쿠라 가노*, 미야지마 기모리*, 하라다 히데키**, 후쿠야마 슌이치**
• 촉매 화성 공업 (주) 파인 연구소, * 후지쯔 (주), ** (주) 후지쯔 연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을): 4p-K-7

10. 형광체 분말과 물유리의 가스 방출 특성

• 야마네 미유키, 다카하시 슈진*, 히라사와 시게미**, 오세키 요시히로***
• (주)히타치제작소 기계연구소, *카사토 공장, **전자 디바이스 사업부, ***히타치 디바이스 엔지니어링(주)
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：4p-ZT-8

11. 이온 주입 된 실리콘 웨이퍼 표면에 대한 유기물 흡착의 평가

• 사가 코이치로, 핫토리 코
• 소니 (주) 세미 컨덕터 컴퍼니 슈퍼 LSI 연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을): 3p-D-2

12. 웨이퍼 Box 보관시의 산화 방지제(BHT)의 실리콘 웨이퍼에의 흡착 형태

• 이마이 토시히코, 미즈노 토모히코, 하타노 토오루
• 신에츠 반도체 (주) 반도체 시라카와 연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：3p-D-4

13. 각종 세정 후 Si 표면으로의 클린 룸으로부터의 유기물 오염과 재세정에 의한 제거

• 나카모리 마사하루, 아오토 나호미
• NEC ULSI 디바이스 개발 연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을): 3p-D-5

14. APIMS-TDS에 의한 Si 웨이퍼 표면 흡착 IPA의 해석

• 모리모토 토시히로, 우에무라 켄이치
• 신일본제철(주) 첨단기술연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：3p-D-7

15.H+ 주입에 의한 보이드 컷 SOI(4)

• 가키자키 케이오, 하라 토오루, 이노우에 모리오*, 카지야마 켄지*
• 호세이 대학 공학부, * 이온 공학 연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：3p-PB-4

16. 1-MeV H + 주입에 의한 단결정 Si 박막 형성

• 나카타 호지, 니시오카 타카시*
• NTT 기초 연구소, * NTT 광전자 연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을): 3p-ZK-12

17.저 유전율 플로로카본막의 고온 특성

• 다카소우 준, 토미사와 토모히로, 이노루 켄, 하라 도오루, Yang*, D.Evans*, 가키자키 헤이죠**
• 호세이대학 공학부, *SMT, **샤프 ULSI연
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：4a-K-8

18. Benzene을 이용한 a-C : H 막의 특성 연구

• 정씨 외
• 삼성전자(주) 반도체연구소
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을): 4p-YA-3

19. 미세 구멍 내부 잔류 황산 성분의 순수한 전해 양극 물 린스

• 야마자키 신야, 아오키 히데미츠, 아오토 나호미, 니츠키 타카시*, 야마시타 고우후쿠*, 야마나카 히로쯔구*
• NEC ULSI 디바이스 개발 연구소, * 오르가노 (주)
• 제58회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1997 가을)：5a-D-8

20.폴리메탈 배선(VIII)~WNX막 중의 질소의 이탈 과정~

• 中나카지마 카즈아키, 아카사카 야스시, 미야노 키요타카, 타카하시 마모루*, 스에히로 신타로*, 스구로 쿄이치
• (주) 도시바 마이크로 일렉트로닉스 기술 연구소, * (주) 도시바 환경 기술 연구소
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：28a-PB-14

21. SiH4-H2O2 계 CVD 산화막 공정에서의 NMOS Hot Carrier 신뢰성 평가

• 쿠보 마코토, 야히로 카즈유키, 토미타 켄이치
• (주) 도시바 반도체 생산 기술 추진 센터
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：28p-F-18

22. 트리에톡시실란(TRIES)을 이용한 SiO2막(II)

• 핫토리 사토루, 하라다 카츠카
• 동아합성(주) 신재료연구소
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：29p-F-13

23. TDS에 의한 Smart-Cut 거동의 직접 관찰

• 다카다 료코, 타카이시 카즈나리, 토미사와 겐지
• 미쓰비시 머티리얼 실리콘 (주) 기술 본부 개발 센터
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：29p-G-11

24. 건조 후의 웨이퍼 표면에 잔류하는 흡착 IPA의 평가

• 사가 신이치로, 오카모토 아키라, 쿠니야스 히토, 핫토리 코
• 소니 (주) 세미 컨덕터 컴퍼니 슈퍼 LSI 연구소
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：30p-D-11

25. 메틸실란-H2O2계 자기평탄화 CVD 프로세스(1)

• 마쓰우라 마사유키, 마스다 겐타쿠*, 이우치 케이아키*, 마스코 요지
• 미쓰비시전기(주) ULSI개발연구소
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：30p-F-14

26. SiH4 / H2O2 CVD 산화막의 성막 특성

• 吉요시에 토오루, 시모카와 고메이, 요시마루 마사키
• 오키 전기 공업 (주) 슈퍼 LSI 연구 개발 센터
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：30p-F-15

27. 수소 라디칼을 이용한 고신뢰 SiOF막 형성

• 후쿠다 타쿠야, 사사키 에이지*, 호소카와 타카시, 고바야시 노부요시
• (주)히타치제작소 반도체기술개발센터, *히타치초LSI엔지니어링
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：30p-F-20

28. 반도체 층간 절연막으로부터의 물의 승온이탈 스펙트럼 해석

• 오타케 아츠시, 고바야시 카네야, 카토 다카마츠*, 후쿠다 타쿠야*
• (주)히타치 제작소 히타치 연구소, * (주)히타치 제작소 반도체 사업부
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：30p-F-21

29. Non-E.B. 폴리실라잔 SOG의 성막 특성

• 사이토 마사요시, 히라사와 켄사이, 사카이 켄지, 호리타 카츠히코*, 카토 세이 타카, 다카마쓰 아키라, 고바야시 노부요시
• (주)히타치 제작소 반도체 사업부, *히타치 마이크로 컴퓨터
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：30p-F-5

30. 저 유전율 HSQ 막 특성의 구조 의존성

• 고토 긴야, 키타자와 료코*, 마츠우라 마사즈미, 마스코 요지
• 미쓰비시전기(주) ULSI개발연구소, *미쓰비시전기(주) 첨단기술종합연구소
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：30p-F-8

31. H + 주입에 의한 Si 박막층의 형성

• 가키자키 케이오, 키카다케로, 오시마 소타로, 하라 토오루, 이노우에 모리오*, 카지야마 켄지*
• 호세이 대학 공학부, * 이온 공학 연구소
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：29p-G-12

32. Si(100) 표면에 PH3 실온 흡착 과정

• 츠키다테 미네가즈, 스에코 마키
• 도호쿠 대학 전기 통신 연구소
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：29p-ZN-10

33.P 코팅 Si(100) 표면에 SiH4 및 Si2H6 실온 흡착

• 츠키다테 미네가즈, 스에코 마키
• 도호쿠 대학 전기 통신 연구소
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：29p-ZN-11

34. Si (100) 표면상의 Te의 흡착 구조

• 타미야 켄이치, 오타니 타쿠야, 다케다 야스시, 우라노 토시오, 후쿠하라 타카히로, 가네코 히데가즈, 혼고 쇼조
• 고베대학 공학부
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：29p-ZN-2

35. Si (100) 표면에 대한 Cs, D 공 흡착 구조의 MDS, TDS에 의한 연구

• 하세베 히로유키, 시미즈 마사유키, 코지마 가오루, 혼고 쇼조, 우라노 토시오
• 고베대학 공학부
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：29p-ZN-4

Li, D 공 흡착 Si (100) 표면의 MDS, TDS에 의한 관측

• 후쿠하라 타카히로, 가네코 히데가즈, 코지마 가오루, 혼고 쇼조, 우라노 도시오
• 고베대학 공학부
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：29p-ZN-5

37.Ba, D를 공흡착시킨 Si(100) 표면으로부터의 중수소의 이탈 기구

• 코지마 가오루, 후지우치 시게라, 혼고 쇼조, 우라노 다테오
• 고베대학 공학부
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：29p-ZN-6

38. 미세 홀 내부의 잔류 황산 성분

• 야마자키 신야, 아오키 히데미쯔, 니시야마 이와오*, 아오토 나호미
• NEC ULSI 디바이스 개발 연구소, * NEC 마이크로 일렉트로닉스 연구소
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：30p-D-8

39. SiOF막 중의 수분이 유전율에 미치는 영향

• 우에다 사토시, 스가와라 다케, 우에다 테츠야, 타마오카 에이지, 마유미 슈이치
• 마쓰시타 전기 산업 (주) 반도체 연구 센터
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：30p-F-18

40. 전자빔 조사에 의한 수소화 실세스퀴옥산 무기 SOG의 막질 개선

• 양경준, 최동규, 왕시경, L. 포스터, 나카노 마사
• Allide Signal AMM
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：30p-F-2

41. TOF-ESD와 FTIR 현장 관찰에 의한 금속 표면에 CO 흡착 연구

• 우에다 카즈유키, 다테 마사카즈, 요시무라 마사미쯔, 시라와지 기꾸오*, 니시자와 세이지*
• 도요타 공대 (원), 일본 분광
• 제44회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1997 봄)：31a-ZN-7

42.New Low Dielectric Constant Siloxane Polymers

• Nigel P. Hacker
• Allied Signal Inc., Advanced Microelectronic Materials
• The Dielectrics Conference Extended Abstracts : Planar 97 in Japan / AlliedSignal ＆ Rasa Industries LSD.

43. HSQ 막 특성의 구조 의존성

• 마츠우라 마사스미
• 미쓰비시 전기 (주) ULSI 개발 연구소
• The Dielectrics Conference Extended Abstracts : Planar 97 in Japan / AlliedSignal ＆ Rasa Industries LSD.

1996：논문,잡지,책

1.Dimerization Process in Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111)

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,35,L799(1997)

2.Thermal Desorption Spectroscopy of Alkanethiol Self-Assembled Monolayer on Au(111)

• Naoki Nishida*2, Masahiko Hara*1, Hiroyuki Sasabe*1 and Wolfgang Knoll*1
• *1 Frontier Research Program, RIKEN, *2 Graduate School of Science and Engineering, Universion of Saitama
• Jpn.J.Appl.Phys.,35,5866(1997)

3. 히라시타 노리오 학위 논문

• 라시타 노리오
• 오키 전기 공업 (주) 초 LSI 개발 센터
• 통신 대학 (1996)

4. Si 기판 표면 흡착물의 열 이탈 거동

• 진보 토모코, 이시카와 카츠히코*, 이토 마사키*, 쓰가네 켄, 타나베 요시카즈, 사이토 요시오, 토미오카 히데키
• 히타치 제작소 디바이스 개발 센터, * 히타치 제작소 반도체 사업부
• 신학 기보 TECHNNICAL REPORT OF IEICE., ED96-11, SDM96-11, 75 (1996)

5.Extreme Trace Analysis for Clean Process of LSI Fabrication

• Norikuni Yabumoto
• NTT Advanced Technology Corporation
• NTT REVIEW,8,70(1996)

6.Thermal Desorption Spectroscopy of (Ba, Sr)TiO3 Thin Films Prepared by Chemical Vapor Deposition

• Mikio Yamamuka, Takaaki Kawahara, Tetsuro Makita, Akimasa Yuuki and Kouichi Ono
• Semiconductor Research Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation
• Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) pp. 729-735

1996：학회발표

1.Evidence for Asymmetrical Hydrogen Profile in Thin D2O Oxidized SiO2 by SIMS and Modified TDS

• Kouichi MURAOKA, Shin-ichi TAKAGI and Akira TORIUMI
• ULSI Research Laboratories, TOSHIBA Corporation
• Extended Abstracts of th 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1996, pp.500-502

2.Significant Effect of OH inside Silicon Chemical Oxides on AHF(Anhydrous Hydrofluoric Acid) Etching

• Kouichi MURAOKA, Iwao KUNISHIMA, Nobuo HAYASAKA and Shin-ichi TAKAGI
• ULSI Research Laboratories, TOSHIBA Corporation
• Extended Abstracts of th 1996 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1996, pp.521-523

3. TDS 승온 이탈 분석에 의한 열산화막 중 수소 평가

• 테라다 쿠미, 구로카와 히로시, 고바야시 기요하루*, 가와사키 요시*
• 미쓰비시 전기 (주) 첨단 총연, *UL 연
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：7a-H-3

4. 잔류 불소에 의한 유기물의 웨이퍼 표면에의 흡착 가속

• 사가 코이치로, 핫토리 코
• 소니 (주) 세미 컨덕터 컴퍼니 슈퍼 LSI 연구소
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：8a-L-7

5. 접합 계면에 미치는 웨이퍼 표면 흡착물의 영향

• 다카다 료코, 오시마 노보루, 타카이시 카즈나리, 토미사와 겐지, 신유우치 타카유키*
• 미쓰비시 머티리얼 실리콘 (주) 기술 본부 개발 센터, * 미쓰비시 머티리얼 실리콘 (주) 기술 본부 프로세스 기술부
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：8p-L-6

6.LPCVD-SiN막의 수소에 기인하는 핫 캐리어 수명 열화 현상(2)

• 우치다 에이지, 시토 슌이치, 시부사와 카츠히코*, 무라카미 노리오*, 나카무라 타카하루*, 아오키 히로시*, 야마모토 유히로*, 히라시타 노리오
• 오키 전기 공업 (주) 초 LSI 연구 개발 센터, * 오키 전기 공업 (주) 프로세스 기술 센터
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：8p-R-18

7. 분자 궤도법에 의한 SiOF막 성막용 가스의 분자 해리 반응 해석

• 오타케 아츠시, 고바야시 카네야, 타코 이치노우, 후쿠다 타쿠야*, 호소카와 타카시 *, 카토 기요타카 *
• (주)히타치 제작소 히타치 연구소, * (주)히타치 제작소 반도체 사업부
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：9a-H-1

8. 탄소 함유율을 변화시킨 유기 SOG의 평탄화 특성

• 히라사와 켄사이, 사이토 마사요시, 카토 기요타카
• (주)히타치 제작소 반도체 사업부
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：9a-H-20

9. (C2H5O) 3SiF / (C2H5O) 3SiH를 이용한 PECVD 법에 의한 SiOF 막의 성막 특성

• 기토우 에이지, 무로야마 마사카즈, 사사키 마사요시
• 소니(주) 세미컨덕터 컴퍼니 제1LSI 부문
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：9a-H-5

10. 불소 첨가 SiO막의 흡습 기구의 검토

• 무로야마 마사카즈, 하가 유타카, 사사키 마사요시
• 소니(주) S.C. 제1LSI 부문
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：9a-H-9

11.Si 웨이퍼 표면의 부착 유기물 관찰

• 마츠오 치즈코, 타카이시 카즈나리, 토미사와 겐지, 신유우치 타카유키*
• 미쓰비시 머티리얼 실리콘 (주) 기술 본부 개발 센터, * 미쓰비시 머티리얼 실리콘 (주) 기술 본부 프로세스 기술부
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：9a-L-8

12. Pd/a-Si: H/c-Si 적층막에 있어서의 실리사이드화 과정(1)

• 안도 신이치, 고바야시 오사무, 아다치 쿠미, 모토하시 미츠야, 혼마 카즈아키
• 도쿄전기대 공학부
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：7p-N-18

13. Si(100) 표면으로부터의 고차 수소 탈리 과정

• 나카자와 히데키, 스에코 마키, 미야모토 노부오*
• 도호쿠 대학 전기 통신 연구소, * 도호쿠 학원 대학 공학부
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：8p-W-12

14.Cs, D 공흡착 Si(100) 표면의 MDS에 의한 관측

• 하세베 히로유키, 후쿠하라 타카히로, 코지마 가오루, 시미즈 마사유키, 혼고 쇼조, 우라노 도시오
• 고베 대학 공학부
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：8p-W-13

15. 타샤 리부틸 포스핀의 Si (001) 표면에서의 분해 과정의 HREELS에 의한 연구

• 가네다 겐타, 마나다 노리아키, 후쿠다 야스시
• 시즈오카 대학 전자 연구
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：8p-W-17

16. 전자빔 큐어를 실시한 유기 SOG막의 캐릭터화

• 최동규, Ｊ.케네디, L. 포스터, 나카노 마사
• Allide Signal AMM
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：9p-H-17

17. Pd/a-Si: H/c-Si 적층막에 있어서의 실리사이드화 과정(1)

• 안도 신이치, 고바야시 오사무, 아다치 쿠미, 모토하시 미츠야, 혼마 카즈아키
• 도쿄전기대 공학부
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：7p-N-18

18. H + 주입에 의한 보이드 컷 SOI (2)

• 가키자키 케이오, 키하나 다케, 오시마 소타로, 기타무라 다이라, 하라 토오루
• 호세이대학 공학부
• 제57회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1996 가을)：9p-P-2

19. SiH4/CF4 가스를 이용한 바이어스 ECR-CVD SiOF막의 특성

• 우사미 타츠야, 이시카와 타쿠, 혼마 테츠야
• NEC ULSI 디바이스 개발 연구소
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：26a-N-10

20. 저 유전율 PTFE 박막 평가

• 하세가와 도시아키, 마츠자와 노부유키*, 카도무라 신고, 아오야마 준이치
• 소니 (주) 슈퍼 LSI 연구소, * 중앙 연구소
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：26a-N-2

21. Hydrogen Silsesquioxane (HSQ)의 유전율 평가

• 미야나가 타카시, 사사키 나오토, 카메오카 카츠야, 모리야마 이치로, 사사키 마사요시
• 소니 (주) 세미 컨덕터 컴퍼니 제 1 LSI 부문
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：26a-N-6

22. 이온 주입법을 이용한 유기 SOG막의 개질(V)

• 와타나베 히로유키, 히라세 세이키, 미자와 카이, 미즈하라 히데키, 아오에 히로유키, 마메노 카즈노부
• 산요 전기 (주) 마이크로 일렉트로닉스 연구소
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：26a-N-7

23. LPCVD-SiN 막의 수소로 인한 핫 캐리어 수명 열화 현상

• 시토 슌이치, 시부자와 카츠히코, 무라카미 노리오*, 우치다 에이지, 나카무라 타카하루*, 아오키 히로*, 야마모토 유히로*, 히라시타 노리오
• 오키 전기 공업 (주) 슈퍼 LSI 연구 개발 센터, 프로세스 기술 센터
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：27p-E-4

24. 플라스틱 박스로부터 방출되는 유기 첨가제의 웨이퍼 표면에의 흡착 기구

• 사가 고이치로, 후루타니 사쿠오, 핫토리 히로시
• 소니 (주) 세미 컨덕터 컴퍼니 슈퍼 LSI 연구소
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：27p-F-12

25. 무수 HF 가스에 의한 in-situ 자연 산화막 에칭 기구

• 무라오카 코이치, 쿠니시마 료, 하야사카 노부오, 다카기 신이치, 토리카이 아키라
• (주) 도시바 ULSI 연구소
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：28a-K-3

26. Bias ECR CVD SiO 막의 방출 가스의 W Plug 공정에 미치는 영향

• 하가 유타카, 무로야마 마사카즈, 사사키 마사요시
• 소니(주) 세미컨덕터 컴퍼니 제1LSI 부문
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：29p-N-8

27. 테트라 메틸 틸란 / 산소 라디칼 반응에 의한 저 유전율 절연막의 형성

• 나라 아키코, 이토 히토시
• (주) 도시바 ULSI 연구소
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：26a-N-1

28. 흑연 표면에 흡착된 산소의 승온이탈

• 요시다 료, 스기타 토시오*, 노구치 미네오*
• 도쿄 이과대 기초공, *공학부
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：26a-PA-12

29.a-Si：H막 구조의 미결정화 과정에 의한 평가(III)

• 나카지마 고코, 오시마 타카후미, 모토하시 미츠야, 혼마 카즈아키
• 도쿄전기대 공학부
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：26a-TC-10

30.SiOF막에 있어서의 흡습성의 검토

• 시노하라 리카, 쿠도 히로시, 타케이시 슌사쿠, 야마다 마사오
• 후지쯔 (주) 프로세스 개발부
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：26p-N-12

31.산소 이온 주입 Si 기판으로부터 SiO의 이탈

• 이시카와 유카리, 시바타 노리요시
• 미세 세라믹 센터
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：27p-P-9

32. 승온이탈법에 의한 순티탄의 진공 특성 평가

• 호야 슈지, 혼마 요이치
• 지바공업대학
• 제43회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1996 봄)：28p-ZL-3

1995：논문,잡지,책

1.The distribution of activation energy for hydrogen desorption over silica-supported nickel catalysts determined from temperature-programmed desorption spectra

• Masahiko Arai, Yoshiyuki Nishiyama, ＊Takao Masuda, ＊Kenji Hashimoto
• Institute for Chemical Reaction Science, Tohoku University, ＊Depertment of Chemical Engineering, Kyoto University
• Appl.Surf.Sci.,89,11(1995)

2.승온이탈 분석의 실리콘표면 평가의 응용

• 야부모토 구니치카
• NTT어드벤스트 테크놀로지
• 표면기술,46,47(1995)

3.X-Ray Photoelectron Spectroscopic Studies on Pyrolysis of Plasma-Polymerized Fluorocarbon Films on Si

• Ken FUJITA, Yasuhiro MIYAKAWA and Norio HIRASHITA
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,304(1995)

4.Studies of Corrosive Outgasses from Via Holes Using Thermal Desorption Spectroscopy

• S.Tokitoh, H.Uchida, H.Uchida*, Y.Okuno, K.Fushimi*, G.Liu, Y.Sakaya*, N.Hirashita
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd., *Process Technology Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,1021(1995)

5.Reaction Studies between Fluorocarbon Films and Si using Temperature-Programmed X-ray Photoelectron and Desorption Spectroscopies

• N.Hirashita, Y.Miyakawa, K.Fujita and J.Kanamori
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,34,2137(1995)

6.Direct analysis of contamination in submicron contact holes by thermal desorption spectroscopy

• Hidemitsu Aoki, Yuden Teraoka*, Eiji Ikawa, Takamaro Kikkawa and Iwao Nishiyama*
• ULSI Device Development Labs. NEC Corporation, *Microelectronics Research Labs. NEC Corporation
• J.Vac.Sci.Technol.A,13,42(1995)

7. 실리콘 웨이퍼 표면의 분석 평가 기술: 웨이퍼상의 흡착 분자의 분석 평가 기술

• 야부모토 구니치카
• NTT 고급 기술
• 실리콘 웨이퍼 표면의 클린 화 기술 별책, 리얼 라이즈 사, p101

1995년: 학회발표

1. 헬리콘파 플라즈마 CVD에 의한 SiOF막의 막질 평가

• 하가 유타카, 무로야마 마사카즈, 사사키 마사요시
• 소니 (주) 세미 컨덕터 컴퍼니 제 1 LSI 부문
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：26a-ZB-3

2. 저 유전율 표면 보호막에 미치는 흡습의 영향

• 아다치 아쯔시, 아다치 히로시, 무토 히로타카, 후지이 하루히사
• 미쓰비시전기(주) 중앙연구소
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：26a-ZB-6

3. 플라즈마 산화막의 수분 투과 억제 기구의 검토

• 우치다 히로아키, 시토 슌이치*, 사카타니 요시히로, 히라시타 노리오*
• 오키 전기 공업 (주) 공정 기술 센터, * 초 LSI 연구 개발 센터
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：26a-ZB-9

4. 전극 계면 부근의 CVD-BST 막의 특성

• 야마무카 미키오, 카와하라 타카아키, 나카하타 타케시, 유키 쇼죠, 도끼 타카이치
• 미쓰비시전기(주) 반도체 기초연구소
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：26a-ZG-7

5. 고유전율 재료(Ba, Sr) TiO3막의 형성과 계면 제어

• 유키쇼죠
• 미쓰비시전기(주) 반도체 기초연구소
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995가을)：26p-W-6

6. TiCl4를 이용한 CVD TiN막의 염소 함유량과 막질

• 카와시마 아츠시, 미야모토 타카아키, 카도무라 신고, 아오야마 준이치
• 소니 (주) 세미 컨덕터 컴퍼니 슈퍼 LSI 연구소
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을): 27a-PB-8

7. 고온 성막 O3-TEOS NSG 막의 평가

• 미자와 하루히코, 사이토 마사키, 모리야마 이치로, 사사키 마사요시
• 소니 (주) 세미 컨덕터 컴퍼니 제 1 LSI 부문
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：28a-PC-11

8. 수소화 실세스퀴옥산 SOG의 층간 절연막으로서의 특성

• 코야나기 켄이치, 키시모토 코지, 혼마 테츠야
• 일본 전기 (주) ULSI 디바이스 개발 연구소
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：28a-PC-2

9. 이온 주입법을 이용한 유기 SOG 막의 개질 (IV)

• 와타나베 히로유키, 히라세 세이키, 미자와 카이, 미즈하라 히데키, 아오에 히로유키
• 산요 전기 (주) 마이크로 일렉트로닉스 연구소
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：28a-PC-4

10.H2O 첨가 스퍼터법으로 형성된 비정질 ITO막의 열처리에 의한 구조 변화

• 니시무라 에츠코, 안도 마사히코, 오니자와 켄이치, 미네무라 테츠로, 타카하타 마사루*
• (주)히타치 제작소 히타치 연, * 전자 디바이스 사업부
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：28a-ZH-8

11. 밀도 제어에 의한 SiOF막의 저흡습화

• 쿠도 히로시, 아와지 나오키*, 시노하라 리카, 타케이시 슌사쿠, 호시노 마사타카, 야마다 마사오
• 후지쯔 (주) 프로세스 개발부, * ULSI 연구부
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：26a-ZB-10

12. 고유전체용 전극 재료의 TDS 평가

• 아시다 히로시, 나카바야시 마사아키, 기무라 타카아키, 모리 하루히사
• 후지쯔 (주)
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：26a-ZG-1

13.TDS법에 의한 비(주)소 이온 주입 결함의 해석

• 사이토 카즈유키, 사토 요시유키*, 혼마 요시카즈, 아부모토 구니치카
• 아이즈 대학, * NTT LSI 연, ** NTT 경계 연
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995가을)：26p-ZP-9

14. 패시베이션막 중 수소의 Si 댕글링 본드에 미치는 영향

• 테라다 쿠미, 구로카와 히로시, 고바야시 순지, 고노 히로아키*, 고바야시 카즈오**, 코가모 테츠오
• 미쓰비시전기(주) 재연, *기타이탄제작소, **구마모토제작소
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：26p-ZV-15

15. 표면 수소 이탈에 유도된 Si 상으로의 Al 선택 CVD 반응

• 카츠다 요시히코, 코나가타 시노부, 사카가미 히로유키, 신미야하라 마사조, 타카하기 다카유키
• 히로시마 대학 공학부
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995가을)：26p-ZV-8

16. TDS 및 SIMS에 의한 SiO2막 중의 Ar에 관한 정량

• 츠카모토 카즈요시, 마츠나가 토시유키, 와타나베 케이이치, 모리타 히로요시, 야마니시 사이*, 요시오카 요시아키
• (주) 마츠시타 테크놀리서치 기술부 반도체 해석 그룹, * 마쓰시타 전기 산업 (주) 생산 기술 본부 박막 가공 연구소
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：27a-C-3

17. Ar+-IBARD법에 의해 작성한 TiOX 박막의 Ar 승온이탈 특성

• 사사세 마사토, 야마기 타카히로*, 미야케 요시**, 타카노 이치로, 이소베 쇼지
• 공학원 대학 공학부, *히타치 제작소 히타치연, **히타치 제작소 전개본
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：27p-ZH-9

18. 수소 종단 Si(100) 2×1 표면에서의 Na의 흡착·이탈과 전자 상태(I)

• 후지모토 토모히로, 코지마 가오루, 혼고 쇼죠, 우라노 도시오
• 고베 대학 공학부
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995가을)：27p-ZL-2

19.TEOS/O3 상압 CVD 반응에의 알코올 첨가 효과(IV)-테트라메톡시실란 원료에의 첨가-

• 이케다 코이치, 마에다 마사히코
• NTT LSI 연구소
• 제56회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1995 가을)：28a-PC-9

20. 산소 라디칼 어닐링에 의한 Ta2O5 박막의 누설 전류 저감 효과

• 마츠이 유이치, 토리이 와코, 이토가 토시히코, 이이지마 신헤이*, 오오지 유즈루”
• 히타치 나카(연구소), * 히타치 반도체(사)
• 제56회 응용물리학회 학술강연회 예고집(1995가을): 28p-PC-3

21.TDS에 의한 접합 웨이퍼의 평가 －웨이퍼 이면으로부터의 기여－

• 타카다 료코, 오카다 치즈코, 콘도 히데유키, 류다 지로, 가와야 히사, 신코우치 타카유키
• 미쓰비시 머티리얼 실리콘 (주) 중앙 연구소
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：28a-X-2

22. TDS에 의한 접합 웨이퍼의 평가 II －접합 계면으로부터의 기여－

• 오카다 치즈코, 다카다 료코, 콘도 히데유키, 류다 지로, 하야야 히사, 신코우치 타카유키
• 미쓰비시 머티리얼 실리콘 (주) 중앙 연구소
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：28a-X-3

23. DCS-WSiX막 중의 불소, 염소 함유량과 TDS 분석

• 야마자키 오사무, 오난 신지, 타니가와 마코토, 이구치 카츠지, 사키야마 헤조
• 샤프 (주) 슈퍼 LSI 개발 연구소
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：29a-K-8

24. 이온 주입법을 이용한 유기 SOG막의 개질(II)

• 와타나베 히로유키, 히라세 세이키, 미자와 카이, 미즈하라 히데키, 아오에 히로유키
• 산요 전기 (주) 마이크로 일렉트로닉스 연구소
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：30a-C-1

25. TEOS-O3 퇴적막의 응력과 구조·조성의 열변화

• 우메자와 카오리, 츠치야 노리히코, 야부키 무네, 후지이 오사무*, 오모리 히로후미*, 마츠모토 아키하루*
• (주) 도시바 반도체 사업 본부, * (주) 도시바 연구 개발 센터
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：30a-C-10

26. SiH4-H2O2 계 CVD 산화막에 의한 층간 절연막 형성 공정 (2)

• 마쓰우라 마사즈미, 니시무라 츠네유키*, 하야시데 요시오, 히라야마 마코토, 이노우치 다카아키*
• 미쓰비시전기(주) ULSI개발연구소
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：30a-C-4

27. Polycarbosilane을 이용한 평탄화

• 고바야시 노리코, 후쿠야마 슌이치, 나카타 요시히로
• (주) 후지쯔 연구소
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：30a-C-6

28. 페놀 화합물에 의한 Perhydrosilazane의 산화 촉진

• 나카타 요시히로, 후쿠야마 슌이치, 고바야시 노리코, 하라다 히데키*, 오쿠라 히로유키*
• (주) 후지쯔 연구소, * 후지쯔 (주)
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：30a-C-7

29. TDS에 의한 수소 주입 Si 기판으로부터의 수소 이탈 거동의 해석

• 오쿠무라 하루키, 하세가와 다카히로, 소에다 후사미
• 토레이 리서치 센터
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：30a-H-1

30. 플라즈마 CVD-SiO 막 특성의 RF 주파수 의존성

• 고노 히로유키, 이와사키 켄야
• 미야자키 오키 전기 (주)
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：30p-C-13

31. TDS에 의한 이온 주입 불순물 (B, P, As) 검출

• 야부모토 구니치카, 혼마 요시가즈, 사토 요시유키*, 사이토 카즈유키**
• NTT 경계연, *NTT LSI연, **아이즈대학
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：28a-X-1

32. 승온이탈법에 의한 유리 기판상 유기 분자의 거동 평가

• 다카하시 요시카즈, 이나키치 사카에, 사이토 가즈야, 츠카하라 소노코, 이이지마 마사유키
• 일본 진공 기술 (주) 쓰쿠바 초재료 연
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：28a-ZS-4

33.Si 웨이퍼 표면의 유기 오염물의 화학 조성

• 타카하기 다카유키, 코지마 아키히로, 사카가미 히로유키, 신미야하라 마사조, 야지마 히로시*
• 히로시마 대학 공학부, 토레이 리서치
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：29a-PA-14

34. 인산 처리 후의 GaAs 표면의 평가

• 하야시 에이지, 나가이 나오토, 나카가와 요시히카, 나카야마 요이치, 소네다후사미
• 토레이 리서치 센터
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：29a-ZN-2

35.CVD-TiN 막으로부터의 염소의 탈가스 특성 평가

• 스즈키 가즈야, 사카이 타쿠야*, 오오바 타카유키, 야기 하루라
• 후지쯔 (주), * 후지쯔 VLSI (주)
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：29p-K-3

36. HF 처리 Si 표면에서 IPA의 흡착 II

• 미야다 노리유키, 코지리 히데히로*, 야마시타 료미, 오카무라 시게루, 쿠사이 토쿠시게
• (주) 후지쯔 연구소, * 후지쯔 (주)
• 제42회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1995 봄)：29p-PA-20

1994 : 논문,잡지,책

1.Thermal Desorption Spectroscopy and X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study of CFx Layer Deposited on Si and SiO₂

• Yasuhiro Miyakawa, Ken Fujita, Norio Hirashita, Naokatsu Ikegami, Jun Hashimoto, Takayuki Matsui and Jun Kanamori
• VLSI R&D Center, Oki Electric Industry CO., Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,65,7047(1994)

2.In situ infrared study of chemical state of Si surface in etching solution

• Michio Niwano, Yasuo Kimura and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• Appl.Phys.Lett.,65(13),1692(1994)

3. 승온이탈 가스 분석법에 의한 반도체 집적 회로 재료로부터의 방출 가스의 정량 분석

• 히라시타 노리오, 우치야마 타이죠*
• 오키 전기 공업 (주) 초 LSI 연구 개발 센터, * 전자 과학 (주)
• 분석 화학, 43,757 (1994)

4.Reaction studies between Fluorocarbon Films and Si using Temperature-Programmed X-ray Photoelectron and Desorption Spectroscopies

• Norio HIRASHITA, Yasuhiro MIYAKAWA, Ken FUJITA and Jun KANAMORI
• VLSI Research and Development Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• DRY PROCESSS SYMPOSIUM,181(1994)

5.The impact of intermetal dielectric layer and high temperature bake test on the reliability of nonvolatile memory devices

• E.Sakagami, N.Arai*, H.Tsunoda**, H.Egawa**, Y.Yamaguchi, E.Kamiya, M.Takebuchi***, K.Yamada***, K.Yoshikawa and S.Mori
• Semiconductor Device Engineering Laborattory, TOSHIBA Corp., *TOSHIBA Microelectronics Corp., **Integrated Circuit Advanced Prosess Department, TOSHIBA Corp., ***Logic Device Engineering Department, TOSHIBA Corp.
• IEEE/IRPS(1994)

6.Infrared spectroscopy study of initial stages of oxidation of hydrogen-terminated Si surfaces stored in air

• Michio Niwano, Jun-ichi Kageyama, Kazunari Kurita, Koji Kinashi, Isao Takahashi and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• J.Appl.Phys.,76,2157(1994)

7.Ultraviolet-Induced Deposition of SiO₂ Film from Tetraethoxysilane Spin-Coated on Si

• Michio Niwano, Koji Kinashi, Kazuhiko Saito and Nobuo Miyamoto
• Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
• J.Electrochem.Soc.,141,1556(1994)

8.유기물에 의한 표면오염

• 다카하기 다카유키
• (주)토레이 리서치센터
• Journal of Japan Air Cleaning Association,7,32(1994)

9.Fine Contact Hole Etching in Magneto-Microwave Plasma

• Y.Miyakawa, J.Hashimoto, N.Ikegami, T.Matsui and J.Kanamori
• VLSI R＆D Center, Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,33,2145(1994)

10.Determination of Hydrogen Concentration in Austenitic Stainless Steels by Thermal Desorption Spectroscopy

• Masako Mizuno, Hideya Anzai, Takashi Aoyama and Takaya Suzuki
• Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
• Materials Transactions JIM,35,703(1994)

11.TDS에 의한 이탈가스 분석－전자과학을 중심으로－

• 오쿠무라 나오키, 다카하기 다카유키
• (주)토레이 리서치센터 표면과학연구부
• THE TRC NEWS,30,49(1994)

1994：학회발표

1.Studies of Corrosive Outgasses from Via Holes Using Thermal Desorption Spectroscopy

• S.Tokitoh, H.Uchida, H.Uchida*, Y.Okuno*, K.Fushimi*, G.Liu, Y.Sakaya* and N.Hirashita
• VLSI Research and Development Center, *Process Technology Center
• Extended Abstracts of the 1994 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 1994, pp.925-927

2. TDS 법에 의한 CVD 성막 (Ba, St) TiO3 막의 특성 평가

• 야마무카 미키오, 카와하라 타카아키, 카마타 테츠로, 유키 쇼죠, 도끼 타카이치, 우에하라 야스시*
• 미쓰비시전기(주) 반도체 기초연구소, *재료 디바이스 연구소
• 제55회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1994 가을)：19p-M-5

3.PECVD SiOF막의 흡습 특성(II)

• 우사미 타카시, 시모카와 코메이, 요시마루 마사키
• 오키 전기 공업 (주) 슈퍼 LSI 연구 개발 센터
• 제55회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1994 가을)：20p-ZC-14

4.Perhydrosilazane의 성막 메카니즘 II

• 오쿠라 요시유키, 하라다 히데키, 시미즈 아츠오, 와타나베 요시, 후쿠야마 슌이치*, 나카지마 아키라**, 타카하시 미키**, 고마쓰 도리로**
• 후지쯔 (주) 공정 개발부, * (주) 후지쯔 연구소, ** 촉매 화성 공업 (주) 파인 연구소
• 제55회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1994 가을)：20p-ZC-7

5. 승온이탈 분광법(TDS)을 이용한 포토레지스트의 열반응 거동의 해석

• 사쿠마 데츠오, 이케다 아키히코, 요시노부 다츠오*, 이와사키 히로시*
• 아사히 카세이 공업 (주), * 오사카 대학 산업 과학 연구소
• 제55회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1994 가을)：22a-ZB-8

6. 수소 승온이탈 스펙트럼에 의한 Si(100) 표면 원자적 평탄도 평가

• 나카자와 히데키, 스에코 마키, 김 기준, 미야모토 노부오
• 도호쿠 대학 전기 통신 연구소
• 제55회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1994 가을)：20a-ZB-5

7. 실리콘 표면에서 불소이탈 및 수소 흡착

• 쿠보타 토오루, 시라이시 슈시, 사이토 요지
• 세이케이대학 공학부
• 제55회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1994 가을)：20p-ZB-10

8.TEOS/O3 상압 CVD 반응에의 알코올 첨가 효과(III)-중수소 치환 알코올의 첨가-

• 이케다 코이치, 나카야마 사토시, 마에다 마사히코
• NTT LSI 연구소
• 제55회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1994 가을)：20p-ZC-1

9. 플라즈마 CVD법에 의한 성막 조건이 기생 MOS-Tr.에 미치는 영향

• 오타 히로유키, 아사다 히토시, 사토 유키히로, 시미즈 아츠오, 와타베 요시히로
• 후지쯔 (주)
• 제55회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1994 가을)：20p-ZC-9

10. 열산화막의 물의 흡습

• 오쿠노 마사키, 카타오카 유지, 코지리 히데히로*, 스기타 요시히로, 와타나베 사토루, 타카사키 긴고
• (주) 후지쯔 연구소, 후지쯔 (주)
• 제55회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1994 가을)：21p-ZB-15

11. Si (111) 표면 산화막의 TDS 관찰

• 와타베 히로마사, 이토 후미노리, 히라야마 히로유키
• NEC 마이크로 일렉트로닉스 연구소
• 제55회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1994 가을)：21p-ZB-16

12. TDS에 의한 Si 표면 유기물 오염 분석

• 오쿠무라 나오키, 타카하기 다카유키
• 토레이 리서치 센터
• 제41회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994 봄)：29a-ZK-11

13. 유기 SOG의 무기화 베이크 처리

• 코바리 히데야, 오카노 스스무, 오하시 나오시*, 네즈 히로키*
• 도쿄 응화 공업 (주) 개발 본부, * (주) 히타치 제작소 디바이스 개발 센터
• 제41회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994 봄)：30p-ZW-13

14. 폴리라다 오르가노실록산의 SOG로서의 응용 검토

• 아다치 아츠시, 아다치 히로시, 니시무라 히로유키, 미나미 신타로, 마츠우라 마사즈미*
• 미쓰비시 전기 (주) 중앙 연구소, *ULSI 개발 연구소
• 제41회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994 봄)：30p-ZW-14

15. 다층 배선 비아홀에서의 NH3의 이탈

• 시토 슌이치, 우치다 에이지*, 오쿠노 야스유키*, 후시미 도모히사*, 사카타니 요시히로*, 히라시타 노리오
• 오키 전기 공업 (주) 초 LSI 연구 개발 센터, * 프로세스 기술 센터
• 제41회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994 봄)：30p-ZW-15

16. O3-TEOS 절연막의 막질 개질

• 타니가와 마코토, 도이 쯔카사, 이시하마 아키라, 사키야마 게조
• 샤프 (주) 슈퍼 LSI 개발 연구소
• 제41회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994 봄)：30p-ZW-2

17.O3-TEOS 절연막의 막질 개선

• 코바리 히데야, 오카노 스스무, 미나미 코로
• 도쿄 응화 공업 (주) 개발 본부
• 제41회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994 봄)：30p-ZW-3

18.PECVD SiOF막의 흡습 특성

• 우사미 타카시, 시모카와 도모아키, 요시마루 마사키
• 오키 전기 공업 (주) 슈퍼 LSI 연구 개발 센터
• 제41회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994 봄)：30p-ZW-8

19. 하지막 중 잔류물의 화학종 제어에 의한 TEOS/O3 SiO2막의 매립성 향상

• 쿠보 도오루, 히로세 카즈유키, 혼마 테츠야, 무라오 유키노부
• NEC ULSI 디바이스 개발 연구소
• 제41회 응용 물리학 관계 연합 강연회 예고집(1994 봄)：30p-ZW-4

20. 무전해 구리 도금에 의한 침상 결정 형성에 미치는 하지의 영향

• 후지나미 토모유키, 요코이 이케 카코, 혼마 히데오*
• 에바라 유지 라이트 (주), * 간토 학원 대학 공학부
• 표면기술협회 제90회 강연대회 요지집, 168, (1994)：5C-19

1993：논문,잡지,책

1.Enhanced Hot-Carrier Degradation Due to Water-Related Components in TEOS/O3 Oxide and Water Blocking with ECR-SiO2 Film

• N.Shimoyama, K.Machida, J.Takahashi, K.Murase, K.Minegishi and T.Tsuchiya
• NTT LSI Laboratories
• IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,40,1682(1993)

2.Thermal Desorption Studies of Silicon Dioxide Deposited by Atmospheric-Pressure Chemical Vapor Deposition Using Tetraethylorthosilicate and Ozone

• Katsumi Murase, Norikuni Yabumoto*, Yukio Komine
• NTT LSI Laboratories, *NTT Interdisciplinary Research Laboratories
• J.Electrochem.Soc.,140,1722(1993)

3.The Effect of Plasma Cure Temperature on Spin-On Glass

• Hideo Namatsu and Kazushige Minegishi
• NTT LSI Laboratories
• J.Electrochem.Soc.,140,1121(1993)

4.Growth of Native Oxide and Accumulation of Organic Matter on Bare Si Wafer in Air

• Chizuko Okada, Hiroyuki Kobayashi, Isao Takahashi, Jiro Ryuta and Takayuki Shingyouji
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1031(1993)

5.Measurement of Organic Matter on Si Wafer by Thermal Desorption Spectroscopy

• Chizuko Okada, Isao Takahashi, Hiroyuki Kobayashi, Jiro Ryuta and Takayuki Shingyouji
• Central Research Institute, Mitsubishi Materials Corporation
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1186(1993)

6.Thermal Desorption and Infrared Studies of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposited SiO Films with Tetraethylorthosilicate

• N.Hirashita, S.Tokitoh and H.Uchida
• VLSI R＆D Center., Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,32,1787(1993)

7.Direct numerical method to analyze thermal desorption spectra

• H.Froitzheim, P.Schenk and G.Wedler
• Institute fur Physikalische und Theoretische Chemie, Universitat Erlangen-Nurnberg
• J.Vac.Sci.Technol.A,11,345(1993)

8.CVD산화막의 흡습과정과 물의 이탈기구

• 시토우 슌이치, 우치다 에이지, 히라시타 노리오
• 오키전기공업(주) 초LSI연구개발 센터
• 신학기보 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM93-9,59(1993)

9.Improvement of Water-Induced Hot-Carrier Immunity Degradation Using ECR Plasma-SiO2 with Si-H Bonds

• K.Machida, N.Shimoyama, J.Takahashi, Y.Takahashi, N.Yabumoto and E.Arai*
• NTT LSI Laboratories, *NTT Interdisciplinary Research Laboratories
• 신학기보 TECHNICAL REPORT OF IEICE.,SDM93-39,47(1993)

10. 플라즈마 CVD-SiO2 막의 흡습 특성

• 시모카와 도모아키
• 오키 전기 공업 (주) 초 LSI 개발 연구 센터
• 월간 Semiconductor World (1993.2)

11.절연막의 흡습성을 둘러싼 여러 문제-평가 방법과 대책

• 오타니 히데오, 마츠우라 마사즈미, 하야시데 요시오
• 미쓰비시 전기 (주) LSI 연구소
• 월간 Semiconductor World (1993.2)

12. TEOS-O3 상압 CVD NSG 막의 흡습성에 대한 저온 어닐링의 효과

• 호소다 유키오, 하라다 히데키, 시미즈 아츠오, 와타베 요시, 아시다 히로시
• 후지쯔 기초 프로세스 개발부, 개발 추진 본부
• 월간 Semiconductor World (1993.2)

1993：학회발표

1. 승온 열 이탈 분석 장치에 의한 Si 웨이퍼 표면의 유기물 평가

• 오카다 치즈코
• 미쓰비시 머티리얼 (주) 나카켄
• 제54회 분석화학토론회 요지집(1993.06)

2. 승온이탈법에 의한 스테인리스강 중 수소 분석법의 검토

• 미즈노 마사코, 미사와 유타카, 쿠니야 지로, 키타 토시타카
• (주)히타치 제작소 히타치 연구소
• 제54회 분석화학토론회 요지집(1993.06)

3.Single Step Gap Filling Technology for Subhalf Micron Metal Spacings on Plasma Enhanced TEOS/O2 Chemical Vapor Deposition System

• Katsuyuki MUSAKA, Shinsuke MIZUNO, Kiyoaki HARA
• Applied Materials Japan Inc. Technology Center
• Extended Abstracts of the 1993 International Conference on Solid State Devices and Materials, Makuhari, 1993, pp.510-512

4. Si (100) 및 (111)면상의 SC1 산화막의 승온 분해 이탈 분광법

• 이와사키 유, 나카오 기, 요시노부 다츠오, 우치야마 타이죠
• 오사카 대학 산업 과학 연구소, * 전자 과학 (주)
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)

5. 수소 종단 Si(111) 표면의 수소의 열이탈 거동

• 타카하기 타카유키, 나고야 히로타키, 나카가와 요시히카, 나가이 나오토, 이시야 훗
• 토레이 리서치 센터
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)

6. TDS(승온이탈 가스 분석)에 의한 Al막의 평가

• 하류 다케노리, 오노 히데키, 이노우에 미노루
• 후지쯔 (주)
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：16a-ZR-11

7. 고농도 BPSG막의 결함 석출과 그 억제 방법(3)-실릴화 처리의 효과-

• 야노 고우사쿠, 테라이 유카, 스기야마 류오, 엔도 마사타카, 우에다 테츠야, 노무라 노보루
• 마쓰시타 전기 반도체연구 센터
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：16p-ZQ-16

8. 열처리한 플라즈마-CVD SiO막의 승온이탈 가스 분석(TDS)

• 시토 슌이치, 우치다 에이지, 히라시타 노리오
• 오키 전기 공업 (주) 슈퍼 LSI 연구 개발 센터
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：16p-ZQ-5

9. TEOS-O3 NSG의 기초 P-SiO 의존성

• 우사미 타카시, 시모카와 도모아키, 요시마루 마사키
• 오키 전기 공업 (주) 슈퍼 LSI 연구 개발 센터
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：16p-ZQ-7

10. 절연막의 고온 스트레스

• 호시노 카즈히로, 스가노 유키야스
• 소니 (주) 슈퍼 LSI 개발 본부
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：17p-ZQ-16

11. 승온이탈 가스 분석법에 의한 탈가스의 정량 분석법의 검토

• 히라시타 노리오, 시토 슌이치, 우치야마 타이조*, 히나가 야스시*
• 오키 전기 공업 (주) 초 LSI 연구 개발 센터, * 전자 과학 (주)
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：27a-ZL-8

12. TDS법에 의한 Si 표면의 수소 연구

• 타카하기 타카유키, 나고야 히로다카, 나가사와 카츠키, 이시타니 타카
• 토레이 리서치 센터
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：28a-ZD-7

13. TiN/Ti막으로 피막된 비아홀의 가스 방출 특성

• 마츠우라 마사즈미, 야마구치 스미오, 하야시데 요시오, 후루야 히데오
• 미쓰비시전기(주) LSI 연구소
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：29a-X-1

14. Perhydrosilazane의 성막 메커니즘

• 나가시마 타카시, 하라다 히데키
• 후지쯔 (주)
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：29a-X-10

15. 승온 열 이탈 분석에 의한 오프 앵글 (111) Si 웨이퍼 표면의 평가

• 류다 지로, 고바야시 히로유키, 다카하시 이사오, 신교우치 타카유키, 오카다 치즈코*
• 미쓰비시 머티리얼 나카켄, * 미쓰비시 머티리얼 실리콘
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：29a-ZD-10

16. 승온 열 이탈 분석 장치에 의한 Si 웨이퍼 표면의 유기물 평가

• 오카다 치즈코, 모리타 에츠로, 이노우에 후미오, 류다 지로*, 신교우치 타카유키*
• 미쓰비시 머티리얼 실리콘, * 미쓰비시 머티리얼 나카켄
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：29a-ZD-11

17. 콘택트 홀 바닥 Si 표면의 자연 산화막의 TDS 관측

• 나카모리 마사하루, 테라오카 아리덴*, 아오토 나호미, 아오키 히데미츠, 니시야마 이와오*, 이가와 에이지, 요시카와 도모마로
• Nippon Electric Co., Ltd. 마이크로일렉 (연) 광엘렉(연)
• 제54회 응용 물리학회 학술 강연회 예고집(1993 가을)：17p-ZP-8

1992：논문,잡지,책

1.Thermal Desorption Studies of Phosphorus-Doped Spin-on-Glass Films

• Norio Hirashita, Masayuki Kobayakawa, Akira Arimatsu, Fumitaka Yokoyama, and Tsuneo Ajioka
• Oki Electric Industry Co.,Ltd.
• J.Electrochem.Soc.,139,794(1992)

2.Mechanisms of Surface Reaction in Fluorocarbon Dry Etching of Silicon Dioxide - An Effect of Thermal Excitation

• N.Ikegami, N.Ozawa, Y.Miyakawa, N.Hirashita and J.Kanamori
• VLSI R＆D Center, Electronic Devices Group, OKI Electric Industry Co.,Ltd.
• Jpn.J.Appl.Phys.,31,2020(1992)

3.Thermal decomposition of ultrathin oxide layers on Si(100)

• Y.K.Sun, D.J.Bonser and Thomas Engel
• Department of Chemistry BG-10. University of Washington
• J.Vac.Sci.Technol.A,10,2314(1992)

4.Preoxidation Si cleaning and its impact on metal oxide semiconductor characteristics

• S.R.Kasi and M.Liehr
• IBM Research Division, Thomas J.Watson Research Center
• J.Vac.Sci.Technol.A,10,795(1992)

5. 실리카 유리 중 가스의 분석 방법

• 모리모토 유키히로
• 우시오 전기 (주) 기술 연구소
• 뉴 세라믹, 9, 65 (1992)

6. TEOS/O3 산화막 중의 수분에 의한 핫 캐리어 내성 열화와 ECR-SiO2막을 이용한 열화 억제법

• 시모야마 노무히로, 다카하시 준이치, 마치다 카츠유키, 무라세 카츠미, 미네기시 가즈시게*, 츠치야 토시히로
• NTT LSI 연구소, * NTT 전자 기술
• 신학 기보 TECHNICAL REPORT OF IEICE., SDM92-33, 51 (1992)

7.MOSFET 신뢰성 열화의 플라즈마 CVD SiO막에 의한 억제

• 시모카와 도모아키, 우사미 타카시, 시토 슌이치, 히라시타 노리오, 요시마루 마사키
• 오키 전기 공업 (주) VLSI R & D 센터
• 신학 기보 TECHNICAL REPORT OF IEICE., SDM92-133, 89 (1992)

8. 표면 흡착 분자의 분석 기술-승온 이탈 분광법의 ULSI에의 적용-

• 이와사키 히로시
• 오사카 대학 산업 과학 연구소
• 리얼라이즈 브레이크스루 세미나 자료 No2, ULSI 제조를 위한 분석 평가 기술 구축 - 최첨단 분석 평가 기술의 제조 라인에 적용 - (1992.11)