1.水素終端シリコンの経時変化

目的・実験
HF処理により表面を水素でターミネートしたシリコンウェハーが、時間経過とともにどのように変化していくかを調べました。 表面に吸着している水素を脱離させ、評価を行いました。
以下の手順で実験・評価を行いました。
1.実験で使用する水素終端Siチップを準備します。
2.試料調整後、2日、7日、14日、28日経過したSiチップを昇温脱離実験(昇温速度=60K/sec)します。
3.脱離した水素について、その脱離信号を比較します。

結果
次図に示すように、時間の経過とともに表面の水素が減少していきます。
どこまで減少するかは、さらに追跡実験が必要です。

表面の水素が減少する理由は、酸化が進み、表面に水酸基が発生するためと考えられます。
次図は、表面の水素と水酸基が会合して、水が脱離する様子を示しています。
予想通り、時間の経過とともに水の量が増しています。

2.水素イオン注入試料のデータ

水素イオン注入試料 1E16個/c㎡ の例

水素イオン注入試料 1E17個/c㎡ の例

注：ピークが出現する温度は各種条件に依存するので装置によって多少の差異が生じます。

3.水素イオン注入試料の再現性データ

水素イオン注入試料 1E16個/c㎡ の例

注：ピークが出現する温度は各種条件に依存するので装置によって多少の差異が生じます。

4.シュウ酸カルシウム塗布アルゴンイオン注入試料のデータ

シュウ酸カルシウム塗布アルゴンイオン注入試料 の例

注：ピークが出現する温度は各種条件に依存するので装置によって多少の差異が生じます。

5.水素チャージした低炭素軟鋼板の水素の脱離特性(低温昇温脱離)

⇒水素チャージした低炭素軟鋼板の水素の脱離特性　※PDFファイル(170kb)が開きます。